BAV100 Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

BAV100 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NXP Semiconductors	BAV100	34Kb/8P	General purpose diodes 1996 Sep 17
Vishay Siliconix	BAV100	54Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Diodes 01-Apr-99
General Semiconductor	BAV100	144Kb/4P	Small Signal Diodes
Taiwan Semiconductor Co...	BAV100	235Kb/4P	Hermetically Sealed Glass High Voltage Switching Diodes
Vishay Siliconix	BAV100	62Kb/4P	Small Signal Switching Diodes, High Voltage 31-Jul-12
	BAV100	136Kb/5P	Small Signal Switching Diodes, High Voltage 13-Feb-07
	BAV100	85Kb/4P	Small Signal Switching Diodes, High Voltage 26-Nov-2021
Taiwan Semiconductor Co...	BAV100	94Kb/2P	500mW Hermetically Sealed Glass High Voltage Switching Diodes
Semikron International	BAV100	171Kb/2P	Ultrafast silicon rectifier diodes
Diotec Semiconductor	BAV100	103Kb/2P	Superfast Switching Surface Mount Si-Diodes
SynSemi, Inc.	BAV100	33Kb/2P	HIGH SPEED SWITCHING DIODES
EIC discrete Semiconduc...	BAV100	38Kb/2P	HIGH SPEED SWITCHING DIODES
SeCoS Halbleitertechnol...	BAV100	167Kb/2P	Surface Mount Small Signal Switching Diode
Micro Commercial Compon...	BAV100	765Kb/4P	Small Signal Diodes
Semikron International	BAV100	81Kb/2P	Ultrafast silicon rectifier diodes
First Silicon Co., Ltd	BAV100	231Kb/3P	Small-Signal Diode Fast Switching Diodes
Continental Device Indi...	BAV100	338Kb/3P	HIGH SPEED SILICON DIODES
Micro Commercial Compon...	BAV100	765Kb/4P	Small Signal Diodes
SUNMATE electronic Co.,...	BAV100	97Kb/2P	250mA Surface Mount Schottky Barrier Diode
Surge Components	BAV100	1Mb/1P	for general purpose

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Kurze Beschreibung von BAV100

Das BAV100 ist eine Teilbezeichnung, die normalerweise für eine kleine Signalschaltdiode verwendet wird. Es handelt sich um eine Hochgeschwindigkeitsdiode, die häufig in Anwendungen verwendet wird, die schnelles Schalten und niedrigem Leckstrom erfordern.

Hier sind einige allgemeine Spezifikationen für die BAV100 -Diode:

Maximale Rückspannung (VR): Typischerweise etwa 75 Volt
Maximaler durchschnittlicher Vorwärtsstrom (if (av)): typischerweise etwa 200 mA
Maximaler Spitzenspitzen -Vorwärtsspurstrom (IFSM): Typischerweise etwa 500 mA (für eine bestimmte Impulsbreite und Wiederholungsrate)
Vorwärtsspannungsabfall (VF): Typischerweise um 1 V bei einem Vorwärtsstrom von 100 mA
Reverse Leckagestrom (IR): Typischerweise im Bereich von Mikroamperen
Packungstyp: Typischerweise SOD-80 (eine kleine Oberflächenmontagepaket)
Die BAV100-Diode wird üblicherweise in Anwendungen wie Hochgeschwindigkeitsschalt-, Signalberichtungs- und Schutzschaltungen verwendet.

Äquivalent für BAV100

Ein geeigneter Ersatz für die BAV100 -Diode ist der 1N4148. Der 1N4148 ist eine allgemeine Switching-Diode mit ähnlichen elektrischen Eigenschaften wie BAV100.

Hier sind einige wichtige Ähnlichkeiten zwischen den Dioden BAV100 und 1N4148:

Diodentyp: Sowohl der BAV100 als auch 1N4148 sind allgemeine Schaltdioden, die üblicherweise in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet werden.

Spannungs- und Strombewertungen: Die Spannungs- und Strombewertungen der BAV100- und 1N4148 -Dioden sind vergleichbar. Beide Dioden haben einen ähnlichen maximalen Vorwärtsspannungsabfall (VF) und eine maximale Reverse -Spannung (VR).

Packungstyp: Die Dioden BAV100 und 1N4148 sind typischerweise in kleinen Oberflächenmontagepaketen wie SOT-23 oder SOD-123 erhältlich. Diese Pakete sind kompakt und für Anwendungen mit Platzbeschränkungen geeignet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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