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Hersteller

2SA1943 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
ON Semiconductor	2SA1943	247Kb/7P	PNP Epitaxial Silicon Transistor January 2009 Rev. C
Toshiba Semiconductor	2SA1943	148Kb/2P	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) 06-May-1997
Unisonic Technologies	2SA1943	112Kb/3P	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS
Fairchild Semiconductor	2SA1943	215Kb/6P	PNP Epitaxial Silicon Transistor
Toshiba Semiconductor	2SA1943	142Kb/5P	Power Amplifier Applications
Savantic, Inc.	2SA1943	221Kb/4P	Silicon PNP Power Transistors
Quanzhou Jinmei Electro...	2SA1943	203Kb/4P	Silicon PNP Power Transistors
Toshiba Semiconductor	2SA1943	139Kb/5P	Power Amplifier Applications
Unisonic Technologies	2SA1943	188Kb/4P	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS
New Jersey Semi-Conduct...	2SA1943	302Kb/2P	TOSHIBA TRANSISTOR SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE
Thinki Semiconductor Co...	2SA1943	287Kb/2P	150 Watt Silicon PNP Power Transistors
New Jersey Semi-Conduct...	2SA1943	81Kb/2P	Silicon PNP Power Transistor
Quanzhou Jinmei Electro...	2SA1943	203Kb/4P	Silicon PNP Power Transistors
JILIN SINO-MICROELECTRO...	2SA1943	501Kb/8P	Power Amplifier Applications
SYC Electronica	2SA1943	232Kb/5P	PNP Epitaxial Silicon Transistor
Inchange Semiconductor ...	2SA1943	290Kb/2P	isc Silicon PNP Power Transistor 2023-9-20
Thinki Semiconductor Co...	2SA1943	227Kb/2P	150 Watt Silicon Epitaxial Planar PNP Power Transistor
Toshiba Semiconductor	2SA1943	1Mb/73P	Bipolar Small-Signal Transistors
Jiangsu Changjiang Elec...	2SA1943	420Kb/2P	TO-3P Plastic-Encapsulate Transistors
Foshan Blue Rocket Elec...	2SA1943	1Mb/6P	Silicon PNP transistor in a TO-3P Plastic Package.

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Kurze Beschreibung von 2SA1943

Der 2SA1943 ist ein Hochleistungs-PNP-Bipolar-Junction-Transistor (BJT), der üblicherweise in Audioverstärkeranwendungen verwendet wird. Zusammen mit seinem komplementären NPN-Gegenstück, dem 2SC5200, werden sie häufig in den Ausgangsstadien von Hochleistungs-Audioverstärkern verwendet, um Lautsprecher voranzutreiben. Hier finden Sie einige wichtige Merkmale und Spezifikationen des 2SA1943:

Typ: Der 2SA1943 ist ein PNP-Transistor, was bedeutet, dass er mit einem P-Typ-Halbleiter besteht, der zwischen zwei Halbleitern vom Typ N-Typ eingegrenzt ist.

Leistungsverstärkung: Der 2SA1943 ist für Hochleistungs-Audioamplifikationsanwendungen ausgelegt und wird üblicherweise in den Ausgangsstadien von Audioverstärkern verwendet, in denen hohe Leistung und Effizienz erforderlich sind.

Kollektorstrom (IC): Der 2SA1943 ist in der Lage, hohe Sammlerströme zu bearbeiten, typischerweise im Bereich mehrerer Ampere.

Collector-Emitter-Spannung (VCE): Die maximale Spannung, die zwischen den Kollektor- und Emitterterminals angewendet werden kann, ohne einen Zusammenbruch zu verursachen.

Leistungsdissipation (PD): Diese Spezifikation zeigt die maximale Leistung an, die der Transistor verarbeiten kann, ohne seine maximale Anschlusstemperatur zu überschreiten.

Übergangsfrequenz (FT): Die Übergangsfrequenz ist ein Parameter, der die maximale Frequenz anzeigt, bei der der Transistor effektiv arbeiten kann.

Paket: Der 2SA1943 ist üblicherweise in einem TO-3P-Paket erhältlich, ein Standard-Plastikpaket mit drei Leitungen.

Anwendungen: Der 2SA1943 wird in den Ausgangsstadien von Audioverstärkern verwendet, einschließlich Hochleistungs-Audioverstärker für Stereo-Systeme, PA-Systeme (öffentliche Adresse) und andere Audioanwendungen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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