DB201S Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

DB201S Datenblatt, PDF

Suche Teilenummer : entspricht Summe, beginnt mit Summe "DB201S" - Total : 48 ( 1/3 Page)

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
SeCoS Halbleitertechnol...	DB201S	106Kb/2P	2.0 Amp Surface Mount Bridge Rectifiers
Rectron Semiconductor	DB201S	378Kb/6P	SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 2.0 Amperes
SeCoS Halbleitertechnol...	DB201S	151Kb/2P	2.0 Amp Surface Mount Bridge Rectifiers
Shanghai Shunye Electro...	DB201S	1Mb/2P	SINGLE PHASE GLASSPASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS V2.22
Kwang Myoung I.S. CO.,L...	DB201S	252Kb/2P	2 Amp Single Phase Glass Passivated Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts
RFE international	DB201S	961Kb/3P	Bridge Rectifiers 01-30-2023
Formosa MS	DB201S	1Mb/7P	SMD Bridge Rectifier
ASEMI TECHNOLOGY., LTD	DB201S	177Kb/2P	ASEMI Bridge Rectifier 2018.11 Rev.3.1
Goodwork Semiconductor ...	DB201S	66Kb/2P	SINGLE PHASE 2.0 AMP SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIERS
SMC Diode Solutions Co....	DB201S	376Kb/5P	DB201S THRU DB207S SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIERS
Nanjing International G...	DB201S	1Mb/3P	DBS Plastic-Encapsulate Bridge R ectifier
Jinan Jing Heng Electro...	DB201S	45Kb/2P	SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
Diode Semiconductor Kor...	DB201S	87Kb/2P	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
Dc Components	DB201S	57Kb/2P	RECTIFIER SPECIALISTS
DIYI Electronic Technol...	DB201S	1Mb/2P	SINGLE PHASE 2.0AMP SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
DIYI Electronic Technol...	DB201S	2Mb/3P	SINGLE PHASE 2.0AMP SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
AiT Semiconductor Inc.	DB201S	533Kb/5P	BRIDGE RECTIFIER REVERSE VOLTAGE 50 TO 1000V FORWARD CURRENT 2.0 A REV1.0
Thinki Semiconductor Co...	DB201S	1Mb/2P	2.0 AMPERE SINGLE PHASE GLASS PASSIVATION SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIERS
Zibo Seno Electronic En...	DB201S	73Kb/2P	2.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
Yangzhou yangjie electr...	DB201S	180Kb/4P	Bridge Rectifiers

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Kurze Beschreibung von DB201S

Das DB201s ist eine Teilbezeichnung, die typischerweise für einen einphasigen Brückengleichrichter verwendet wird. Es wird üblicherweise zur Konvertierung des Wechselstroms (AC) in Gleichstrom (DC) in Stromversorgungsanwendungen verwendet.

Hier sind einige allgemeine Spezifikationen für den DB201S -Brückengleichrichter:

Maximal durchschnittlicher vorwärts behobener Strom (IO): Typischerweise etwa 2 Ampere
Maximaler Spitzenspitzenspannungsstrom (IFSM): Typischerweise etwa 80 Ampere (für eine bestimmte Impulsbreite und Wiederholungsrate)
Maximale Rückspannung (VR): Typischerweise etwa 100 Volt
Maximaler Vorwärtsspannungsabfall (VF): Typischerweise etwa 1,1 Volt am Nennstrom
Maximaler Rückstrom (IR): Typischerweise etwa 5 Mikroampere an der Nennspannung
Packungstyp: DBS (ein Oberflächenmontagepaket mit vier Stiften)

Äquivalent für DB201S

DB201S ist eine einphasige Brücke Gleichrichterdiode, die üblicherweise in elektronischen Schaltungen zur Stromversorgung verwendet wird. Wenn Sie nach einem Ersatz für DB201s suchen, können Sie die folgenden Alternativen in Betracht ziehen:

KBPC2510 - Dies ist eine einphasige Brücke Gleichrichterdiode mit einem maximalen durchschnittlichen Vorwärtsstrom von 25a und einer maximalen Rückspannung von 1000 V. Es hat ähnliche elektrische Eigenschaften wie die DB201s und ist in einem Durchleitungspaket erhältlich.

GBU2510 - Dies ist eine einphasige Brücke Gleichrichterdiode mit einem maximalen durchschnittlichen Vorwärtsstrom von 25a und einer maximalen Rückspannung von 1000 V. Es kann als Ersatz für DB201s in Hochleistungsanwendungen verwendet werden.

MB2510 - Dies ist eine einphasige Brücke -Gleichrichterdiode mit einem maximalen durchschnittlichen Vorwärtsstrom von 25a und einer maximalen Rückspannung von 1000 V. Es hat einen kleineren Formfaktor im Vergleich zum KBPC2510 und ist in einem Oberflächenmontagepaket erhältlich.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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