SI20C065CD2

SI20C065CD2

Silicon Carbide Schottky Diodes

Siliziumkarbid Schottky-Dioden

IFAV

= 2x 10 A

VF

< 1.75 V

Tjmax = 175°C

VRRM = 650 V

IFSM = 44/56 A

QC

~ 34 nC

Version 2023-11-20

TO-263AB

D²PAK

SPICE Model & STEP File 1)

Marking

Type / Typ

HS Code 85411000

Typical Applications

Rectification of high frequencies

High efficient switching stages

Power Factor Correction Diodes

Free-wheeling diodes for inverters

Commercial / industrial grade

Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)

Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1)

Typische Anwendungen

Gleichrichtung hoher Frequenzen

Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad

Leistungsfaktorkorrektur-Dioden

Freilaufdioden für Umrichter

Standardausführung

Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)

Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)

Features

Low capacitive charge

Extremely fast switching

High reverse voltage

High power dissipation

Compliant to RoHS (exemp. 7a),

REACH, Conflict Minerals 1)

Besonderheiten

Niedrige kapazitive Ladung

Extrem schnelles Schalten

Hohe Sperrspannung

Hohe Leistungsfähigkeit

Konform zu RoHS (Ausn. 7a),

REACH, Konfliktmineralien 1)

Mechanical Data 1)

Mechanische Daten 1)

Packed in tubes/cardboards

On request:

on 13” reel

50/1000

800

Verpackt in Stangen/Kartons

Auf Anfrage:

auf 13” Rolle

Weight approx.

1.6 g

Gewicht ca.

Case material

UL 94V-0

Gehäusematerial

Solder & assembly conditions

245°C/10s

Löt- und Einbaubedingungen

MSL = 1

Maximum ratings 2)

Grenzwerte 2)

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

VRRM [V]

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

VRSM [V]

SI20C065CD2

650

650

Max. average forward rectified current

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung

per Chip

per Device

TC = 150°C 1)

IFAV

10 A

20 A

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

f > 15 Hz

TC = 150°C 3)

IFRM

38 A

Peak forward surge current

Stoßstrom in Fluss-Richtung

Half sine-wave

Sinus-Halbwelle

50 Hz (10 ms)

60 Hz (8.3 ms)

IFSM

44 A

56 A

Rating for fusing

Grenzlastintegral

t < 10 ms

i2t

110 A2s

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

Tj

TS

-50...+175°C

-50...+175°C

1

Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book

Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches

2

TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben

1

Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne

© Diotec Semiconductor AG

http://www.diotec.com/

1

Pb

RoHS

1

4

3

2