IRF3710 Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

IRF3710 Datenblatt, PDF

Suche Teilenummer : entspricht Summe, beginnt mit Summe "IRF3710" - Total : 34 ( 1/2 Page)

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
International Rectifier	IRF3710	94Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=23mohm, Id=57A)
Nell Semiconductor Co.,...	IRF3710	346Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRF3710	715Kb/8P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF3710	65Kb/2P	isc N-Channel Mosfet Transistor
First Silicon Co., Ltd	IRF3710	280Kb/2P	N -Channel Power MOSFET (100V/59A)
International Rectifier	IRF3710L	184Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
Inchange Semiconductor ...	IRF3710L	300Kb/2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF3710LPBF	279Kb/11P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 23m廓 , ID = 57A )
International Rectifier	IRF3710PBF	185Kb/8P	HEXFET Power MOSFET
Thinki Semiconductor Co...	IRF3710PBF	1Mb/7P	57A,100V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET
International Rectifier	IRF3710PBF	224Kb/8P	Advanced Process Technology
International Rectifier	IRF3710S	184Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
Inchange Semiconductor ...	IRF3710S	189Kb/2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF3710SPBF	279Kb/11P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 23m廓 , ID = 57A )
	IRF3710SPBF	309Kb/10P	Advanced Process Technology
	IRF3710STRLPBF	297Kb/10P	Advanced Process Technology
	IRF3710STRRPBF	297Kb/10P	HEXFET짰 Power MOSFET
	IRF3710Z	270Kb/12P	AUTOMOTIVE MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRF3710Z	4Mb/12P	Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance
Inchange Semiconductor ...	IRF3710Z	339Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor

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Kurze Beschreibung von IRF3710

Der IRF3710 ist ein leistungsstarker N-Kanal-Leistungs-MOSFET für Hochgeschwindigkeitsschalt- und Leistungssteuerungsanwendungen in der Unterhaltungs- und Industrieelektronik. Der von International Rectifier (jetzt Teil von Infineon Technologies) hergestellte IRF3710 wird häufig in Motorantrieben, DC/DC-Wandlern, Netzteilen, Wechselrichtern und anderen hocheffizienten Energiemanagementsystemen eingesetzt.

Dieses Bauelement ist für eine Drain-Source-Spannung (V_DS) von 100 V ausgelegt und kann bei ausreichender Wärmeableitung einen kontinuierlichen Drainstrom von bis zu 57 A verarbeiten. Der sehr niedrige Durchlasswiderstand (R_DS(on)) von ca. 0,02 Ohm reduziert Leitungsverluste und verbessert den Gesamtwirkungsgrad in Schaltanwendungen. Seine hohe Schaltgeschwindigkeit und die geringe Gate-Ladung machen ihn ideal für die Hochfrequenz-Leistungswandlung und PWM-Steuerung.

Der IRF3710 ist in einem Standard-TO-220-Gehäuse untergebracht, bietet hervorragende thermische Eigenschaften und lässt sich problemlos in bedrahtete Leiterplattendesigns integrieren. Für die volle Leistungssteigerung benötigt er eine Gate-Ansteuerspannung von ca. 10 V und ist daher mit den meisten MOSFET-Treiber-ICs und Logikpegel-Steuerschaltungen (mit entsprechender Schnittstelle) kompatibel.

Der IRF3710 ist ein robuster, effizienter und weit verbreiteter N-Kanal-MOSFET und bietet eine zuverlässige Lösung für Schaltanwendungen mittlerer bis hoher Leistung, bei denen geringe Verluste und ein schneller Betrieb entscheidend sind.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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