BPX 65

BPX 66

Semiconductor Group

342

Silizium-PIN-Fotodiode

Silicon PIN Photodiode

Wesentliche Merkmale

q

Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 350 nm bis 1100 nm

q

BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit

q

BPX 66: Sperrstromarm (typ. 150 pA)

q

Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18),

Anwendungen

q

schneller optischer Empfänger mit gro

βer

Modulationsbandbreite

Features

q

Especially suitable for applications from

350 nm to 1100 nm

q

BPX 65: high photosensitivity

q

BPX 66: low reverse current (typ. 150 pA)

q

Hermetically sealed metal package (TO-18),

Applications

q

Fast optical sensor of high modulation

bandwidth

BPX 65

BPX 66

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

Gehäuse

Package

BPX 65

Q62702-P27

18 A3 DIN 41870, planes Glasfenster, hermetisch

dichtes Gehäuse, Lötspie

βe im 2.54-mm-Raster

boden

18 A3 DIN 41870, flat glass lens, hermetically

spacing, anode marking: projection at package bot-

tom

BPX 66

Q62702-P80

Ma

βe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

10.95