2N3906 Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

2N3906 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
ON Semiconductor	2N3906	145Kb/6P	General Purpose Transistors(PNP Silicon) 1996 REV 2
NXP Semiconductors	2N3906	46Kb/8P	PNP switching transistor 1999 Apr 23
SEMTECH ELECTRONICS LTD...	2N3906	151Kb/3P	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
Rohm	2N3906	169Kb/4P	PNP General Purpose Transistor
Semtech Corporation	2N3906	171Kb/3P	NPN Silicon Expitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications?
ON Semiconductor	2N3906	421Kb/13P	PNP General-Purpose Amplifier April 2014 Rev. 1.2.2
General Semiconductor	2N3906	113Kb/3P	SMALL SIGNAL TRANSISTORS PNP
Analog Devices	2N3906	2Mb/13P	Analog Devices Wiki 7/12/22
Diodes Incorporated	2N3906	68Kb/3P	PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR Rev K-3
ON Semiconductor	2N3906	179Kb/7P	General Purpose Transistors February, 2010 ??Rev. 4
	2N3906	81Kb/7P	General Purpose Transistors PNP Silicon March, 2007 ??Rev. 3
	2N3906	101Kb/8P	General Purpose Transistors November, 2001 ??Rev. 0
STMicroelectronics	2N3906	45Kb/5P	SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR Feb-2003
Central Semiconductor C...	2N3906	56Kb/1P	Small Signal Transistors
Diotec Semiconductor	2N3906	99Kb/2P	Si-Epitaxial PlanarTransistors
Weitron Technology	2N3906	569Kb/4P	PNP General Purpose Transistors
AUK corp	2N3906	52Kb/3P	PNP Silicon Transistor (General small signal application Switching application)
Unisonic Technologies	2N3906	106Kb/3P	GENERAL PURPOSE APPLIATION
Fairchild Semiconductor	2N3906	98Kb/6P	PNP General Purpose Amplifier
Pan Jit International I...	2N3906	157Kb/4P	PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR

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Kurze Beschreibung von 2N3906

2N3906 ist ein PNP -Bipolar -Junction -Transistor (BJT), das üblicherweise als Schalt- oder Verstärkungsgerät in elektronischen Schaltungen verwendet wird. Es ist ein Transistor mit geringer Leistung, der weit verbreitet und erschwinglich ist.

Der 2N3906-Transistor hat eine maximale Spannung von Collector-Emitter von 40 V und einen maximalen Sammlerstrom von 200 mA. Es ist in verschiedenen Paketen durch Lochpakete erhältlich, einschließlich des beliebten Pakets von 92.

Aufgrund seiner Bewertung mit geringer Leistung und seinem Niederfrequenzgang wird der 2N3906-Transistor typischerweise bei Schalt- und Verstärkungsanwendungen mit geringer Leistung verwendet, z.

Bei der Verwendung des Transistors 2N3906 oder einem anderen BJT in einer Schaltung ist es wichtig, auf die Pinbelegungs- und Betriebsparameter zu achten, um sicherzustellen, dass er ordnungsgemäß voreingenommen ist und innerhalb seiner sicheren Betriebsgrenzen arbeitet.

Äquivalent für 2N3906

Der 2N3906 ist ein weit verbreiteter PNP-Bipolar-Junction-Transistor (BJT) mit einer maximalen Kollektorstroms von 200 mA und einer maximalen Spannung mit Collector-Emitter-Spannung von 40 V. Wenn Sie einen 2N3906 -Transistor ersetzen müssen, finden Sie hier einige Optionen, die Sie in Betracht ziehen können:

BC327: Dies ist ein PNP-BJT mit einer ähnlichen maximalen Kollektorstroms von 500 mA und einer maximalen Collector-Emitter-Spannung von 45 V. Es ist ein beliebter Ersatz für den 2N3906 -Transistor in vielen Anwendungen.

2N4403: Dies ist ein weiterer PNP-BJT mit einer maximalen Kollektorstroms von 600 mA und einer maximalen Collector-Emitter-Spannung von 40 V. Es ist auch ein häufig verwendeter Ersatz für den 2N3906 -Transistor.

MPSA42: Dies ist eine Hochspannungs-PNP-BJT mit einer maximalen Collector-Emitter-Spannung von 300 V und einer maximalen Kollektorstroms von 500 mA. Es kann als Ersatz für den 2N3906 -Transistor in Anwendungen verwendet werden, bei denen eine höhere Spannungsfähigkeit erforderlich ist.

S9013: Dies ist ein PNP-BJT mit niedriger Spannung mit einer maximalen Collector-Emitter-Spannung von 40 V und einem maximalen Sammlerstrom von 500 mA. Es ist auch ein potenzieller Ersatz für den 2N3906 -Transistor in einigen Anwendungen mit niedriger Spannung.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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