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Hersteller

BC517 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
ON Semiconductor	BC517	148Kb/6P	Darlington Transistors(NPN Silicon) 1996
NXP Semiconductors	BC517	43Kb/8P	NPN Darlington transistor 1999 Apr 23
ON Semiconductor	BC517	71Kb/6P	Darlington Transistors NPN Silicon January, 2006 ??Rev. 3
SEMTECH ELECTRONICS LTD...	BC517	79Kb/1P	NPN Silicon Darlington Transistor
ON Semiconductor	BC517	82Kb/6P	Darlington Transistors March, 2007 ??Rev. 4
	BC517	621Kb/6P	NPN Darlington Transistor September-2017, Rev. 2
	BC517	171Kb/5P	NPN Darlington Transistor December, 2023 - Rev. 3
Motorola, Inc	BC517	206Kb/6P	Darlington Transistors
Siemens Semiconductor G...	BC517	138Kb/4P	NPN Silicon Darlington Transistor (High current gain High collector current)
KEC(Korea Electronics)	BC517	181Kb/2P	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE HIGH DARLINGTON TRANSISTOR)
Micro Electronics	BC517	68Kb/1P	COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR
Fairchild Semiconductor	BC517	29Kb/3P	NPN Darlington Transistor
KEC(Korea Electronics)	BC517	31Kb/1P	TO-92 PACKAGE
KEC(Korea Electronics)	BC517	40Kb/2P	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
Fairchild Semiconductor	BC517	32Kb/3P	NPN Darlington Transistor
ON Semiconductor	BC517-D74Z	621Kb/6P	NPN Darlington Transistor September-2017, Rev. 2
ON Semiconductor	BC517-D74Z	171Kb/5P	NPN Darlington Transistor December, 2023 - Rev. 3
Cystech Electonics Corp...	BC517A3	270Kb/6P	General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor
ON Semiconductor	BC517G	71Kb/6P	Darlington Transistors NPN Silicon January, 2006 ??Rev. 3
ON Semiconductor	BC517RL1	71Kb/6P	Darlington Transistors NPN Silicon January, 2006 ??Rev. 3

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Kurze Beschreibung von BC517

Der BC517 ist ein allgemeiner PNP-Bipolar-Junction-Transistor (BJT), der üblicherweise für Verstärkungs- und Schaltanwendungen mit geringer Leistung verwendet wird. Hier sind die wichtigsten Merkmale und Spezifikationen des BC517:

Transistortyp: Der BC517 ist ein PNP-Bipolar-Junction-Transistor (BJT), was bedeutet, dass er aus drei Halbleiterschichten besteht: N-Dotiert (Basis), P-Doped (Emitter) und N-Doped (Kollektor).

Amplifikation mit geringer Leistung: Der BC517 wird typischerweise für Anwendungen mit geringer Leistung verwendet, bei denen eine kleine Signalverstärkung erforderlich ist.

PNP -Konfiguration: Als PNP -Transistor arbeitet der BC517 mit einer positiven Spannung an der Basis relativ zum Emitter für den normalen Betrieb.

Low Collector-Emitter-Spannung (VCEO): Die maximale Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO) des BC517 beträgt typischerweise etwa -30 Volt, was deren Eignung für niedrige Spannungsanwendungen anzeigt.

Hochstromverstärkung (HFE): Der BC517 hat typischerweise eine hohe Gleichstromverstärkung (HFE), die eine effiziente Verstärkung kleiner Eingangssignale ermöglicht.

Dissipation mit mittlerer Leistung: Der BC517 ist so ausgelegt, dass er mittelschwerer Leistungsstufen verarbeitet, sodass er für Anwendungen geeignet ist, bei denen eine moderate Stromverstärkung erforderlich ist.

TO-92-Paket: Es ist häufig in einem TO-92-Paket erhältlich, das eine einfache Montage auf einer gedruckten Leiterplatte (PCB) und eine gute thermische Leistung für Anwendungen mit geringer Leistung bietet.

Anwendung: Der BC517 wird üblicherweise in Schaltkreisen mit geringem Stromverstärker, Signalschaltschaltungen, LED-Treibern, Relais-Treibern und anderen Anwendungen verwendet, bei denen eine kleine Signalverstärkung oder -schalter erforderlich ist.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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