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ES1AF Datenblatt, PDF

Suche Teilenummer : entspricht Summe, beginnt mit Summe "ES1AF" - Total : 43 ( 1/3 Page)

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Pan Jit International I...	ES1AF	269Kb/4P	SURFACE MOUNT SUPERFAST RECTIFIER
Shanghai Shunye Electro...	ES1AF	556Kb/3P	SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIER V2.22
UN Semiconducctor INC	ES1AF	2Mb/4P	Surface Mount Superfast Recovery Rectifier Revision March 1,2022
SAMYANG ELECTRONICS CO....	ES1AF	2Mb/3P	SUPER FAST RECTIFIERS
Jinan Jing Heng Electro...	ES1AF	64Kb/2P	SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED JUNCTION SUPER FAST RECOVERY RECTIFIER
SUNMATE electronic Co.,...	ES1AF	336Kb/2P	SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIER DIODES
AiT Semiconductor Inc.	ES1AF	534Kb/5P	RECTIFIER DIODES REVERSE VOLTAGE 50V TO 600V FORWARD CURRENT 1A REV1.0
Xian Semipower Electron...	ES1AF	130Kb/3P	Surface Mount Superfast Recovery Rectifier
Rectron Semiconductor	ES1AF	382Kb/5P	SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SUPER FAST SILICON RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 to 600 Volts CURRENT 1.0 Ampere
First Silicon Co., Ltd	ES1AF	405Kb/2P	SURFACE MOUNT SUPERFAST RECTIFIER
Bytesonic Electronics C...	ES1AF	227Kb/2P	1.0 AMP SUPER FAST RECTIFIERS Version 1.3 2019/6/20
Nantong Hornby Electron...	ES1AF	277Kb/3P	SURFACE MOUNT SUPERFAST RECOVERY RECTIFIER
Nanjing International G...	ES1AF	142Kb/2P	1.0AMPSUPERFASTRECTIFIERS
GUANGDONG HOTTECH INDUS...	ES1AF	152Kb/3P	SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIER
Shenzhen Yixinwei Techn...	ES1AF	73Kb/2P	SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIER
Shenzhen Yixinwei Techn...	ES1AF	128Kb/2P	SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIER
Guangdong Juxing Electr...	ES1AF	1Mb/3P	Surface Mount Superfast Rectifiers
Shanghai Yint Electroni...	ES1AF	551Kb/3P	Surface Mount Superfast Recovery Rectifier
Galaxy Semi-Conductor H...	ES1AF	386Kb/4P	Super-Fast Rectifiers
Jiangsu High diode Semi...	ES1AF	1Mb/4P	Super Fast Recovery Rectifier Diode

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Kurze Beschreibung von ES1AF

Das ES1AF ist eine Teilbezeichnung, die typischerweise für eine Oberflächenmontage Ultrafast Recovery -Gleichrichterdiode verwendet wird. Ultraast-Wiederherstellungsdioden sind so ausgelegt, dass sie eine sehr kurze Rückgewinnungszeit haben, sodass sie schnell ausschalten und die Schaltverluste in hochfrequenten und hocheffizienten Anwendungen minimieren können.

Hier sind einige allgemeine Spezifikationen für die ES1AF -Gleichrichterdiode:

Maximale Rückspannung (VR): Typischerweise etwa 50 Volt
Maximal durchschnittlicher Vorwärtsgerichtungsstrom (if (av)): Typisch um 1 Ampere
Maximaler Spitzenspitzenspannungsstrom (IFSM): Typischerweise etwa 30 Ampere (für eine bestimmte Impulsbreite und Wiederholungsrate)
Maximale Reverse -Erholungszeit (TRR): Typischerweise im Bereich von Nanosekunden zu zehn Nanosekunden
Packungstyp: In der Regel SMB (Oberflächenmontage -Geräte -Miniatur -SMB -Paket) oder SMA (Oberflächenmontage -Geräte -Miniatur -SMA -Paket)

Äquivalent für ES1AF

ES1AF ist eine schnelle Diode für die Gleichrichter, die in elektronischen Schaltungen üblicherweise verwendet wird, um die Wechselspannung in DC -Spannung umzuwandeln. Wenn Sie nach einem Ersatz für ES1AF suchen, können Sie die folgenden Alternativen in Betracht ziehen:

ES2D - Dies ist eine 2A -Diode für schnelle Wiederherstellungsgleichrichter mit einer maximalen Spannung von 200 V. Es hat ähnliche elektrische Eigenschaften wie die ES1AF und ist in einem Oberflächenmontagepaket erhältlich.

HER208 - Dies ist eine 2A -Diode mit hoher Effizienz -Gleichrichter mit einer maximalen Spannung von 1000 V. Es hat ähnliche Strom- und Spannungsbewertungen wie die ES1AF und ist in einem Durchleitungspaket erhältlich.

MUR160 - Dies ist eine 1A -Diode für ultraschnelle Wiederherstellungsrichter mit einer maximalen Spannung von 600 V. Es hat eine niedrigere Strombewertung im Vergleich zum ES1AF, hat jedoch eine viel schnellere Wiederherstellungszeit und kann als Ersatz für Anwendungen verwendet werden, die eine schnellere Schaltgeschwindigkeit erfordern.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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