2N7002K Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

2N7002K Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	2N7002K	233Kb/3P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 21-Feb-05
Diodes Incorporated	2N7002K	127Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30896 Rev. 2 - 2
NXP Semiconductors	2N7002K	249Kb/12P	TrenchMOS??logic level FET Rev. 01-20 October 2003
Vishay Siliconix	2N7002K	97Kb/6P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 23-Jun-08
NXP Semiconductors	2N7002K	94Kb/11P	N-channel TrenchMOS FET Rev. 03-25 February 2008
Vishay Siliconix	2N7002K	216Kb/9P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 18-May-09
ON Semiconductor	2N7002K	97Kb/6P	Small Signal MOSFET October, 2016 ??Rev. 15
Vishay Telefunken	2N7002K	219Kb/9P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix	2N7002K	1Mb/8P	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 21-Aug-17
ON Semiconductor	2N7002K	103Kb/6P	Small Signal MOSFET 60 V, 380 mA, Single, N?묬hannel, SOT??3 February, 2013 ??Rev. 11
ON Semiconductor	2N7002K	106Kb/5P	Small Signal MOSFET 60 V, 380 mA, Single, N?묬hannel, SOT??3 July, 2008 ??Rev. 4
Diodes Incorporated	2N7002K	248Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30896 Rev. 3 - 2
Wuxi NCE Power Semicond...	2N7002K	295Kb/7P	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Unisonic Technologies	2N7002K	164Kb/3P	300m Amps, 60 Volts N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SeCoS Halbleitertechnol...	2N7002K	533Kb/4P	N-Ch Small Signal MOSFET with ESD Protection
KEC(Korea Electronics)	2N7002K	74Kb/4P	N Channel MOSFET
Micro Commercial Compon...	2N7002K	392Kb/7P	N-Channel MOSFET
Unisonic Technologies	2N7002K	164Kb/3P	300mA, 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Fairchild Semiconductor	2N7002K	223Kb/6P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Silikron Semiconductor ...	2N7002K	300Kb/5P	Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS

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Kurze Beschreibung von 2N7002K

2N7002K ist ein kleines Signal-N-Kanal-MOSFET-Transistor. MOSFETs werden üblicherweise in elektronischen Schaltungen zum Schalten und Verstärkungsanwendungen verwendet. Der 2N7002K ist für niedrige Spannung und niedrige Stromanwendungen ausgelegt und kann in einer Vielzahl von Schaltungen verwendet werden.

Einige der technischen Spezifikationen des 2N7002K sind:

Maximale Drain-Source-Spannung: 60 V
Maximaler Abflussstrom: 0,29a
Maximale Leistung Dissipation: 0,625W
Gate -Schwellenspannung: 1 V bis 2,5 V
Eingangskapazität: 20PF
Ausgangskapazität: 30pf
Rückwärtsübertragungskapazität: 2.5PF
Paket: SOT-23

Der 2N7002K kann in einer Vielzahl von elektronischen Schaltungen wie Schaltschaltungen, Verstärkern und Netzteilen verwendet werden. Es hat eine geringe Aufnahmebeständigkeit, was bedeutet, dass es mit hoher Strömung mit niedriger Stromversorgung umgehen kann. Es ist auch so konzipiert, dass es eine Spannung mit niedriger Gate -Schwellenwerbung aufweist, wodurch es einfach ist, mit einem Mikrocontroller oder einer anderen Signalquelle mit niedriger Spannung zu steuern.

Äquivalent für 2N7002K

2N7002K ist eine Art von N-Kanal-MOSFET-Transistor, der häufig in Schaltanwendungen mit geringer Leistung verwendet wird, z. Es hat einen niedrigen Widerstand im Zustand und kann durch niedrige Spannungssignale angetrieben werden.

Hier sind ein paar mögliche Ersetzungen für 2N7002K:

AO3400: Dies ist ein ähnlicher N-Kanal-MOSFET-Transistor mit einem ähnlichen Paket und Pinout wie 2N7002K. Es weist ähnliche elektrische Eigenschaften auf, einschließlich niedriger Widerstand im Zustand und einem niedrigen Spannungsbetrieb, was es zu einem möglichen Drop-In-Austausch in bestimmten Anwendungen macht.

BS170: Dies ist ein weiterer N-Kanal-MOSFET-Transistor mit einem ähnlichen Paket und Pinout wie 2N7002K. Es hat einen etwas höheren Widerstand im Zustand als 2N7002K, kann jedoch eine höhere Abfluss-Source-Spannung und -Orstrom bewältigen.

IRF510: Dies ist ein Power N-Kanal-MOSFET-Transistor mit einem TO-220-Paket, das höhere Stromniveaus als 2n7002K bewirken kann. Es hat einen höheren Widerstand im Zustand und erfordert eine höhere Gate-Antriebsspannung als 2n7002k, kann jedoch eine viel höhere Drain-Qual-Spannung und -strom verarbeiten.

IRLML2502: Dies ist ein N-Channel-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung mit einem ähnlichen Paket und Pinout wie 2N7002K. Es hat einen niedrigeren Widerstand im Zustand als 2N7002K und kann eine höhere Drain-Source-Spannung und -Orstrom verarbeiten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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