IRF510 Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

IRF510 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	IRF510	1Mb/8P	Power MOSFET 30-Jun-08
Vishay Siliconix	IRF510	158Kb/8P	Power MOSFET 02-Aug-2021
Analog Devices	IRF510	2Mb/13P	Analog Devices Wiki 7/12/22
Supertex, Inc	IRF510	70Kb/2P	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs
Fairchild Semiconductor	IRF510	151Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
Intersil Corporation	IRF510	70Kb/7P	5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET November 1999
International Rectifier	IRF510	175Kb/6P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
Harris Corporation	IRF510	71Kb/7P	4.9A, and 5.6A, 80V and 100V, 0.54 and 0.74 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
New Jersey Semi-Conduct...	IRF510	111Kb/2P	Repetitive Avalanche Rated
Inchange Semiconductor ...	IRF510	45Kb/2P	isc N-Channel Mosfet Transistor
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRF510	374Kb/5P	N-Channel Power Mosfets
SYC Electronica	IRF510	132Kb/6P	5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET
List of Unclassifed Man...	IRF510	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Fairchild Semiconductor	IRF510-513	151Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
Fairchild Semiconductor	IRF510A	252Kb/7P	Advanced Power MOSFET
Vishay Siliconix	IRF510N	1Mb/8P	Power MOSFET 30-Jun-08
Vishay Siliconix	IRF510N	176Kb/9P	Power MOSFET 30-May-11
International Rectifier	IRF510N	175Kb/6P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
Intersil Corporation	IRF510N	70Kb/7P	5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET November 1999
New Jersey Semi-Conduct...	IRF510N	111Kb/2P	Repetitive Avalanche Rated

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Kurze Beschreibung von IRF510

Der IRF510 ist ein weit verbreiteter N-Kanal-MOSFET-Transistor. MOSFETs (Transistoren für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekteffekte) sind eine Art Transistor, mit dem die elektronischen Signale in verschiedenen Geräten, von kleinen Elektronik bis zu großflächigen elektrischen Systemen, amplifizieren oder schalten.

Insbesondere das IRF510 ist bekannt für seine einfache Antriebsantrieb, die Fähigkeit zur Handhabung und Effizienz relativ hoher Strom. Es wird häufig in Anwendungen wie Schaltnutzungsversorgungen, Motorsteuerungen, Wechselrichtern, Hubern, Audioverstärkern und Hochgeschwindigkeitstreibern verwendet.

Hier sind einige der wichtigsten Eigenschaften des IRF510 -MOSFET:

VDSS (Drain-Source-Breakdown-Spannung): Es kann eine maximale Drain-Source-Spannung verarbeiten, typischerweise etwa 100 V, was bedeutet, dass sie in Schaltkreisen mit hohen Spannungsanforderungen verwendet werden kann.

ID (kontinuierlicher Abflussstrom): Dies gibt den Strom an, der kontinuierlich durch den Abfluss fließen kann, wobei der IRF510 normalerweise um 5,6a bewertet wird.

RDS (ON) (Drain-Source On-Resistenz): Dies ist der Widerstand zwischen dem Abfluss und der Quelle, wenn sich der Transistor anmacht. Für den IRF510 ist dies in der Regel recht niedrig, was es in Bezug auf die Leistungsabteilung effizient macht.

VGS (TH) (Gate -Schwellenspannung): Dies ist die Spannung, bei der sich das MOSFET einschalten beginnt. Für den IRF510 liegt die Gate -Schwellenspannung typischerweise etwa 2 V bis 4 V.

Leistungsdissipation: Die maximale Leistung, die der IRF510 verarbeiten kann, ohne die maximale Anschlusstemperatur zu überschreiten, beträgt typischerweise etwa 43 Watt, was für viele Anwendungen ausreicht.

Konfigurationen: Es ist in einem TO-220-Paket erhältlich, das für die Montage durch die Loch geeignet ist und die Verwendung bei Prototyping und Produktion einfach zu verwenden ist.

Betriebstemperatur: Es arbeitet normalerweise innerhalb eines Temperaturbereichs von -55 ° C bis +175 ° C und bietet einen guten Bereich für verschiedene Umgebungen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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