2SC1623 Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

2SC1623 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NEC	2SC1623	60Kb/6P	AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD
Weitron Technology	2SC1623	194Kb/4P	NPN General Purpose Transistors
Micro Commercial Compon...	2SC1623	62Kb/1P	NPN Silicon Epitaxial Transistors
TRANSYS Electronics Lim...	2SC1623	67Kb/1P	Plastic-Encapsulate Transistors
Goodwork Semiconductor ...	2SC1623	369Kb/3P	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
Nanjing International G...	2SC1623	1Mb/3P	SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors
Dc Components	2SC1623	239Kb/1P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
SeCoS Halbleitertechnol...	2SC1623	148Kb/2P	NPN Epitaxial Planar Transistor
Unisonic Technologies	2SC1623	120Kb/2P	AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER NPN SILICON TRANSISTOR MINI MOLD
Jinan Jing Heng Electro...	2SC1623	1Mb/5P	NPN Plastic-Encapsulate Transistors
MAKO SEMICONDUCTOR CO.,...	2SC1623	107Kb/2P	High DC current gain hFE 200(Typ)VCE 6V, IC 1mA
Bruckewell Technology L...	2SC1623	380Kb/4P	Silicon PNP Epitaxial Type Transistor
GUANGDONG HOTTECH INDUS...	2SC1623	190Kb/2P	Plastic-Encapsulate Transistors
Galaxy Semi-Conductor H...	2SC1623	172Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Transistor Rev.A
Jiangsu High diode Semi...	2SC1623	2Mb/4P	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
Foshan Blue Rocket Elec...	2SC1623	1Mb/6P	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package
Jiangsu Changjiang Elec...	2SC1623	842Kb/4P	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
SHENZHEN SLS TECHNOLOGY...	2SC1623	487Kb/3P	Plastic-Encapsulate Transistors
Shenzhen Luguang Electr...	2SC1623	1Mb/2P	Silicon Epitaxial Planar Transistor
DONGGUAN YOU FENG WEI E...	2SC1623	577Kb/3P	NPN Transistors

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Kurze Beschreibung von 2SC1623

Der 2SC1623 ist ein spezifischer Transistortyp, der zur 2SC -Serie gehört. Es ist ein häufig verwendeter NPN-Bipolar-Junction-Transistor (BJT). Hier sind einige wichtige Spezifikationen des 2SC1623 -Transistors:

Sammlerstrom (IC): Der maximale Sammlerstrom beträgt typischerweise etwa 100 Milliamperes (MA). Dieser Wert gibt den maximalen Strom an, der durch den Kollektoranschluss des Transistors fließen kann, wenn er vollständig eingeschaltet ist.

Collector-Base-Spannung (VCBO): Die maximale Spannung, die zwischen dem Kollektor und dem Basisanschluss angewendet werden kann, wenn das Emitterterminal offen ist. Es ist normalerweise ungefähr 45 Volt.

Collector-Emitter-Spannung (VCEO): Die maximale Spannung, die zwischen dem Kollektor und dem Emitterterminal angewendet werden kann, wenn das Basisanschluss offen ist. Es ist in der Regel auch etwa 45 Volt.

Leistungsdissipation (PD): Die maximale Leistung, die der Transistor verarbeiten kann, ohne seine angegebenen Temperaturgrenzen zu überschreiten. Für den 2SC1623 sind es normalerweise rund 400 Milliwatt (MW).

Übergangsfrequenz (FT): Die maximale Frequenz, bei der der Transistor die Signale effektiv verstärken kann. Der 2SC1623 hat eine Übergangsfrequenz von 50 MHz bis 150 MHz.

Äquivalent für 2SC1623

Der 2SC1623 ist ein Bipolar Junction Transistor (BJT) mit einem maximalen Kollektorstrom von 0,5a und einer maximalen Sammler-Emitter-Spannung von 50 V. Der Ersatz hängt von den Anwendungsanforderungen ab, aber einige Optionen, die für den 2SC1623 geeignet sind, sind:

BC547: Dies ist ein allgemeiner NPN-Transistor mit einem maximalen Sammlerstrom von 0,1a und einer maximalen Sammler-Emitter-Spannung von 45 V. Es hat einen ähnlichen Verstärkungsbereich und wird üblicherweise im Verstärker mit geringem Stromverstärker und Schaltanwendungen verwendet.

2N3904: Dies ist auch ein allgemeiner NPN-Transistor mit einem maximalen Sammlerstrom von 0,2a und einer maximalen Sammler-Emitter-Spannung von 40 V. Es hat einen ähnlichen Verstärkungsbereich wie der 2SC1623 und wird üblicherweise im Verstärker mit geringer Leistung und Schaltanwendungen verwendet.

KSC1815: Dies ist ein Hochfrequenz-NPN-Transistor mit einem maximalen Sammlerstrom von 0,15a und einer maximalen Sammler-Emitter-Spannung von 45 V. Es hat eine höhere Grenzfrequenz als der 2SC1623 und wird üblicherweise in HF -Verstärkern und Oszillatorschaltungen verwendet.

PN2222: Dies ist ein allgemeiner NPN-Transistor mit einem maximalen Sammlerstrom von 0,6a und einer maximalen Sammler-Emitter-Spannung von 40 V. Es hat einen ähnlichen Verstärkungsbereich und wird üblicherweise im Verstärker mit geringem Stromverstärker und Schaltanwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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