2N6027 Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

2N6027 Datenblatt, PDF

Suche Teilenummer : entspricht Summe, beginnt mit Summe "2N6027" - Total : 23 ( 1/2 Page)

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
ON Semiconductor	2N6027	148Kb/8P	Programmable Unijunction Transistor May, 2000 ??Rev. 2
ON Semiconductor	2N6027	77Kb/6P	Programmable Unijunction Transistor May, 2006 ??Rev.6
Central Semiconductor C...	2N6027	177Kb/4P	MU4893
New Jersey Semi-Conduct...	2N6027	140Kb/1P	SILICON PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTORS
Digitron Semiconductors	2N6027	987Kb/4P	PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTORS
Unisonic Technologies	2N6027	141Kb/3P	PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR
List of Unclassifed Man...	2N6027	177Kb/6P	PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR
ON Semiconductor	2N6027G	148Kb/8P	Programmable Unijunction Transistor May, 2000 ??Rev. 2
ON Semiconductor	2N6027G	77Kb/6P	Programmable Unijunction Transistor May, 2006 ??Rev.6
Unisonic Technologies	2N6027G-T92-B	141Kb/3P	PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR
Unisonic Technologies	2N6027L-T92-B	141Kb/3P	PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR
ON Semiconductor	2N6027RL1	148Kb/8P	Programmable Unijunction Transistor May, 2000 ??Rev. 2
	2N6027RL1	77Kb/6P	Programmable Unijunction Transistor May, 2006 ??Rev.6
	2N6027RL1G	148Kb/8P	Programmable Unijunction Transistor May, 2000 ??Rev. 2
	2N6027RL1G	77Kb/6P	Programmable Unijunction Transistor May, 2006 ??Rev.6
	2N6027RLRA	148Kb/8P	Programmable Unijunction Transistor May, 2000 ??Rev. 2
	2N6027RLRA	77Kb/6P	Programmable Unijunction Transistor May, 2006 ??Rev.6
	2N6027RLRAG	148Kb/8P	Programmable Unijunction Transistor May, 2000 ??Rev. 2
	2N6027RLRAG	77Kb/6P	Programmable Unijunction Transistor May, 2006 ??Rev.6
	2N6027RLRM	148Kb/8P	Programmable Unijunction Transistor May, 2000 ??Rev. 2

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Kurze Beschreibung von 2N6027

Der 2N6027 ist ein programmierbarer Unijunction-Transistor (PUT), was bedeutet, dass er so konzipiert ist, dass er seine Unijunction-Eigenschaften wie den Zwischenbasiswiderstand (R_BB), das intrinsische Abstandsverhältnis (η), den Talstrom (IV) und den Spitzenpunktstrom (IP) aufweist. durch Auswahl zweier Widerstandswerte programmiert. Es wird häufig in Triggerschaltungen für Thyristoren, Oszillatoren, Impulserzeugungs- und Zeitschaltkreisen verwendet.

Zu den Hauptmerkmalen gehören:

Programmierbarkeit der Unijunction-Eigenschaften.
Niedrige Spannung im eingeschalteten Zustand, typischerweise nicht mehr als 1,5 V bei 50 mA Durchlassstrom.
Sehr geringer Gate-Anoden-Leckstrom, nicht mehr als 10 nA.
Hohe Spitzenausgangsspannung mit einem typischen Wert um 11 V.
Niedrige Offsetspannung, typisch etwa 0,35 V, wenn ein 10-kΩ-Widerstand als RG verwendet wird.
Dieses Gerät ist in einem TO-92-Gehäuse erhältlich, das für Anwendungen mit hohem Volumen geeignet ist und aufgrund seiner Kompatibilität und Größe in automatischen Einfügungsgeräten verwendet werden kann.

Für Anwendungen, bei denen ein Anoden-Gate verfügbar ist, kann der 2N6027 in speziellen Thyristoranwendungen verwendet werden. Es wird auch in bleifreien (Pb) Verpackungen angeboten und ist für umweltbewusste Anwendungen geeignet.

Der 2N6027 wird von Unternehmen wie ON Semiconductor hergestellt und ist für seine Vielseitigkeit bekannt, die es dem Ingenieur ermöglicht, den Transistor durch Auswahl geeigneter externer Widerstände an die erforderlichen Spezifikationen anzupassen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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