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Hersteller

2SC5200 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
ON Semiconductor	2SC5200	238Kb/7P	NPN Epitaxial Silicon Transistor January 2009 Rev. C
STMicroelectronics	2SC5200	157Kb/8P	High power NPN epitaxial planar bipolar transistor 28-Sep-2009
Savantic, Inc.	2SC5200	229Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
Toshiba Semiconductor	2SC5200	127Kb/4P	Power Amplifier Applications
New Jersey Semi-Conduct...	2SC5200	281Kb/2P	POWER AMPLIFIER APPLICATION
Thinki Semiconductor Co...	2SC5200	424Kb/2P	150 Watt Silicon NPN Power Transistors
Fairchild Semiconductor	2SC5200	205Kb/6P	NPN Epitaxial Silicon Transistor
Savantic, Inc.	2SC5200	231Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
SYC Electronica	2SC5200	182Kb/7P	High power NPN epitaxial planar bipolar transistor
Inchange Semiconductor ...	2SC5200	288Kb/2P	isc Silicon NPN Power Transistor 2023-9-20
JILIN SINO-MICROELECTRO...	2SC5200	571Kb/8P	Silicon NPN Triple Diffused Transistor
Thinki Semiconductor Co...	2SC5200	281Kb/2P	150 Watt Silicon Epitaxial Planar NPN Power Transistor
Unisonic Technologies	2SC5200	94Kb/3P	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS
Toshiba Semiconductor	2SC5200	1Mb/73P	Bipolar Small-Signal Transistors
Unisonic Technologies	2SC5200	177Kb/4P	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS DRIVER STAGE AMPLIFIER
Jiangsu Changjiang Elec...	2SC5200	377Kb/2P	TO-3P Plastic-Encapsulate Transistors
Foshan Blue Rocket Elec...	2SC5200	921Kb/6P	Silicon NPN transistor in a TO-3P Plastic Package.
JILIN SINO-MICROELECTRO...	2SC5200-O-AB-N-B	571Kb/8P	Silicon NPN Triple Diffused Transistor
	2SC5200-O-AL-N-B	571Kb/8P	Silicon NPN Triple Diffused Transistor
	2SC5200-O-AL-N-D	571Kb/8P	Silicon NPN Triple Diffused Transistor

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Kurze Beschreibung von 2SC5200

Der 2SC5200 ist ein Hochleistungs-NPN-Bipolar-Junction-Transistor (BJT), der für seine Verwendung in Audioverstärker- und Leistungsverstärkeranwendungen bekannt ist. Es ist Teil der 2SC-Reihe von Transistoren und wird üblicherweise in Audioverstärkern und professioneller Audiogeräte mit hohem Fidelity verwendet. Hier sind einige wichtige Merkmale und Spezifikationen des 2SC5200 -Transistors:

Polarität: NPN (negativ-positiv-negativ).

Der 2SC5200 verfügt über eine N-Typ-Schicht in der Mitte, die zwischen P-Typen außen eingeklemmt ist.
Maximaler Kollektorstrom (IC): Typischerweise bei 15a bewertet.

Dies ist der maximale Strom, der vom Sammler zum Emitter fließen kann, wenn sich der Transistor im Status On befindet.
Maximale Collector-Base-Spannung (VCBO): Typischerweise bei 230 V.

Dies ist die maximale Spannung, die zwischen den Kollektor- und Basisklemmen angewendet werden kann, während das Emitterterminal geöffnet wird.
Maximale Collector-Emitter-Spannung (VCEO): In der Regel bei 230 V bewertet.

Dies ist die maximale Spannung, die zwischen den Kollektor- und Emitterterminals angewendet werden kann, während die Basis geöffnet ist.
Gewinn (HFE oder Beta): Typischerweise etwa 30 bis 70.

Der als HFE oder Beta bezeichnete Gewinn repräsentiert die Verstärkungsfähigkeit des Transistors. Es zeigt, wie viel der Sammlerstrom im Vergleich zum Basisstrom verstärkt wird.
Paket: Der 2SC5200 ist in den Paketen bis 3p oder bis 264 üblicherweise erhältlich, die für Hochleistungstransistoren geeignet sind und eine gute thermische Leistung bieten.

Anwendungen: Der 2SC5200-Transistor wird in Hochleistungsanwendungen verwendet, insbesondere in Audioverstärkern, Leistungsverstärkern und anderen Anwendungen, die eine Hochstrom- und Hochspannungsverstärkung erfordern.

Komplementäres Paar: Der 2SC5200 wird häufig in Verbindung mit seinem komplementären PNP-Transistor wie dem 2SA1943 verwendet, um einen Push-Pull-Verstärker oder ein Schaltpaar für Anwendungen zu bilden, die einen bidirektionalen Stromfluss benötigen.

Äquivalent für 2SC5200

Der 2SC5200 ist ein Hochleistungs-NPN-Transistor, der häufig in Audioverstärkeranwendungen verwendet wird und eine Kollektor-Emitter-Spannung von 230 V und einen Kollektorstrom von 15 A bietet. Als Ersatz können mehrere Transistoren dienen, die ähnliche elektrische Eigenschaften bieten:

TTC5200:

Hergestellt von Toshiba als direkter Ersatz für den 2SC5200.
Verfügt über identische Spannungs- und Stromwerte.
Erhältlich im TO-3P-Gehäuse.
MJL3281A:

NPN-Transistor mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von 200 V und einem Kollektorstrom von 15 A.
Entwickelt für Hochleistungs-Audioanwendungen.
Eingekapselt in einem TO-264-Gehäuse.
FJL4315:

NPN-Transistor mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von 250 V und einem Kollektorstrom von 17 A.
Geeignet für High-Fidelity-Audio-Ausgangsstufen.
Verpackt in einem TO-264-Gehäuse.
2SC5242:

NPN-Transistor mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von 230 V und einem Kollektorstrom von 15 A.
Wird häufig in Audioverstärkerschaltungen verwendet.
Erhältlich im TO-3P-Gehäuse.
2SC3320:

NPN-Transistor mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von 200 V und einem Kollektorstrom von 15 A.
Wird in verschiedenen Hochleistungsanwendungen eingesetzt.
Eingekapselt in einem TO-3P-Gehäuse.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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