FX2000A ... FX2000G

FX2000A ... FX2000G

Superfast Silicon Rectifier Diodes

Superschnelle Silizium-Gleichrichterdioden

Version 2013-06-28

Dimensions - Maße [mm]

Nominal Current

Nennstrom

20 A

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

50...400 V

Plastic case

Kunststoffgehäuse

Ø 8 x 7.5 [mm]

Weight approx.

Gewicht ca.

2.0 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

Maximum ratings

Grenzwerte

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

FX2000A

50

50

FX2000B

100

100

FX2000D

200

200

FX2000F

300

300

FX2000G

400

400

Max. average forward rectified current, R-load

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

20 A 1)

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

f > 15 Hz

Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle

650/715 A

Rating for fusing, t < 10 ms

Grenzlastintegral, t < 10 ms

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb

-50...+150°C

+200°C

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-50...+175°C

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Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

© Diotec Semiconductor AG

http://www.diotec.com/

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