2SC5198 Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

2SC5198 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Toshiba Semiconductor	2SC5198	147Kb/2P	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
Toshiba Semiconductor	2SC5198	122Kb/4P	Silicon NPN Triple Diffused Type Power Amplifier Applications
Savantic, Inc.	2SC5198	169Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
Inchange Semiconductor ...	2SC5198	303Kb/3P	isc Silicon NPN Power Transistor
Toshiba Semiconductor	2SC5198	155Kb/4P	Power Amplifier Applications
Toshiba Semiconductor	2SC5198	155Kb/4P	Power Amplifier Applications
Savantic, Inc.	2SC5198	171Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
JILIN SINO-MICROELECTRO...	2SC5198	238Kb/5P	Power Amplifier Applications
Toshiba Semiconductor	2SC5198	1Mb/73P	Bipolar Small-Signal Transistors
SYC Electronica	2SC5198	186Kb/2P	NPN POWER 140V 10A TO-3PI
Toshiba Semiconductor	2SC5198	155Kb/4P	Silicon NPN Triple Diffused Type 2013-11-01
Foshan Blue Rocket Elec...	2SC5198	949Kb/6P	Silicon NPN transistor in a TO-3P Plastic Package.
Jiangsu Changjiang Elec...	2SC5198	368Kb/2P	TO-3P Plastic-Encapsulate Transistors
JILIN SINO-MICROELECTRO...	2SC5198-O-W-N-B	238Kb/5P	Power Amplifier Applications
Toshiba Semiconductor	2SC5198-OQ	155Kb/4P	Power Amplifier Applications
Toshiba Semiconductor	2SC5198-R	155Kb/4P	Power Amplifier Applications
Nell Semiconductor Co.,...	2SC5198B	227Kb/3P	Silicon NPN triple diffusion planar transistor
Toshiba Semiconductor	2SC5198OQ	155Kb/4P	Power Amplifier Applications
	2SC5198	122Kb/4P	Silicon NPN Triple Diffused Type Power Amplifier Applications
	2SC5198	155Kb/4P	Silicon NPN Triple Diffused Type 2013-11-01

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Kurze Beschreibung von 2SC5198

Der 2SC5198 ist ein Hochspannungs-NPN-Bipolar-Junction-Transistor (BJT), der hauptsächlich für Audioverstärkeranwendungen verwendet wird. Es ist für Hochleistungs- und Hochfrequenzsignale ausgelegt, wodurch es für die Verwendung in Audioverstärkern, Stromverstärkern und anderen audiobezogenen Schaltungen geeignet ist. Hier sind die wichtigsten Merkmale und Spezifikationen des 2SC5198:

Bipolarer Junction-Transistor-Typ: Der 2SC5198 ist ein NPN-Transistor, was bedeutet, dass er aus drei Schichten von Halbleitermaterial (p-Typ, N-Typ und P-Typ) besteht und zwei PN-Junctions bildet. NPN -Transistoren führen Strom durch, wenn eine positive Spannung auf den Basisterminal relativ zum Emitterterminal angewendet wird.

Hochspannungsbewertung: Der 2SC5198 verfügt über eine hohe Breakdown -Spannung, typischerweise rund 230 Volt, sodass sie hohen Spannungen der Verstärkerschaltungen standhalten können.

Hohe Stromfähigkeit: Es kann relativ hohe Kollektorströme umgehen, was es für Hochleistungs-Audioverstärkerentwürfe geeignet ist.

Hochfrequenzbetrieb: Der 2SC5198 ist für den hohen Frequenzbetrieb ausgelegt, sodass er hochfrequente Audiosignale in Audioverstärkeranwendungen genau reproduzieren kann.

Niedrige Sättigungsspannung: Es verfügt über eine niedrige Sättigungsspannung, wodurch die Stromverluste minimiert und die Effizienz während des Betriebs verbessert werden.

Pakettyp: Der 2SC5198 ist in einem Durchschnittspaket häufig erhältlich, z.

Anwendung: Der 2SC5198 -Transistor wird hauptsächlich in Audioverstärkerschaltungen verwendet, einschließlich Leistungsverstärker, Vorverstärker und integrierter Verstärkermodule, bei denen Funktionen mit hoher Spannung und hohen Stromabwicklungen erforderlich sind.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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