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IRF640N Datenblatt, PDF

Suche Teilenummer : entspricht Summe, beginnt mit Summe "IRF640N" - Total : 34 ( 1/2 Page)
HerstellerTeilenummerDatenblattBauteilbeschribung
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International Rectifier		 IRF640N IRF-IRF640N Datasheet
155Kb/11P 		Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A)
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Fairchild Semiconductor		 IRF640N FAIRCHILD-IRF640N Datasheet
160Kb/11P 		N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm
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International Rectifier		 IRF640N IRF-IRF640N Datasheet
240Kb/11P 		HEXFET Power MOSFET
IRF640N IRF-IRF640N Datasheet
248Kb/12P 		Advanced Process Technology
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Inchange Semiconductor ...		 IRF640N ISC-IRF640N Datasheet
201Kb/2P 		N-Channel MOSFET Transistor
IRF640N ISC-IRF640N Datasheet
338Kb/2P 		N-Channel MOSFET Transistor
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240Kb/11P 		HEXFET Power MOSFET
IRF640NL IRF-IRF640NL Datasheet
248Kb/12P 		Advanced Process Technology
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Kersemi Electronic Co.,...		 IRF640NL KERSEMI-IRF640NL Datasheet
1Mb/11P 		Advanced Process Technology
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288Kb/2P 		Isc N-Channel MOSFET Transistor
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International Rectifier		 IRF640NLPBF IRF-IRF640NLPBF Datasheet
300Kb/12P 		HEXFET짰 Power MOSFET
IRF640NLPBF IRF-IRF640NLPBF Datasheet
341Kb/11P 		Advanced Process Technology
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Kersemi Electronic Co.,...		 IRF640NLPBF KERSEMI-IRF640NLPBF Datasheet
8Mb/11P 		Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175 Operating Temperature
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341Kb/11P 		Advanced Process Technology
IRF640NPBF IRF-IRF640NPBF Datasheet
300Kb/12P 		HEXFET짰 Power MOSFET
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IRF640N Datenblatt, PDF [Verteiler]

VerteilerTeilenummer Hersteller
Datenblatt		BauteilbeschribungBuy Now
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Element14		 IRF640NSPBF

part		 INFINEON

 MOSFET, N, 200V, 18A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain ...

IRF640N Verteiler
VerteilerTeilenummerHerstellerBauteilbeschribungPriceQty.
BuyNow



Kurze Beschreibung von IRF640N

Der IRF640N ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor), der für schnelles Schalten und effiziente Leistungshandhabung in einer Vielzahl elektronischer Schaltungen entwickelt wurde. Der IRF640N wird von International Rectifier (jetzt Teil von Infineon Technologies) hergestellt und findet breite Anwendung in Anwendungen wie Stromversorgungen, Motortreibern, DC/DC-Wandlern und Wechselrichtern.

Dieser MOSFET ist für hohe Spannungen und Ströme geeignet. Mit einer Drain-Source-Spannung (VDS) von 200 V, einem kontinuierlichen Drain-Strom (ID) von bis zu 18 A und einem niedrigen Durchlasswiderstand (RDS(on)) von ca. 0,18 Ohm eignet er sich für Anwendungen mit mittlerer bis hoher Leistung. Er zeichnet sich außerdem durch eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine geringe Gate-Ladung aus, was einen effizienten Hochfrequenzbetrieb ermöglicht.

Der IRF640N ist typischerweise im TO-220-Gehäuse untergebracht, das eine gute Wärmeableitung und eine einfache Wärmeableitung bei der Montage auf Leiterplatten ermöglicht. Er wird häufig in Schaltungen eingesetzt, die eine effiziente Leistungsregelung und -schaltung erfordern, insbesondere in Umgebungen mit hohem Spannungs- und mittlerem Strombedarf.

Der IRF640N ist ein langlebiger und zuverlässiger Leistungs-MOSFET, der hervorragende Leistung für Schalt- und Verstärkungsaufgaben in der Industrie- und Unterhaltungselektronik bietet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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