NJ13001 datasheet(1/4 Pages) DGNJDZ

Teilenummer	NJ13001

Bauteilbeschribung	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors

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Hersteller	DGNJDZ [Nanjing International Group Co]

Direct Link	http://www.dgnjdz.com/

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Marking:

TRANSISTOR(NPN)

FEA TURES

···· powerswitchingapplications

MAXIMUM

MAXIMUMRATINGS

RATINGS

(TA=25

℃ unlessotherwise

noted)

Symbol

（符号）

Parameter

（参数名称）

Value

（额定值）

Units

（单位）

VCBO

Collector-BaseVoltage

（集电极-基极电压）

700

V

VCEO

Collector-EmitterVoltage

（集电极-发射极电压）

480

V

VEBO

Emitter-BaseVoltage

（发射极-基极电压）

9

V

IC

CollectorCurrent-Continuous

（集电极电流）

0.2

A

PC

CollectorPowerDissipation

（耗散功率）

0.75

W

Tj

JunctionTemperature

（结温）

150

℃

Tstg

StorageTemperature

（储存温度）

-55-150

℃

ELECTRICAL

ELECTRICALCHARACTERISTICS

CHARACTERISTICS

CHARACTERISTICS (Tamb=25℃unlessotherwisespecified)

Parameter

（参数名称）

Symbol

（符号）

Test

Testconditions

conditions

（测试条件）

MIN

（最小值）

TYP

（典型值）

MAX

（最大值）

UNIT

（单位）

Collector-basebreakdownvoltage

集电极-基极击穿电压

V(BR)CB

O

IC=100μA,IE=0

700

V

Collector-emitterbreakdownvoltage

集电极-发射极击穿电压

V(BR)CE

O

IC=1mA,IB=0

480

V

Emitter-basebreakdownvoltage

发射极-基极击穿电压

V(BR)EBO

IE=100μA,IC=0

9

V

Collectorcut-offcurrent

集电极-基极截止电流

ICBO

VCB=600V,IE=0

1

μA

Collectorcut-offcurrent

集电极-发射极截止电流

ICEO

VCE=400V,

IB=0

10

μA

Emittercut-offcurrent

发射极-基极截止电流

IEBO

VEB=9V,IC=0

1

μA

DCcurrentgain

直流电流增益

hFE

VCE=20V,IC=20mA

8

DCcurrentgain

直流电流增益

hFE

VCE=5V,IC=1mA

8

30

Collector-emittersaturationvoltage

集电极-发射极饱和压降

VCE(sat)

IC=100mA,IB=20mA

0.5

V

Base-emittersaturationvoltage

发射极-基极饱和压降

VBE(sat)

IC=100mA,IB=20mA

1.2

V

CLASSIFICATION

CLASSIFICATIONOF

OF

hFEhFE

hFE

Range

8-15

15-20

20-25

25-30

NJ13001

SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors

DONGGUAN NANJING ELECTRONICS LTD.,

SOT-89-3L

Dongguan Nanjing Electronics Ltd.

www.dgnjdz.com

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13001

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