BSS138 Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

BSS138 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
ON Semiconductor	BSS138	198Kb/7P	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor November, 2021 ??Rev. 6
Taiwan Semiconductor Co...	BSS138	395Kb/6P	N-Channel Power MOSFET Version: A2007
Diodes Incorporated	BSS138	387Kb/5P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev 21
	BSS138	139Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Rev. 13 - 2 May 2008
	BSS138	92Kb/5P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30144 Rev. 6 - 2
	BSS138	485Kb/5P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30144 Rev. 11 - 2
Wuxi NCE Power Semicond...	BSS138	289Kb/7P	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Weitron Technology	BSS138	222Kb/4P	Small Signal MOSFET N-Channel
Silikron Semiconductor ...	BSS138	414Kb/8P	Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS
Chino-Excel Technology	BSS138	481Kb/5P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Pan Jit International I...	BSS138	114Kb/5P	50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
Unisonic Technologies	BSS138	157Kb/3P	N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE
Unisonic Technologies	BSS138	160Kb/3P	N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE
Shanghai Shunye Electro...	BSS138	898Kb/5P	N-Channel 50-V(D-S) MOSFET V2.22
Bruckewell Technology L...	BSS138	586Kb/4P	Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS
ZP Semiconductor	BSS138	295Kb/3P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
GOOD-ARK Electronics	BSS138	839Kb/7P	50V N-Channel MOSFET
Siemens Semiconductor G...	BSS138	138Kb/8P	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)
EVER SEMICONDUCTOR CO.,...	BSS138	1Mb/4P	N-Channel MOSFET Rev:2022A2
TECH PUBLIC Electronics...	BSS138	1Mb/5P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Kurze Beschreibung von BSS138

BSS138 ist ein kleines Signal-N-Kanal-MOSFET (Field-Effect-Transistor mit Metal-Oxid-Semiconductor), das üblicherweise bei Anwendungen mit niedriger Spannungsschaltanwendungen verwendet wird. Es handelt sich um ein Oberflächengerät, das in einem kleinen SOT-23-Paket erhältlich ist.

Das BSS138 MOSFET hat eine maximale Spannung von 50 V und einen maximalen Abflussstrom von 220 mA. Es hat auch eine geringe Voraussetzung mit einem typischen RDS (ON) von 3,5 Ohm und einem Maximum von 5 Ohm.

Aufgrund seiner geringen Aufnahmebeständigkeit und seiner Schwellenspannung mit niedrigem Gate wird das BSS138-MOSFET häufig in Niederspannungsschaltanwendungen wie DC-DC-Wandlern, Lastschalter und Motorsteuerungsschaltungen verwendet.

Bei der Verwendung des BSS138 -MOSFET oder eines anderen MOSFET in einer Schaltung ist es wichtig, auf die Pinbelegungs- und Betriebsparameter zu achten, um sicherzustellen, dass es ordnungsgemäß verzerrt ist und innerhalb der sicheren Betriebsgrenzen arbeitet.

Äquivalent für BSS138

Der BSS138 ist ein kleines Signal-N-Kanal-MOSFET mit einem maximalen Abflussstrom von 220 mA und einer maximalen Spannung von 50 V. Wenn Sie ein BSS138 -MOSFET ersetzen müssen, finden Sie hier einige Optionen, die Sie in Betracht ziehen können:

2N7002: Dies ist ein beliebtes N-Kanal-MOSFET mit einem maximalen Abflussstrom von 115 mA und einer maximalen Spannung von Abflussquellen von 60 V. Es kann als Ersatz für das BSS138 -MOSFET in vielen Anwendungen mit niedrigem Strom verwendet werden.

IRF520: Dies ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET mit einem maximalen Abflussstrom von 9,2a und einer maximalen Spannung von 100 V. Es kann als Ersatz für das BSS138 -MOSFET in Anwendungen verwendet werden, bei denen ein höherer Strom und eine Spannungsfähigkeit erforderlich ist.

BS170: Dies ist ein weiterer N-Kanal-MOSFET mit einem maximalen Abflussstrom von 500 mA und einer maximalen Spannung von Abflussquellen von 60 V. Es kann als Ersatz für das BSS138 -MOSFET in vielen Anwendungen mit niedrigem Strom verwendet werden.

AO3400: Dies ist eine Niedrigspannungs-N-Kanal-MOSFET mit einem maximalen Abflussstrom von 4,3A und einer maximalen Spannung von 30 V. Es kann als Ersatz für das BSS138 -MOSFET in Anwendungen verwendet werden, bei denen eine niedrigere Spannungsfähigkeit erforderlich ist.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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