BD136 Datenblatt, PDF - Alldatasheet

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Hersteller

BD136 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Motorola, Inc	BD136	104Kb/4P	Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor
List of Unclassifed Man...	BD136	1Mb/14P	GERMANIOVE TRANZISTORY
ON Semiconductor	BD136	42Kb/4P	Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor April, 2005 ??Rev. 12
Fairchild Semiconductor	BD136	47Kb/4P	Medium Power Linear and Switching Applications
NXP Semiconductors	BD136	44Kb/8P	PNP power transistors 1999 Apr 12
KEC(Korea Electronics)	BD136	69Kb/1P	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
Foshan Blue Rocket Elec...	BD136	751Kb/6P	Silicon PNP transistor in a TO-126F Plastic Package.
STMicroelectronics	BD136	44Kb/4P	PNP SILICON TRANSISTORS
Inchange Semiconductor ...	BD136	133Kb/3P	Silicon PNP Power Transistors
Jiangsu Changjiang Elec...	BD136	1Mb/4P	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors
Siemens Semiconductor G...	BD136	188Kb/5P	PNP SILICON TRANSISTORS
Comset Semiconductor	BD136	74Kb/3P	SILICON PLANAR EPITAXIAL POWER TRANSISTORS.
SeCoS Halbleitertechnol...	BD136	85Kb/2P	PNP General Purpose Transistor
Fairchild Semiconductor	BD136	41Kb/4P	Medium Power Linear and Switching Applications
Fairchild Semiconductor	BD136	47Kb/4P	Medium Power Linear and Switching Applications
New Jersey Semi-Conduct...	BD136	192Kb/3P	Silicon PNP Power Transistor
STMicroelectronics	BD136	76Kb/4P	PNP SILICON TRANSISTORS
SHENZHEN YONGERJIA INDU...	BD136	126Kb/1P	TRANSISTOR (PNP)
SHENZHEN KOO CHIN ELECT...	BD136	216Kb/2P	TRANSISTOR (PNP)
Unisonic Technologies	BD136	88Kb/2P	PNP SILICON TRANSISTOR

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BD136 Verteiler

Verteiler	Teilenummer	Hersteller	Bauteilbeschribung	Price	Qty. BuyNow

Kurze Beschreibung von BD136

Das BD136 ist eine Teilbezeichnung, die typischerweise für einen NPN -Bipolar -Junction -Transistor (BJT) verwendet wird. Es handelt sich um einen allgemeinen Transistor, der häufig bei Amplifikation und Schaltanwendungen mit geringer Leistung verwendet wird.

Hier sind einige allgemeine Spezifikationen für den BD136 -Transistor:

Maximale Collector-Base-Spannung (VCBO): Typischerweise etwa 45 Volt
Maximale Sammler-Emitter-Spannung (VCEO): Typischerweise etwa 45 Volt
Maximale Emitterbasisspannung (VEBO): Typischerweise etwa 5 Volt
Maximaler Kollektorstrom (IC): Typischerweise etwa 1,5 Ampere
Maximal Power Dissipation (PD): Typischerweise etwa 12,5 Watt
Pakettyp: In der Regel bis 126 (ein weit verbreitetes Durchleitungspaket)
Der BD136-Transistor wird üblicherweise in Anwendungen wie Audioverstärkern, Schaltschaltkreisen und allgemeinen Anwendungen mit geringer Leistung verwendet.

Äquivalent für BD136

Ein geeigneter Ersatz für den BD136 -Transistor ist der TIP31. Der TIP31 ist ein ergänzender NPN -Transistor, der in vielen Anwendungen als Ersatz für den BD136 dienen kann.

Hier sind einige wichtige Ähnlichkeiten zwischen den BD136- und TIP31 -Transistoren:

Transistortyp: Sowohl die BD136- als auch die TIP31 -Transistoren sind NPN -Bipolarübergangtransistoren (BJTs).

Spannungs- und Stromwerte: Die Spannungs- und Strombewertungen der BD136 und TIP31 sind vergleichbar. Beide Transistoren haben einen ähnlichen maximalen Kollektorstrom (IC) und maximale Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO).

Paketyp: Die Transistoren BD136 und TIP31 sind in der Regel im gleichen Paketart erhältlich, z. B. TO-220 oder TO-126. Diese Pakete werden üblicherweise verwendet und bieten eine gute Wärmeabteilung.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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