2N60 Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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entspricht, ähnlich	82N60(1) 22N60(2) 12N60(15) 2N60(23) L2N60(1) I2N60(7) F2N60(7) B2N60(6) D2N60(6) E2N60(6) 2N60A(1) 2N60B(1) 2N60D(1) 2N60E(1) 2N60F(1) 2N60G(1) 2N60H(1) 2N60I(1) 2N60K(2) 2N60L(2) 2N60M(1) 2N60N(1) 2N60P(1) 2N60S(1) 2N60T(1) 2N60Z(1)
beginnt mit	2N60(944) 2N60-(20) 2N602(54) 2N603(118) 2N604(100) 2N605(137) 2N606(10) 2N607(103) 2N608(18) 2N609(26) 2N60A(1) 2N60B(1) 2N60D(7) 2N60E(3) 2N60F(4) 2N60G(70) 2N60H(1) 2N60K(62) 2N60L(164) 2N60M(6) 2N60N(3) 2N60Z(18)
endet mit	2N60(288) 02N60(35) D2N60(24) 12N60(62) F2N60(22) U2N60(15) B2N60(4) I2N60(6) P2N60(17) S2N60(3) 32N60(4) V2N60(2) T2N60(5) M2N60(4) 42N60(1) R2N60(3) W2N60(3) L2N60(4) 22N60(9) Q2N60(1) 72N60(2) J2N60(2) A2N60(1) Y2N60(2) X2N60(1) E2N60(1) K2N60(1) 82N60(1) *52N60(2)
beinhaltet	2N60(1102) 2N60A(3) 2N60C(2) 2N60D(2) 2N60G(18) 2N60H(9) 2N60K(7) 2N60L(18) 2N60S(6) 2N60_(6)

Hersteller

2N60 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Unisonic Technologies	2N60	142Kb/8P	2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET
Estek Electronics Co. L...	2N60	573Kb/5P	N2 Amps竊?00Volts N-Channel MOSFET
Unisonic Technologies	2N60	224Kb/6P	2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
Unisonic Technologies	2N60	245Kb/6P	2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET
Nell Semiconductor Co.,...	2N60	391Kb/8P	N-Channel Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	2N60	157Kb/2P	Fast Switching
Chongqing Pingwei Enter...	2N60	201Kb/2P	2A mps,600 Volts N-CHANNEL MOSFET
DIYI Electronic Technol...	2N60	1Mb/9P	600V N-Channel Power MOSFET
Zibo Seno Electronic En...	2N60	450Kb/6P	N-CHANNEL MOSFET
Inchange Semiconductor ...	2N60	316Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
SUNMATE electronic Co.,...	2N60	2Mb/8P	N-CHANNEL POWER MOSFET
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	2N60	389Kb/7P	N-CHANNEL MOSFET
VBsemi Electronics Co.,...	2N60	1Mb/9P	Power MOSFET
Jiangsu High diode Semi...	2N60	2Mb/3P	TO-251 Plastic-Encapsulate MOSFET
Guangdong Kexin Industr...	2N60	60Kb/2P	N-Channel MOSFET
Jiangsu Donghai Semicon...	2N60	1Mb/13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	2N60	1Mb/13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	2N60	1Mb/13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	2N60	1Mb/13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	2N60	1Mb/13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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Kurze Beschreibung von 2N60

Der 2N60 ist ein N-Kanal-MOSFET, das für Hochspannungsstromanwendungen optimiert ist und Funktionen wie schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung und niedriger Widerstand im Zustand anbietet. Es ist auch so konzipiert, dass es rohe Lawinenbedingungen standhält. Diese Merkmale machen es üblicherweise in Netzteilen, PWM -Motorsteuerungen, DC -DC -Konvertern und Brückenschaltungen verwendet.

Hier finden Sie eine Zusammenfassung der Eigenschaften der 2.N60:

Abtropfen auf die Quellspannung (V_DSS): Sie können bis zu 600 V tolerieren, was die maximale Spannung zwischen dem Abfluss und der Quelle ist, wenn das MOSFET ausgeschaltet ist.

Gate to Quellspannung (V_GSS): Es unterstützt ein Tor zur Quellspannung von ± 30 V.

Abflussstrom (I_D): Der 2N60 kann einen Abflussstrom von 2a aufrechterhalten, was den maximalen Strom angibt, der kontinuierlich durch den Abflussanschluss fließen kann.

Leistungsdissipation (P_D): Es hat eine Leistungsdissipation von 23 W, die vorschreibt, wie viel Strom erledigt werden kann, bevor die maximale Anschlusstemperatur überschreitet.

Anschlusstemperatur (T_J): Die Betriebsübergangstemperatur kann bis zu 150 ° C erreichen.

Lagertemperatur (T_STG): Die Komponente kann bei Temperaturen im Bereich von -55 bis +150 ° C gelagert werden.

Für spezifische Implementierungen bietet das Gerät eine niedrige On-Resistenz von 3,8 Ω bei einem V_GS von 10 V. Die niedrige Gate -Ladung (typisch bei 9,0 nc) und die niedrige Rückübertragungskapazität (CRSS = typisch 5.0 PF) erleichtern das schnelle Schalten und eine verbesserte Effizienz. Diese Spezifikationen sind darauf ausgerichtet, dass das MOSFET die erforderliche Leistung bei Stromverwaltungsaufgaben mit Effizienz und Zuverlässigkeit liefern kann.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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