HM8873 datasheet(7/9 Pages) HMSEMI

7 / 9 page

10.3 功放增益设置与输入电阻选取

增益通过外接输入电阻

Ri 设置，公式为：

300



其中

300k 为内部反馈电阻，最大偏差为±10%。

例如输入电阻

Ri=30k，此时增益为：Av=300k/30k=10 倍(20dB)。

10.4 输入电容选取

外接输入电容

Ci 和总输入电阻 Ri 构成输入高通滤波器。-3dB 转折频点计算公式为：







增益确定，也就是输入阻抗确定了之后，输入隔直电容

Ci 的选取尤为重要。一方面，电容值直接影响

放大器的低频特性；另一方面，开关机

POP 声的抑制性能受电容的影响，如果耦合电容大，则反馈网络的

延迟大，

pop 声容易出现，相反较小的耦合电容可以减少该噪声。因此，输入电容 Ci 的选取要兼顾这两个

方面。比如，增益为

20dB，总输入阻抗为 30k，-3dB 转折点 fc 取 53Hz，由上计算公式得 Ci=0.1uF。

另外，输入信号经过输入电容

Ci 到输入网络和反馈网络时，会产生少量漏电流。该漏电流会在放大器

的输入端产生直流偏移量而导致最终输出的最大摆幅受影响，特别是在高增益的应用中。因此，输入电容

最好选低漏电的钽电容或陶瓷电容。

10.5 电源去耦电容

是一款高性能的音频功率放大器，因此，适当的电源去耦电容能够保证功放输出的总谐波失

真（

THD）足够低。去耦电容同样也能消减脉冲对扬声器的干扰。针对电源线上不同种类的噪声可适当的

选择不同的电容去耦网络：

对于由于电路自身寄生参数如键合线和铜痕电感甚至于引线框架电感等所敏感的瞬态高频噪声，可以

用一个高质量的低等效串接电阻（

ESR）的陶瓷电容（容值为 220pF 到 1000pF）去耦。该电容应该尽量靠

近放大器的功率管脚，当然，接地也要做好布局；

对于有滤波器谐振或

PWM 开关甚至于一个随机的数字信号造成的低频噪声，可以用一个高质量的，容

值为

0.1uF 到 1uF 的电容去耦。该电容最好能尽量靠近功率电源；

另外，一个

220uF 或者更大的铝电解电容可对大信号瞬态干扰去耦。该电容应当靠近功率电源脚接入。

HM8873

HM8873 Datenblatt(PDF) 7 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM8873 Datenblatt(HTML) 7 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9

Datenblatt Download

Link URL