BC546 Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

BC546 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
ON Semiconductor	BC546	301Kb/8P	NPN Epitaxial Silicon Transistor November 2014 Rev. 1.1.1
ON Semiconductor	BC546	140Kb/6P	Amplifier Transistors(NPN Silicon) 1996 REV 1
NXP Semiconductors	BC546	47Kb/8P	NPN general purpose transistors 2004 Nov 25
Semtech Corporation	BC546	371Kb/5P	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
Taiwan Semiconductor Co...	BC546	238Kb/3P	NPN Transistor
NXP Semiconductors	BC546	404Kb/14P	65 V, 100 mA NPN general-purpose transistors Rev. 07-17 November 2009
General Semiconductor	BC546	263Kb/6P	Small Signal Transistors (NPN)
SEMTECH ELECTRONICS LTD...	BC546	139Kb/2P	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
NXP Semiconductors	BC546	60Kb/9P	NPN general purpose transistors 2004 Nov 25
Micro Electronics	BC546	315Kb/4P	NPN SILICON RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Diotec Semiconductor	BC546	148Kb/2P	Si-Epitaxial PlanarTransistors
Weitron Technology	BC546	1Mb/5P	NPN General Purpose Transistor
Unisonic Technologies	BC546	108Kb/4P	SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS
Micro Commercial Compon...	BC546	1Mb/4P	NPN Silicon Amplifier Transistor 625mW
Diotec Semiconductor	BC546	100Kb/2P	General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
Pan Jit International I...	BC546	160Kb/5P	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
Dc Components	BC546	218Kb/1P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
SeCoS Halbleitertechnol...	BC546	183Kb/3P	Elektronische Bauelemente
KEC(Korea Electronics)	BC546	284Kb/3P	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
Rectron Semiconductor	BC546	93Kb/3P	NPN Silicon Planar Epitaxial Transistors

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Kurze Beschreibung von BC546

BC546 ist ein allgemeiner NPN-Bipolar-Junction-Transistor (BJT), der für die Verwendung in Verstärker- und Schaltanwendungen ausgelegt ist. Es hat eine maximale Stromverstärkung (HFE) von 800, eine Kollektorströmung (IC) von 100 mA und eine maximale Sammler-Emitter-Spannung (VCEO) von 65 V.

Einige der technischen Spezifikationen von BC546 sind:

Maximaler Sammlerstrom (IC): 100 mA
Maximale Sammler-Emitter-Spannung (VCEO): 65 V
Maximale Emitterbasisspannung (VEBO): 6V
Maximale Gleichstromverstärkung (HFE): 800
Maximale Leistung (PTOT): 500 mW
Betriebstemperaturbereich: -65 ° C bis +150 ° C
Paket: bis 92

BC546 wird üblicherweise in Schaltkreisen mit geringem Stromverstärker, Audiovorverstärkern und Schaltschaltungen verwendet. Es wird auch als allgemeiner Transistor in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet. Die günstigen Kosten, der hohe Stromverstärkung und das niedrige Rauschen machen es zu einer beliebten Wahl für viele elektronische Designs.

Äquivalent für BC546

BC546 ist ein allgemeiner NPN-Bipolar-Junction-Transistor (BJT), der üblicherweise im niedrigen bis mittleren Stromverstärker und Schaltschaltungen verwendet wird.

Hier finden Sie einige mögliche Ersetzungen für BC546:

2N3904: Dies ist ein weit verbreiteter NPN-Transistor, der für Verstärker mit geringer Leistung und Schaltanwendungen geeignet ist. Es hat ähnliche elektrische Eigenschaften wie BC546 und wird häufig als Drop-In-Ersatz verwendet.

BC547: Dies ist ein allgemeiner NPN-Transistor, ähnlich wie BC546, jedoch mit etwas höheren Strom- und Leistungsbewertungen. Es wird üblicherweise in niedrigen bis mittleren Leistungsverstärker und Schaltschaltungen verwendet.

BC548: Dies ist ein weiterer allgemeiner NPN-Transistor mit ähnlichen elektrischen Eigenschaften wie BC546. Es hat eine höhere maximale Spannungsbewertung als BC546 und wird üblicherweise in niedrigen bis mittleren Leistungsverstärker und Schaltschaltungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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