BSS84 Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

BSS84 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NXP Semiconductors	BSS84	89Kb/12P	P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor 1997 Jun 18
Taiwan Semiconductor Co...	BSS84	397Kb/6P	P-Channel Power MOSFET Version: A2007
ON Semiconductor	BSS84	196Kb/7P	P-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor October, 2021 ??Rev. 5
Diodes Incorporated	BSS84	289Kb/6P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev 22
	BSS84	48Kb/2P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30149 Rev. 5 - 2
	BSS84	106Kb/4P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Rev. 14 - 2 February 2010
NXP Semiconductors	BSS84	70Kb/11P	P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor Rev. 06-16 December 2008
Diodes Incorporated	BSS84	103Kb/3P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30149 Rev. 11 - 2
Pan Jit International I...	BSS84	139Kb/4P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Weitron Technology	BSS84	127Kb/4P	Small Signal MOSFET P-Channel
Fairchild Semiconductor	BSS84	285Kb/10P	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Guilin Strong Micro-Ele...	BSS84	303Kb/3P	SOT-23 Field Effect Transistors
Fairchild Semiconductor	BSS84	247Kb/6P	P-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor
Nanjing International G...	BSS84	792Kb/5P	Energy Efficient
Bruckewell Technology L...	BSS84	328Kb/4P	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
ZP Semiconductor	BSS84	372Kb/5P	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Shanghai Shunye Electro...	BSS84	1Mb/3P	MOSFET(P-Channel) V2.22
Siemens Semiconductor G...	BSS84	73Kb/7P	SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)
Chino-Excel Technology	BSS84	468Kb/5P	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Micro Commercial Compon...	BSS84	807Kb/4P	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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Kurze Beschreibung von BSS84

Das BSS84 ist eine Teilbezeichnung, die typischerweise für einen kleinen N-Kanal-MOSFET (metalloxid-seemischem Feld-Effekt-Transistor) verwendet wird. MOSFETs werden üblicherweise als Schalter oder Verstärker in verschiedenen elektronischen Anwendungen verwendet.

Hier sind einige allgemeine Spezifikationen für das BSS84 MOSFET:

Maximale Drain-Source-Spannung (VDS): Typischerweise etwa 50 Volt
Maximaler Abflussstrom (ID): In der Regel rund 130 Milliampere
Maximale Gate-Source-Spannung (VGS): Typischerweise um ± 20 Volt
Schwellenspannung (VGS (TH)): Typischerweise etwa 0,7 bis 3,0 Volt
Drain-Source On-Resistenance (RDS (ON)): In der Regel etwa 10 Ohm
Packungstyp: Typischerweise SOT-23 (ein kleines Oberflächenmontagepaket)
Das BSS84-MOSFET wird üblicherweise in Schaltanwendungen mit geringer Leistung verwendet, z.

Äquivalent für BSS84

Ein geeigneter Ersatz für den BSS84 P-Kanal-MOSFET-Transistor ist der BSP84.

Der BSP84 ist auch ein P-Kanal-MOSFET-Transistor mit ähnlichen Eigenschaften und kann als Ersatz für den BSS84 verwendet werden. Es wird üblicherweise in Schaltanwendungen mit geringer Leistung und Verstärkung in elektronischen Schaltungen verwendet.

Hier sind einige wichtige Ähnlichkeiten zwischen den BSS84- und BSP84 -Transistoren:

Drain-Source-Spannung (VDS): Der BSP84 hat typischerweise eine ähnliche maximale Drain-Source-Spannung wie der BSS84.

Continuous Drain Cural (ID): Der BSP84 hat typischerweise eine vergleichbare maximale kontinuierliche Abflussstroms als BSS84.

Total Power Dissipation (PD): Die Leistungsdissipationsfähigkeit des BSP84 ähnelt normalerweise der des BSS84.

Gate-Source-Schwellenspannung (VGS (TH)): Die Gate-Source-Schwellenspannung des BSP84 liegt typischerweise innerhalb eines ähnlichen Bereichs wie der BSS84.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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