2SC4793 Datenblatt, PDF - Alldatasheet

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Hersteller

2SC4793 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Toshiba Semiconductor	2SC4793	147Kb/2P	NPN EPITAXIAL TYPE (POWER AMPLIFIER, DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS)
Unisonic Technologies	2SC4793	46Kb/4P	NPN SILICON TRANSISTOR
Savantic, Inc.	2SC4793	246Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
Quanzhou Jinmei Electro...	2SC4793	44Kb/3P	Silicon NPN Power Transistors
Inchange Semiconductor ...	2SC4793	166Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
Unisonic Technologies	2SC4793	52Kb/4P	NPN SILICON TRANSISTOR
Toshiba Semiconductor	2SC4793	131Kb/4P	Power Amplifier Applications
Savantic, Inc.	2SC4793	247Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
JILIN SINO-MICROELECTRO...	2SC4793	219Kb/4P	Power Amplifier Applications
Micro Commercial Compon...	2SC4793	598Kb/3P	NPN Silicon Power Transistors
New Jersey Semi-Conduct...	2SC4793	122Kb/2P	Silicon NPN Power Transistor
Inchange Semiconductor ...	2SC4793	249Kb/2P	isc Silicon NPN Power Transistor
Thinki Semiconductor Co...	2SC4793	504Kb/3P	20 Watt Silicon Epitaxial Planar Process NPN Power Transistor
Toshiba Semiconductor	2SC4793	1Mb/73P	Bipolar Small-Signal Transistors
Quanzhou Jinmei Electro...	2SC4793	44Kb/3P	Silicon NPN Power Transistors
Unisonic Technologies	2SC4793	52Kb/4P	NPN SILICON TRANSISTOR
Shenzhen Luguang Electr...	2SC4793	1Mb/2P	Silicon NPN Power Transistor
JILIN SINO-MICROELECTRO...	2SC4793-O-MF-N-B	219Kb/4P	Power Amplifier Applications
Unisonic Technologies	2SC4793-TF3-T	46Kb/4P	NPN SILICON TRANSISTOR
Unisonic Technologies	2SC4793-X-TF3-T	52Kb/4P	NPN SILICON TRANSISTOR

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2SC4793 Datenblatt, PDF [Verteiler]

Verteiler	Teilenummer	Hersteller Datenblatt	Bauteilbeschribung	Buy Now
Element14	2SC4738-GR,LF(T	TOSHIBA	TRANS, BIPOLAR, NPN, 50V, 0.15A, SOT-416;
	2SC4738-GR,LF(T	TOSHIBA	TRANS, BIPOLAR, NPN, 50V, 0.15A, SOT-416;

2SC4793 Verteiler

Verteiler	Teilenummer	Hersteller	Bauteilbeschribung	Price	Qty. BuyNow

Kurze Beschreibung von 2SC4793

Der 2SC4793 ist ein Hochgeschwindigkeits-NPN-Bipolar-Junction-Transistor (BJT), der typischerweise in Leistungsverstärker und Hochfrequenzanwendungen verwendet wird. Hier sind die wichtigsten Merkmale und Spezifikationen des 2SC4793:

Transistor-Typ: Der 2SC4793 ist ein Bipolar-Junction-Transistor von NPN, was bedeutet, dass er aus drei Halbleiterschichten besteht: P-Dotier (Basis), N-Dotiert (Emitter) und P-Doped (Kollektor).

Hochspannungsfähigkeit: Der 2SC4793 ist so konzipiert, dass sie relativ hohe Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO) bearbeiten, typischerweise im Bereich von mehreren hundert Volt, so

Hochgeschwindigkeitsumschaltung: Dieser Transistor ist in der Lage, Hochgeschwindigkeitsumschaltungen zu wechseln, sodass er für Hochfrequenzanwendungen wie RF-Verstärker (Funkfrequenz) und Oszillatoren geeignet ist.

Hochleistungsdissipation: Der 2SC4793 kann aufgrund seiner Hochspannungs- und Strombewertungen relativ hohe Leistungsspiegel abgeleitet werden, sodass er in Stromverstärkerschaltungen verwendet werden kann.

Niedrige Sättigungsspannung: Es weist typischerweise eine niedrige Sättigungsspannung (VCE (SAT)) auf, was für die Minimierung von Stromverlusten und die Maximierung der Effizienz bei den Schaltanwendungen wünschenswert ist.

Hochstromverstärkung: Der 2SC4793 hat typischerweise eine hohe Gleichstromverstärkung (HFE), um eine effiziente Verstärkung von Eingangssignalen in Verstärkerschaltungen zu gewährleisten.

TO-220-Paket: Es ist häufig in einem TO-220-Paket erhältlich, das eine gute thermische Leitfähigkeit und mechanische Robustheit bietet, wodurch es für die Verwendung in verschiedenen elektronischen Schaltkreisen und Kühlkörpermontage geeignet ist.

Anwendung: Der 2SC4793 wird üblicherweise in Audioverstärkerschaltungen, Hochfrequenz-HF-Schaltungen, Schaltnetzvorräten und anderen Anwendungen verwendet, die hohe Spannung, Hochgeschwindigkeit und Hochleistungsfunktionen erfordern.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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