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Hersteller


2N7002W Datenblatt, PDF

Suche Teilenummer : entspricht Summe, beginnt mit Summe "2N7002W" - Total : 66 ( 1/4 Page)
HerstellerTeilenummerDatenblattBauteilbeschribung
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Diodes Incorporated		 2N7002W DIODES-2N7002W Datasheet
68Kb/3P 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DS30099 Rev. 4P-1
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ON Semiconductor		 2N7002W ONSEMI-2N7002W Datasheet
71Kb/5P 		Small Signal MOSFET
April, 2015 ??Rev. 6
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Diodes Incorporated		 2N7002W DIODES-2N7002W Datasheet
81Kb/3P 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DS30099 Rev. 9 - 2
2N7002W DIODES-2N7002W Datasheet
127Kb/3P 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DS30099 Rev. 14 - 2
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ON Semiconductor		 2N7002W ONSEMI-2N7002W Datasheet
107Kb/5P 		Small Signal MOSFET 60 V, 340 mA, Single, N?묬hannel, SC??0
April, 2007 ??Rev. 2
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Fairchild Semiconductor		 2N7002W FAIRCHILD-2N7002W Datasheet
266Kb/6P 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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SeCoS Halbleitertechnol...		 2N7002W SECOS-2N7002W Datasheet
332Kb/3P 		Small Signal MOSFET
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TRANSYS Electronics Lim...		 2N7002W TEL-2N7002W Datasheet
112Kb/1P 		Plastic-Encapsulated Transistors
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Micro Commercial Compon...		 2N7002W MCC-2N7002W Datasheet
94Kb/4P 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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Pan Jit International I...		 2N7002W PANJIT-2N7002W Datasheet
161Kb/5P 		60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Unisonic Technologies		 2N7002W UTC-2N7002W Datasheet
158Kb/3P 		300m Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
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Micro Commercial Compon...		 2N7002W MCC-2N7002W Datasheet
187Kb/4P 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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Unisonic Technologies		 2N7002W UTC-2N7002W Datasheet
158Kb/3P 		300mA, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET
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Micro Commercial Compon...		 2N7002W MCC-2N7002W Datasheet
216Kb/4P 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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TECH PUBLIC Electronics...		 2N7002W TECHPUBLIC-2N7002W Datasheet
1Mb/5P 		N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Formosa MS		 2N7002W FORMOSA-2N7002W Datasheet
121Kb/9P 		SMD MOSFET
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Yangzhou yangjie electr...		 2N7002W YANGJIE-2N7002W Datasheet
624Kb/6P 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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Micro Commercial Compon...		 2N7002W MCC-2N7002W Datasheet
196Kb/4P 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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Weitron Technology		 2N7002W WEITRON-2N7002W Datasheet
104Kb/4P 		N-Channel MOSFET
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Fairchild Semiconductor		 2N7002W FAIRCHILD-2N7002W Datasheet
297Kb/6P 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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2N7002W Datenblatt, PDF [Verteiler]

VerteilerTeilenummer Hersteller
Datenblatt		BauteilbeschribungBuy Now
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Element14		 2N7002W

part		 ONSEMI

 FETS - SINGLE; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
2N7002W

part		 ONSEMI

 MOSFET, N-CH, 78V, 0.115A, SOT-323-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:115...

2N7002W Verteiler
VerteilerTeilenummerHerstellerBauteilbeschribungPriceQty.
BuyNow



Kurze Beschreibung von 2N7002W

Das 2N7002W ist ein spezifisches Modell eines N-Kanal-MOSFET (Metal-Oxid-Semiconductor-Feld-Effekt-Transistor). MOSFETs werden in elektronischen Schaltungen häufig verwendet, um elektronische Signale zu steuern und zu verstärken. Der 2N7002W ist für Anwendungen mit geringer Leistung ausgelegt und wird üblicherweise zum Schalten und Verstärkerzweck verwendet.

Hier sind einige wichtige Spezifikationen des 2N7002W MOSFET:

Transistorentyp: N-Kanal-MOSFET
Maximale Drain-Source-Spannung (VDS): 60 V
Maximale Gate-Source-Spannung (VGS): ± 20 V
Maximaler kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 115 mA
Maximale Leistung (PD): 360 MW
Schwellenspannung (VTH): Typischerweise um 1,5 V
On-Resistenz (RDS (ON)): Typischerweise bei VGS = 4,5 V um 5 Ω

Das 2N7002W-MOSFET wird üblicherweise für Anwendungen mit niedrigen Voltschaltanwendungen verwendet. Es bietet eine Spannung mit niedrigem Schwellenwert, was bedeutet, dass sie leicht durch niedrige Spannungssignale gesteuert werden kann. Die vorbeständige Anlage ist relativ niedrig, was einen effizienten Schaltvorgang ermöglicht.

Das W im Modellnamen zeigt typischerweise an, dass das MOSFET für die Oberflächenmontechnologie (SMT) ausgelegt ist und in einem kleinen Umrisspaket (SOT-323 oder ähnlich) erhältlich ist.

Äquivalent für 2N7002W

Der 2N7002W ist ein spezifischer Typ des N-Kanal-MOSFET (Field-Effect-Transistor), der üblicherweise in Schaltanwendungen mit geringer Leistung verwendet wird. Während ein genauer Ersatz mit derselben Teilenummer möglicherweise nicht ohne weiteres verfügbar ist, können alternative Optionen berücksichtigt werden. Hier sind einige potenzielle Ersetzungen für das 2N7002W MOSFET:

BS170: Der BS170 ist ein N-Kanal-MOSFET mit einem maximalen Abflussstrom von 500 mA und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 60 V. Es hat ähnliche elektrische Eigenschaften wie das 2N7002W und kann in vielen Schaltanwendungen mit geringer Leistung als Ersatz verwendet werden.

BSS138: Der BSS138 ist ein weiteres N-Kanal-MOSFET mit einem maximalen Abflussstrom von 200 mA und einer maximalen Abflussquellenspannung von 50 V. Es wird üblicherweise in Anwendungen mit geringer Leistung verwendet und kann als Ersatz für den 2N7002W in bestimmten Schaltungen angesehen werden.

IRF5305: Der IRF5305 ist ein Leistungsmosfet mit einem maximalen Abflussstrom von 31A und einer maximalen Abflussquellenspannung von 55 V. Während es höhere Stromabwicklungsfunktionen und eine höhere Spannungsbewertung aufweist, kann es dennoch als Ersatz für den 2N7002W verwendet werden, abhängig von den spezifischen Schaltungsanforderungen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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