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Hersteller

2N7002T Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Diodes Incorporated	2N7002T	85Kb/3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30301 Rev. 2 - 2
Diodes Incorporated	2N7002T	447Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30301 Rev. 8 - 2
ON Semiconductor	2N7002T	417Kb/8P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor January 2015 Rev. 1.1
Diodes Incorporated	2N7002T	89Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Rev. 11 - 2 March 2009
TRANSYS Electronics Lim...	2N7002T	156Kb/2P	Plastic-Encapsulated Transistors
Fairchild Semiconductor	2N7002T	333Kb/6P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SeCoS Halbleitertechnol...	2N7002T	121Kb/3P	Small Signal MOSFET
Weitron Technology	2N7002T	292Kb/4P	N-Channel ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Unisonic Technologies	2N7002T	148Kb/3P	300 mAmps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
SeCoS Halbleitertechnol...	2N7002T	337Kb/3P	N-Channel Enhancement MOSFET
Micro Commercial Compon...	2N7002T	145Kb/4P	N-Channel Plastic-Encapsulate Transistor
Unisonic Technologies	2N7002T	162Kb/3P	300mA, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET
WILLAS ELECTRONIC CORP	2N7002T	359Kb/2P	SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS
Nanjing International G...	2N7002T	2Mb/5P	SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS
VBsemi Electronics Co.,...	2N7002T	1,003Kb/8P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Tiger Electronic Co.,Lt...	2N7002T	1Mb/5P	SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS
SEC Electronics Inc.	2N7002T	191Kb/3P	N-Channel Plastic- Encapsulate MOSFETS
Jiangsu High diode Semi...	2N7002T	3Mb/5P	SOT-523 Plastic-Encaps u late MOSFET
Jiangsu Changjiang Elec...	2N7002T	2Mb/5P	MOSFET (N-Channel)
Shanghai Leiditech Elec...	2N7002T	1Mb/3P	Voltage controlled small signal switch

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Kurze Beschreibung von 2N7002T

Der 2N7002T ist ein kleiner Signal-N-Kanal-MOSFET (Metal-Oxid-Semiconductor-Feldeffekttransistor). MOSFETs werden in elektronischen Schaltungen häufig verwendet, um elektronische Signale zu steuern und zu verstärken. Der 2N7002T ist für Anwendungen mit geringer Leistung ausgelegt und wird üblicherweise zum Schalten und Verstärkerzweck verwendet.

Hier sind einige wichtige Spezifikationen des 2N7002T -MOSFET:

Transistorentyp: N-Kanal-MOSFET
Maximale Drain-Source-Spannung (VDS): 60 V
Maximale Gate-Source-Spannung (VGS): ± 20 V
Maximaler kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 115 mA
Maximale Leistung (PD): 360 MW
Schwellenspannung (VTH): Typischerweise um 1,5 V
On-Resistenz (RDS (ON)): Typischerweise bei VGS = 4,5 V um 5 Ω

Das 2N7002T-MOSFET wird üblicherweise für Anwendungen mit niedriger Spannungsschaltanwendungen verwendet. Es bietet eine Spannung mit niedrigem Schwellenwert, was bedeutet, dass sie leicht durch niedrige Spannungssignale gesteuert werden kann. Die vorbeständige Anlage ist relativ niedrig, was einen effizienten Schaltvorgang ermöglicht.

Äquivalent für 2N7002T

Der 2N7002T ist ein spezifischer Typ des N-Kanal-MOSFET (Field-Effect-Transistor mit Metal-Oxid-Semiconductor), der häufig für Schaltanwendungen mit geringer Leistung verwendet wird. Während ein genauer Ersatz mit derselben Teilenummer möglicherweise nicht ohne weiteres verfügbar ist, können alternative Optionen berücksichtigt werden. Hier sind einige potenzielle Ersetzungen für das 2N7002T -MOSFET:

IRF5305: Der IRF5305 ist ein N-Kanal-MOSFET mit einem maximalen Abflussstrom von 31A und einer maximalen Abflussquellenspannung von 55 V. Es hat ähnliche elektrische Eigenschaften wie das 2N7002T und kann als Ersatz in vielen Schaltanwendungen mit geringer Leistung verwendet werden.

BS170: Der BS170 ist ein weiteres N-Kanal-MOSFET mit einem maximalen Abflussstrom von 0,5a und einer maximalen Abflussquellenspannung von 60 V. Es wird üblicherweise in Schaltkreisen mit geringer Leistung verwendet und kann als Ersatz für den 2N7002T in bestimmten Anwendungen verwendet werden.

BSS138: Der BSS138 ist ein N-Kanal-MOSFET mit einem maximalen Abflussstrom von 0,17a und einer maximalen Abflussquerspannung von 50 V. Es wird häufig in Schaltanwendungen mit geringer Leistung verwendet und kann als Ersatz für den 2N7002T in geeigneten Schaltungen angesehen werden.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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