BC557 Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

BC557 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NXP Semiconductors	BC557	47Kb/8P	PNP general purpose transistors 1999 Apr 15
Semtech Corporation	BC557	370Kb/5P	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF applications???
ON Semiconductor	BC557	336Kb/10P	PNP Epitaxial Silicon Transistor January 2016 Rev. 1.7
ON Semiconductor	BC557	86Kb/7P	Amplifier Transistors March 2007 - Rev. 3
General Semiconductor	BC557	253Kb/6P	Small Signal Transistors (PNP)
NXP Semiconductors	BC557	263Kb/8P	PNP general purpose transistors 2004 Oct 11
SEMTECH ELECTRONICS LTD...	BC557	139Kb/2P	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
NXP Semiconductors	BC557	84Kb/13P	45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors Rev. 8-20 August 2012
ON Semiconductor	BC557	107Kb/8P	Amplifier Transistors June, 2000 ??Rev. 1
NXP Semiconductors	BC557	80Kb/12P	PNP general purpose transistors 1997 Mar 27
Fairchild Semiconductor	BC557	43Kb/4P	Switching and Amplifier
Diotec Semiconductor	BC557	144Kb/2P	Si-Epitaxial PlanarTransistors
Weitron Technology	BC557	2Mb/5P	PNP General Purpose Transistor
Micro Electronics	BC557	286Kb/4P	PNP SILICON AF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Unisonic Technologies	BC557	108Kb/4P	SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS
Diotec Semiconductor	BC557	100Kb/2P	General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors
Dc Components	BC557	215Kb/1P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
SeCoS Halbleitertechnol...	BC557	313Kb/3P	Elektronische Bauelemente
Micro Commercial Compon...	BC557	690Kb/4P	PNP Silicon Amplifier Transistor 625mW
Rectron Semiconductor	BC557	92Kb/3P	PNP Silicon Planar Epitaxial Transistors

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Kurze Beschreibung von BC557

Der BC557 ist ein PNP (positiv-negativ-positiver) bipolarer Junction-Transistor (BJT), der üblicherweise in elektronischen Schaltungen zur Verstärkung und zum Schaltanwendungen verwendet wird. Hier sind einige wichtige Merkmale und Spezifikationen des BC557:

Typ: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT).

Polarität:

PNP -Transistoren haben einen positiven (Loch-) Ladungsträger als Mehrheitsladungsträger.
Collector-Base-Spannung (VCBO):

Die maximale Spannung, die zwischen dem Kollektor und den Basisklemmen angewendet werden kann, wenn der Emitter offen ist.
Collector-Emitter-Spannung (VCEO):

Die maximale Spannung, die zwischen den Kollektor- und Emitterterminals mit offener Basis aufgetragen werden kann.
Emitter-Base-Spannung (VEBO):

Die maximale Spannung, die zwischen dem Emitter- und der Basisanschlüsse angewendet werden kann, wenn der Kollektor offen ist.
Sammlerstrom (IC):

Der maximale Strom, der durch den Kollektorterminal fließen kann.
Leistungsdissipation (PTOT):

Die maximale Leistung, die der Transistor ohne Schaden erledigen kann.
Aktueller Gewinn (HFE):

Die Stromverstärkung, auch als Beta (β) des Transistors bekannt, repräsentiert das Verhältnis des Ausgangsstroms (Kollektorstrom) zu Eingangsstrom (Basisstrom).
Paket:

Der BC557 ist in verschiedenen Paketen erhältlich, z.
Anwendungen:

Amplifikation in Audioschaltungen mit geringer Leistung, Signalverstärkung und Schaltanwendungen in elektronischen Schaltungen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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