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Hersteller

2N7000 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	2N7000	64Kb/6P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 16-Jul-01
NXP Semiconductors	2N7000	76Kb/12P	N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor April 1995
Microchip Technology	2N7000	762Kb/14P	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 02/28/20
ON Semiconductor	2N7000	372Kb/13P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor April, 2024 - Rev. 10
Vishay Siliconix	2N7000	51Kb/5P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 16-Jul-01
Vishay Siliconix	2N7000	68Kb/7P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 16-Jul-01
SEMTECH ELECTRONICS LTD...	2N7000	148Kb/2P	Small Signal MOSFET
General Semiconductor	2N7000	232Kb/5P	DMOS Transistors (N-Channel)
ON Semiconductor	2N7000	60Kb/4P	Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92 November, 2000 ??Rev. 5
Vishay Siliconix	2N7000	64Kb/6P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 16-Jul-01
Diodes Incorporated	2N7000	22Kb/1P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET NOVEMBER 1994
STMicroelectronics	2N7000	383Kb/14P	N-channel 60V - 1.8ohm - 0.35A - SOT23-3L / TO-92 STripFET Power MOSFET 19-Jun-2006
ON Semiconductor	2N7000	57Kb/4P	Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N?묬hannel TO??2 200 mAMPS 60 VOLTS March, 2007 ??Rev. 6
Vishay Siliconix	2N7000	64Kb/6P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 16-Jul-01
STMicroelectronics	2N7000	355Kb/14P	N-channel 60V - 1.8Ω - 0.35A - SOT23-3L / TO-92 STripFET??Power MOSFET 03-Sep-2007
Supertex, Inc	2N7000	524Kb/5P	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
Dc Components	2N7000	216Kb/1P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
SeCoS Halbleitertechnol...	2N7000	358Kb/3P	N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET
Weitron Technology	2N7000	173Kb/4P	Small Signal MOSFET N-Channel
Motorola, Inc	2N7000	77Kb/4P	CASE 29-04, STYLE 22 TO-92 (TO-226AA)

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Kurze Beschreibung von 2N7000

2N7000 ist ein N-Kanal-MOSFET (Metal-Oxid-Sämiener-Feld-Effekt-Transistor), der häufig in elektronischen Schaltungen für verschiedene Anwendungen wie Schalt-, Verstärkungs- und Spannungsregulation verwendet wird.

Der 2N7000 MOSFET hat eine maximale Spannungsbewertung von 60 V und eine maximale Strombewertung von 200 mA. Es hat auch eine niedrige Gate-Schwellenspannung von 2,1 V, was bedeutet, dass es leicht mit Signalen auf niedriger Ebene gesteuert werden kann.

Aufgrund seiner geringen Größe, der geringen Abstandsresistenz und seiner hohen Schaltgeschwindigkeit wird der 2N7000-MOSFET häufig in Anwendungen mit geringer Leistung verwendet, bei denen schnelle Schaltgeschwindigkeiten und Ableitungen mit geringer Leistung wichtig sind. Es wird üblicherweise in Schaltungen verwendet, bei denen Hochgeschwindigkeitssignale wie in LED-Treibern, DC-DC-Konvertierern und Batterieladegeräten gewechselt werden müssen.

Äquivalent für 2N7000

2N7000 ist ein N-Channel-MOSFET-Transistor mit einer maximalen Abfluss-Source-Spannung von 60 V und einem maximalen kontinuierlichen Abflussstrom von 200 mA. Wenn Sie nach einem Ersatz für den 2N7000 suchen, gibt es mehrere Alternativen auf dem Markt. Hier sind einige Optionen, die Sie in Betracht ziehen können:

2N7002: Dies ist ein direkter Ersatz für den 2N7000 mit ähnlichen elektrischen Eigenschaften und PIN -Konfiguration. Es hat eine maximale Drain-Source-Spannung von 60 V und einen maximalen kontinuierlichen Abflussstrom von 270 mA.

BS170: Dies ist ein weiterer N-Kanal-MOSFET-Transistor, der den 2N7000 ersetzen kann. Es hat eine maximale Drain-Source-Spannung von 60 V und einen maximalen kontinuierlichen Abflussstrom von 500 mA, wodurch es für höhere Stromanwendungen geeignet ist.

IRF510: Dies ist ein N-Kanal-MOSFET-Transistor, der auch den 2N7000 ersetzen kann. Es hat eine maximale Drain-Source-Spannung von 100 V und einen maximalen kontinuierlichen Abflussstrom von 5,6a, wodurch es für Hochleistungsanwendungen geeignet ist. Es verfügt jedoch über eine andere PIN -Konfiguration und einen anderen Pakettyp, für den Sie möglicherweise einige Änderungen an Ihrem Layout für das PCB erfordern.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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