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Hersteller


BS170 Datenblatt, PDF

Suche Teilenummer : entspricht Summe, beginnt mit Summe "BS170" - Total : 55 ( 1/3 Page)
HerstellerTeilenummerDatenblattBauteilbeschribung
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Vishay Siliconix		 BS170 VISHAY-BS170 Datasheet
64Kb/6P 		N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
16-Jul-01
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NXP Semiconductors		 BS170 PHILIPS-BS170 Datasheet
49Kb/8P 		N-channel vertical D-MOS transistor
April 1995
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Vishay Siliconix		 BS170 VISHAY-BS170 Datasheet
51Kb/5P 		N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
16-Jul-01
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ON Semiconductor		 BS170 ONSEMI-BS170 Datasheet
1Mb/16P 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
March 2010 Rev. E2
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Vishay Siliconix		 BS170 VISHAY-BS170 Datasheet
68Kb/7P 		N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
16-Jul-01
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Diodes Incorporated		 BS170 DIODES-BS170 Datasheet
66Kb/2P 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR
DS21802 Rev. D-3
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General Semiconductor		 BS170 GE-BS170 Datasheet
233Kb/5P 		DMOS Transistors (N-Channel)
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ON Semiconductor		 BS170 ONSEMI-BS170 Datasheet
52Kb/4P 		Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET
April, 2004 ??Rev. 4
BS170 ONSEMI-BS170 Datasheet
57Kb/4P 		Small Signal MOSFET 500 mA, 60 Volts N?묬hannel TO??2 (TO??26)
August, 2005 ??Rev. 5
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Vishay Siliconix		 BS170 VISHAY-BS170 Datasheet
64Kb/6P 		N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
16-Jul-01
BS170 VISHAY-BS170 Datasheet
64Kb/6P 		N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
16-Jul-01
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Fairchild Semiconductor		 BS170 FAIRCHILD-BS170 Datasheet
517Kb/13P 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
BS170 FAIRCHILD-BS170 Datasheet
75Kb/5P 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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Motorola, Inc		 BS170 MOTOROLA-BS170 Datasheet
77Kb/4P 		TMOS FET Switching(N-Channel-Enhancement)
logo
SYC Electronica		 BS170 SYC-BS170 Datasheet
1Mb/13P 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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Siemens Semiconductor G...		 BS170 SIEMENS-BS170 Datasheet
77Kb/7P 		SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)
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Diodes Incorporated		 BS170F DIODES-BS170F Datasheet
26Kb/1P 		60Volt VDS
JANUARY 1996
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List of Unclassifed Man...		 BS170F ETC1-BS170F Datasheet
23Kb/1P 		SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
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Diodes Incorporated		 BS170FTA DIODES-BS170FTA Datasheet
29Kb/1P 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
JANUARY 1996
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VBsemi Electronics Co.,...		 BS170FTA VBSEMI-BS170FTA Datasheet
1Mb/8P 		N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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BS170 Datenblatt, PDF [Verteiler]

VerteilerTeilenummer Hersteller
Datenblatt		BauteilbeschribungBuy Now
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Element14		 BS170G

part		 ONSEMI

 MOSFET, N, TO-92; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:500mA; Drain Source Vol...
BS170..

part		 VISHAY

 TRANSISTOR JFET POLARITY N; Breakdown Voltage Vbr:-; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:-; Zer...

BS170 Verteiler
VerteilerTeilenummerHerstellerBauteilbeschribungPriceQty.
BuyNow



Kurze Beschreibung von BS170

Der BS170 ist ein Kleinsignal-N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der häufig in stromsparenden Schalt-, Signalverstärkungs- und digitalen Schnittstellenanwendungen eingesetzt wird. Der BS170 wird von verschiedenen Halbleiterherstellern, darunter ON Semiconductor und Fairchild, hergestellt und ist bei Bastlern und Ingenieuren aufgrund seiner Einfachheit, Erschwinglichkeit und Vielseitigkeit in analogen und digitalen Schaltungen beliebt.

Der BS170 ist für eine Drain-Source-Spannung (VDS) von 60 V ausgelegt und kann Dauer-Drain-Ströme bis zu 500 mA verarbeiten. Damit eignet er sich zum Schalten kleiner Lasten wie LEDs, Relais und Motoren mit geringer Leistung. Er verfügt über eine niedrige Gate-Schwellenspannung von typischerweise etwa 2 V bis 3 V, sodass er direkt über Logikpegelsignale von Mikrocontrollern wie Arduino oder Raspberry Pi angesteuert werden kann. Der Einschaltwiderstand (RDS(on)) ist niedrig genug, um Spannungsabfälle und Leistungsverluste in Anwendungen mit geringem Stromverbrauch minimal zu halten.

Der BS170 ist in einem kompakten TO-92-Durchsteckgehäuse untergebracht und lässt sich problemlos in Steckplatinen und Prototypen integrieren. Er wird häufig in Schaltungen eingesetzt, bei denen hohe Schaltgeschwindigkeiten, niedriger Gate-Ansteuerstrom und kompakte Abmessungen gefragt sind, darunter Pegelwandler, digitale Ausgänge und einfache Leistungsregelungsschaltungen.

Der BS170 ist ein zuverlässiger und vielseitiger Kleinsignal-MOSFET und bietet eine kostengünstige Lösung für stromsparende Schalt- und Signalverarbeitungsaufgaben in einer Vielzahl von Elektronikprojekten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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