2SA1875 / 2SC4976

No.5507-2/5

Specifications

( ) : 2SA1875

Absolute Maximum Ratings at Ta=25

°C

Parameter

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

Collector-to-Base Voltage

VCBO

(--)200

V

Collector-to-Emitter Voltage

VCEO

(--)200

V

Emitter-to-Base Voltage

VEBO

(--)3

V

Collector Current

IC

(--)300

mA

Collector Current (Pulse)

ICP

(--)600

mA

Base Current

IB

(--)30

mA

Collector Dissipation

PC

0.8

W

Tc=25

°C12

W

Junction Temperature

Tj

150

°C

Storage Temperature

Tstg

--55 to +150

°C

Electrical Characteristics at Ta=25

°C

Ratings

Parameter

Symbol

Conditions

min

typ

max

Unit

Collector Cutoff Current

ICBO

VCB=(--)150V, IE=0

(--)0.1

µA

Emitter Cutoff Current

IEBO

VEB=(--)2V, IC=0

(--)1.0

µA

DC Current Gain

hFE1VCE=(--)10V, IC=(--)50mA

60*

320*

hFE2VCE=(--)10V, IC=(--)250mA

20

Gain-Bandwidth Product

fT

VCE=(--)10V, IC=(--)100mA

400

MHz

Output Capacitance

Cob

VCB=(--)30V, f=1MHz

(5.0)4.2

pF

Reverse Transfer Capacitance

Cre

VCB=(--)30V, f=1MHz

(4.2)3.4

pF

Collector-to-Emitter Saturation Voltage

VCE(sat)

IC=(--)50mA, IB=(--)5mA

(--)1.0

V

Base-to-Emitter Saturation Voltage

VBE(sat)

IC=(--)50mA, IB=(--)5mA

(--)1.0

V

Collector-to-Base Breakdown Voltage

V(BR)CBO

IC=(--)10µA, IE=0

(--)200

V

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

V(BR)CEO

IC=(--)1mA, RBE=∞

(--)200

V

Emitter-to-Base Breakdown Voltage

V(BR)EBO

IE=(--)100µA, IC=0

(--)3

V

* : The 2SA1875 / 2SC4976 are classified by 50mA hFE as follows

Rank

D

E

F

hFE

60 to 120

100 to 200

160 to 320

0

--0.2

--0.4

--0.6

--1.0

--0.8

--1.2

IC -- VBE

Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V

IT03431

--100

--50

0

--350

--150

--200

--250

--300

2SA1875

VCE= --10V

0

0.2

0.4

0.6

1.0

0.8

1.2

IC -- VBE

Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V

IT03432

100

50

0

350

150

200

250

300

2SC4976

VCE=10V