2N4403 Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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beinhaltet	No Data

Hersteller

2N4403 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
ON Semiconductor	2N4403	297Kb/6P	General Purpose Transistors(PNP Silicon) 1996
Rohm	2N4403	40Kb/1P	PNP Medium Power Transistor (Switching)
Semtech Corporation	2N4403	209Kb/3P	PNP EXPITAXIAL SILICON TRANSISTOR?
SEMTECH ELECTRONICS LTD...	2N4403	333Kb/5P	PNP Epitaxial Silicon Transistor
General Semiconductor	2N4403	98Kb/3P	SMALL SIGNAL TRANSISTORS (PNP)
ON Semiconductor	2N4403	118Kb/7P	General Purpose Transistors PNP Silicon March, 2007 ??Rev. 3
Vishay Siliconix	2N4403	33Kb/3P	Small Signal Transistor (PNP) 08-May-02
Rohm	2N4403	90Kb/4P	PNP Medium Power Transistor (Switching)
ON Semiconductor	2N4403	106Kb/7P	General Purpose Transistors March, 2007 ??Rev. 3
Central Semiconductor C...	2N4403	59Kb/1P	Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued)
Continental Device Indi...	2N4403	153Kb/6P	NPN PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
Diotec Semiconductor	2N4403	97Kb/2P	Si-Epitaxial PlanarTransistors
Micro Electronics	2N4403	189Kb/2P	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
Weitron Technology	2N4403	212Kb/7P	General Purpose Transistors PNP Silicon
Fairchild Semiconductor	2N4403	316Kb/9P	Small Signal General Purpose Amplifiers & Switchs
Micro Commercial Compon...	2N4403	85Kb/3P	PNP General Purpose Amplifier
Unisonic Technologies	2N4403	108Kb/5P	PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
Pan Jit International I...	2N4403	197Kb/4P	PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
TRANSYS Electronics Lim...	2N4403	66Kb/1P	Plastic-Encapsulated Transistors
Multicomp Pro	2N4403	1,012Kb/6P	General Purpose Switching Transistors 31/05/05 V1.0

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Kurze Beschreibung von 2N4403

Das 2N4403 ist eine Teilbezeichnung, die typischerweise für einen PNP -Bipolar -Junction -Transistor (BJT) verwendet wird. Es ist ein allgemeiner Transistor, der üblicherweise für Schalt- und Verstärkungsschaltungen verwendet wird.

Hier sind einige allgemeine Spezifikationen für den 2N4403 -Transistor:

Maximale Collector-Base-Spannung (VCBO): Typischerweise etwa 40 Volt
Maximale Sammler-Emitter-Spannung (VCEO): Typischerweise etwa 40 Volt
Maximale Emitterbasisspannung (VEBO): Typischerweise etwa 5 Volt
Maximaler Sammlerstrom (IC): Typischerweise ca. 600 mA
Maximal Power Dissipation (PD): Typischerweise um 625 MW
Pakettyp: In der Regel bis 92 (ein weit verbreitetes Durchlochpaket)
Der 2N4403 wird üblicherweise als komplementäres Paar mit dem NPN -Transistor 2N4401 in verschiedenen Schaltungskonfigurationen verwendet.

Äquivalent für 2N4403

2N4403 ist ein PNP-Bipolar-Junction-Transistor mit einem maximalen Kollektorstrom von 600 mA, einer maximalen Sammler-Emitter-Spannung von 40 V und einer maximalen Leistung von 625 MW. Wenn Sie nach einem Ersatz für diesen Transistor suchen, können Sie die folgenden Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen berücksichtigen:

BC327 - Dies ist ein PNP -Bipolar -Junction -Transistor mit einem maximalen Kollektorstrom von 800 mA, einer maximalen Sammler -Emitter -Spannung von 45 V und einer maximalen Stromversorgung von 625 MW. Es hat ähnliche elektrische Eigenschaften wie das 2N4403 und ist in einem Durchleitungspaket erhältlich.

2N3906 - Dies ist ein PNP -Bipolarübergangstransistor mit einem maximalen Kollektorstrom von 200 mA, einer maximalen Sammler -Emitter -Spannung von 40 V und einer maximalen Leistung von 625 MW. Es hat ähnliche elektrische Eigenschaften wie das 2N4403 und ist in einem Durchschnitts- oder Oberflächenmontagepaket erhältlich.

S9013 - Dies ist ein PNP -Bipolar -Übergang -Transistor mit einem maximalen Kollektorstrom von 500 mA, einer maximalen Sammler -Emitter -Spannung von 40 V und einer maximalen Leistung von 625 MW. Es hat ähnliche elektrische Eigenschaften wie das 2N4403 und ist in einem Durchschnitts- oder Oberflächenmontagepaket erhältlich.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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