BD139 Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

BD139 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
STMicroelectronics	BD139	148Kb/9P	Complementary low voltage transistor 22-May-2008
NXP Semiconductors	BD139	44Kb/8P	NPN power transistors 1999 Apr 12
STMicroelectronics	BD139	33Kb/4P	NPN SILICON TRANSISTORS May-1999
STMicroelectronics	BD139	158Kb/9P	Complementary low voltage transistor 22-May-2008
ON Semiconductor	BD139	248Kb/7P	NPN Epitaxial Silicon Transistor August 2013 Rev. 1.2.0
STMicroelectronics	BD139	76Kb/4P	NPN SILICON TRANSISTORS Sep-2001
ON Semiconductor	BD139	42Kb/4P	Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor April, 2005 ??Rev. 12
STMicroelectronics	BD139	157Kb/9P	Complementary low voltage transistor 22-May-2008
Unisonic Technologies	BD139	84Kb/2P	NPN POWER TRANSISTORS
Unisonic Technologies	BD139	105Kb/3P	NPN POWER TRANSISTORS
KEC(Korea Electronics)	BD139	36Kb/2P	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
Micro Commercial Compon...	BD139	357Kb/3P	Power Transistors NPN Silicon 45,60,80 Volts
Inchange Semiconductor ...	BD139	131Kb/3P	Silicon NPN Power Transistors
Tiger Electronic Co.,Lt...	BD139	59Kb/1P	Complementary Silicon Power Ttransistors
Motorola, Inc	BD139	100Kb/4P	Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
Comset Semiconductor	BD139	73Kb/3P	SILICON PLANAR EPITAXIAL POWER TRANSISTORS
Fairchild Semiconductor	BD139	41Kb/4P	Medium Power Linear and Switching Applications
Siemens Semiconductor G...	BD139	185Kb/5P	NPN SILICON TRANSISTORS
Savantic, Inc.	BD139	111Kb/3P	Silicon NPN Power Transistors
Continental Device Indi...	BD139	252Kb/4P	NPN EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS

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Kurze Beschreibung von BD139

Der BD139 ist ein weit verbreiteter NPN-Bipolar-Junction-Transistor (BJT), der für seine Verwendung in niedrigen bis mittelschweren Amplifikation und Schaltanwendungen bekannt ist. Es ist Teil der BD13X-Serie von Transistoren, die für die allgemeine Nutzung ausgelegt sind. Hier sind einige wichtige Merkmale und Spezifikationen des BD139 -Transistors:

Polarität: NPN (negativ-positiv-negativ).

Der BD139 verfügt über eine N-Typ-Schicht in der Mitte, die zwischen P-Typen außen eingeklemmt ist.
Maximaler Sammlerstrom (IC): Typischerweise um 1,5a.

Dies ist der maximale Strom, der vom Sammler zum Emitter fließen kann, wenn sich der Transistor im Status On befindet.
Maximale Collector-Base-Spannung (VCBO): Typischerweise um 80 V.

Dies ist die maximale Spannung, die zwischen den Kollektor- und Basisklemmen angewendet werden kann, während das Emitterterminal geöffnet wird.
Maximale Collector-Emitter-Spannung (VCEO): Typisch um 80 V.

Dies ist die maximale Spannung, die zwischen den Kollektor- und Emitterterminals angewendet werden kann, während die Basis geöffnet ist.
Gewinn (HFE oder Beta): Typischerweise etwa 25 bis 75.

Der als HFE oder Beta bezeichnete Gewinn repräsentiert die Verstärkungsfähigkeit des Transistors. Es zeigt, wie viel der Sammlerstrom im Vergleich zum Basisstrom verstärkt wird.
Paket: Der BD139 ist in den Paketen TO-126 oder bis 126-3 häufig erhältlich, die für Transistoren mit mittlerer Leistung geeignet sind.

Anwendungen: Der BD139-Transistor wird in verschiedenen Amplifikations- und Schaltanwendungen mit niedriger bis mittlerer Leistung verwendet, z. B. Audioverstärker, Signalverstärker, Spannungsverstärker und elektronische Schaltungen im Allgemeinen.

Komplementäres Paar: Der BD139 wird häufig in Verbindung mit seinem komplementären PNP-Transistor wie dem BD140 verwendet, um einen Push-Pull-Verstärker oder ein Schaltpaar für Anwendungen zu bilden, die einen bidirektionalen Stromfluss benötigen.

Äquivalent für BD139

Der BD139 ist ein NPN-Transistor mittlerer Leistung, der häufig in Audioverstärkungs- und Schaltanwendungen verwendet wird, mit einem maximalen Kollektorstrom von 1,5 A und einer Kollektor-Emitter-Spannung von 80 V. Als Ersatz können mehrere Transistoren dienen, die ähnliche elektrische Eigenschaften und Funktionalitäten bieten:

BD169:

NPN-Transistor mit vergleichbaren Spannungs- und Stromwerten.
Geeignet für allgemeine Verstärkungs- und Schaltanwendungen.
BD230:

NPN-Transistor mit einem maximalen Kollektorstrom von 2A und einer Kollektor-Emitter-Spannung von 100V.
Bietet eine höhere Strombelastbarkeit und eignet sich daher für etwas anspruchsvollere Anwendungen.
MJE244:

NPN-Leistungstransistor mit einem maximalen Kollektorstrom von 3A und einer Kollektor-Emitter-Spannung von 100V.
Bietet höhere Strom- und Spannungswerte und eignet sich für anspruchsvollere Anwendungen.
TIPP31C:

NPN-Transistor mit einem maximalen Kollektorstrom von 3A und einer Kollektor-Emitter-Spannung von 100V.
Wird häufig in Verstärkerschaltungen und allgemeinen Schaltanwendungen verwendet.
BCP56 (SOT-223):

SMD-Version des BD139-Transistors.
Konzipiert für die Oberflächenmontage und bietet ähnliche Parameter und Funktionen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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