BAS116 Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

BAS116 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NXP Semiconductors	BAS116	52Kb/8P	Low-leakage diode 1999 May 26
Diodes Incorporated	BAS116	281Kb/4P	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Rev 11
Diodes Incorporated	BAS116	44Kb/2P	Introducing Very Low Leakage SOT-23 Diodes: DS30233 Rev. 9 - 2
Infineon Technologies A...	BAS116	444Kb/4P	Silicon Low Leakage Diode Mar-10-2004
Diodes Incorporated	BAS116	344Kb/3P	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE DS30233 Rev. 7 - 2
Taiwan Semiconductor Co...	BAS116	206Kb/4P	225mW, SMD Switching Diode
Diodes Incorporated	BAS116	116Kb/3P	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Rev. 9 - 2 May 2008
Infineon Technologies A...	BAS116	72Kb/6P	Silicon Low Leakage Diode 2007-04-19
SEMTECH ELECTRONICS LTD...	BAS116	177Kb/2P	LOW LEAKAGE SWITCHING DIODE
Taiwan Semiconductor Co...	BAS116	68Kb/2P	225mW SMD Switching Diode
NXP Semiconductors	BAS116	124Kb/8P	Low-leakage diode 2003 Dec 12
Won-Top Electronics	BAS116	95Kb/4P	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE October, 2018
Shanghai Shunye Electro...	BAS116	673Kb/4P	SW ITCHING DIODE V2.22
Pan Jit International I...	BAS116	142Kb/3P	SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES
Weitron Technology	BAS116	406Kb/2P	Surface Mount Switching Diodes
SeCoS Halbleitertechnol...	BAS116	266Kb/3P	Surface Mount Switching Diode
Micro Commercial Compon...	BAS116	153Kb/2P	225mW Switching Diode
Shunxin Technology Co.,...	BAS116	488Kb/3P	SWITCHING DIODE
Continental Device Indi...	BAS116	135Kb/3P	SILICON PLANAR SWITCHING DIODE
TAITRON Components Inco...	BAS116	194Kb/4P	Three Terminals SMD Low Leakage Switching Diode

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Kurze Beschreibung von BAS116

Das BAS116 ist eine Teilbezeichnung, die normalerweise für eine Hochgeschwindigkeitsschaltdiode verwendet wird. Es handelt sich um eine kleine Signaldiode mit einer schnellen Schaltgeschwindigkeit und einer geringen Rückgewinnungszeit.

Hier sind einige allgemeine Spezifikationen für die BAS116 -Diode:

Maximale Rückspannung (VR): Typischerweise etwa 85 Volt
Maximaler durchschnittlicher Vorwärtsstrom (if (av)): Typischerweise etwa 100 mA
Maximaler Spitzenspitzenspannungsstrom (IFSM): Typischerweise etwa 400 mA (für eine bestimmte Impulsbreite und Wiederholungsrate)
Vorwärtsspannungsabfall (VF): Typischerweise um 1 V bei einem Vorwärtsstrom von 100 mA
Reverse Leckagestrom (IR): Typischerweise im Bereich von Mikroamperen
Packungstyp: Typischerweise SOT-23 (ein kleines Oberflächenmontagepaket)
Die BAS116-Diode wird üblicherweise in Anwendungen wie Hochgeschwindigkeitsschalt-, Signalberichtungs- und Schutzschaltungen verwendet.

Äquivalent für BAS116

BAS116 ist eine Hochgeschwindigkeits-Schaltdiode mit einer maximalen Stromquote von 225 mA und einer maximalen Spannung von 100 V. Wenn Sie nach einem Ersatz für diese Diode suchen, können Sie die folgenden Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen berücksichtigen:

BAT54S - Dies ist eine doppelte Schaltky -Diode mit einer maximalen Strombewertung von 200 mA und einer maximalen Spannung von 30 V. Es hat ähnliche elektrische Eigenschaften wie BAS116 und ist in einem SOT-23-Paket erhältlich.

1N4148WS - Dies ist eine Hochgeschwindigkeitsschaltdiode mit einer maximalen Strombewertung von 200 mA und einer maximalen Spannungsbewertung von 75 V. Es hat ähnliche elektrische Eigenschaften wie BAS116 und ist in einem SOD-323-Paket erhältlich.

BAV199 - Dies ist eine doppelte Hochgeschwindigkeitsschaltdiode mit einer maximalen Strombewertung von 225 mA und einer maximalen Spannungsbewertung von 85 V. Es hat ähnliche elektrische Eigenschaften wie BAS116 und ist in einem SOT-23-Paket erhältlich.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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