IRF540 Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

IRF540 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NXP Semiconductors	IRF540	86Kb/9P	N-channel TrenchMOS transistor August 1999 Rev 1.100
STMicroelectronics	IRF540	53Kb/6P	N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI POWER MOSFET Apr-1998
STMicroelectronics	IRF540	311Kb/8P	N-CHANNEL 100V - 0.055Ω - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET™II POWER MOSFET Feb-2003
Vishay Siliconix	IRF540	1Mb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
	IRF540	282Kb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRF540	156Kb/8P	Power MOSFET 02-Aug-2021
Fairchild Semiconductor	IRF540	146Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
International Rectifier	IRF540	177Kb/6P	HEXFET POWER MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRF540	6Mb/7P	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
Nell Semiconductor Co.,...	IRF540	338Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
New Jersey Semi-Conduct...	IRF540	984Kb/3P	25A and 28A, 80V and 100V, 0.077 and 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
New Jersey Semi-Conduct...	IRF540	103Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100 V
First Silicon Co., Ltd	IRF540	1Mb/4P	N -Channel Power MOSFET (100V/27A)
SYC Electronica	IRF540	259Kb/7P	N-CHANNEL 100V - 0.055 W - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF540	308Kb/2P	N-Channel Power MOSFET
Nanjing International G...	IRF540	2Mb/7P	TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...	IRF540	1Mb/5P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
List of Unclassifed Man...	IRF540	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Fairchild Semiconductor	IRF540A	256Kb/7P	Advanced Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF540A	280Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

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Kurze Beschreibung von IRF540

Der IRF540 ist ein beliebter MOSFET (Metal-Oxid-Semiconductor Field-Effect Transistor), der in elektronischen Schaltungen für Hochleistungsschalt- und Verstärkungsanwendungen verwendet wird. Es ist Teil der IRF -Reihe von LeistungsmOSFets und ist bekannt für seine Fähigkeit, relativ hohe Ströme und Spannungen zu bewältigen. Hier finden Sie einige wichtige Funktionen und Spezifikationen des IRF540 -MOSFET:

Polarität: N-Kanal.

Der IRF540 ist ein N-Kanal-MOSFET, was bedeutet, dass der Elektronenfluss zum Schalten und Steuerelektrikum verwendet wird.
Drain-Source-Spannung (VDS): In der Regel bei 100 V bewertet.

Die maximale Spannung, die zwischen den Abfluss- und Quellanschlüssen angewendet werden kann, wenn sich das MOSFET im Aus -Status befindet.
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): Typischerweise bei 33a bewertet.

Der maximale Strom kann der MOSFET kontinuierlich im State verarbeiten.
On-Resistenz (RDS (ON): Typischerweise niedrig, oft im Milliohm-Bereich.

Der Widerstand zwischen Abfluss- und Quellklemmen, wenn das MOSFET vollständig eingeschaltet ist.
Gate -Schwellenspannung (VGS (TH)): Typischerweise um 2 V bis 4 V.

Die Spannung, die erforderlich ist, um das MOSFET einzuschalten.
Gate-Source-Spannung (VGS): Normalerweise bis ± 20 V.

Die maximale Spannung, die zwischen den Gate- und der Quellklemme angewendet werden kann.
Paket: Der IRF540 ist in der Regel in bis-220- oder to-220AB-Paketen erhältlich, die eine gute thermische Leistung und eine einfache Montage für Kühlkühlungen bieten.

Anwendungen: Das IRF540-MOSFET wird üblicherweise in Hochleistungsanwendungen verwendet, wie z. B. Schaltnetzversorgungen, Motorsteuerungsschaltungen, Verstärkerausgangsstufen und andere Anwendungen, für die ein hohes Stromverwalter erforderlich ist.

Wärmeabteilung: Der IRF540 kann während des Betriebs Wärme erzeugen, sodass für Hochleistungsanwendungen eine angemessene thermische Behandlung, einschließlich des Wärmeverbindens, erforderlich sein kann.

Avalanche -Energie -Bewertung: Der IRF540 verfügt über eine Lawinenenergie -Bewertung, die die Energiemenge angibt, die der MOSFET bei transienten Spannungsspitzen sicher absorbieren kann.

Äquivalent für IRF540

Der IRF540 ist ein N-Kanal-MOSFET, der üblicherweise für Hochstrom-Schaltanwendungen verwendet wird und eine maximale Drain-Source-Spannung von 100 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von 28 A aufweist. Mehrere MOSFETs bieten ähnliche Eigenschaften und können als Ersatz dienen:

IRF540N:

Eine verbesserte Version des IRF540 mit verbesserter Leistung.
Maximale Drain-Source-Spannung: 100 V.
Dauerstrom: 33A.
Geringerer Einschaltwiderstand, was zu einer höheren Effizienz führt.
IRFZ44N:

N-Kanal-MOSFET mit vergleichbaren Spannungs- und Stromwerten.
Maximale Drain-Source-Spannung: 55 V.
Dauerstrom: 49 A.
Niedrigere Nennspannung; Stellen Sie die Kompatibilität mit Ihrer Anwendung sicher.
IRLZ44N:

N-Kanal-MOSFET auf Logikebene, geeignet für Niederspannungs-Gate-Ansteuerung.
Maximale Drain-Source-Spannung: 55 V.
Dauerstrom: 47 A.
Ideal für die Anbindung an Mikrocontroller.
STP55NF06:

N-Kanal-MOSFET mit ähnlichen Spezifikationen.
Maximale Drain-Source-Spannung: 60 V.
Dauerstrom: 50A.
Geeignet für verschiedene Schaltanwendungen.
BUZ11:

N-Kanal-MOSFET mit vergleichbaren Nennwerten.
Maximale Drain-Source-Spannung: 50 V.
Dauerstrom: 30A.
Wird häufig in Automobilanwendungen verwendet.
Berücksichtigen Sie bei der Auswahl eines Ersatzes die folgenden Faktoren:

Spannungs- und Stromwerte: Stellen Sie sicher, dass der Ersatz-MOSFET die erforderlichen Spannungs- und Stromwerte in Ihrem Schaltkreis verarbeiten kann.
Einschaltwiderstand (R_DS(on)): Ein geringerer Einschaltwiderstand führt zu einem höheren Wirkungsgrad und einer geringeren Wärmeerzeugung.
Gate-Schwellenspannung: Stellen Sie sicher, dass die Gate-Ansteuerspannung in Ihrem Design ausreicht, um den MOSFET vollständig einzuschalten.
Gehäusetyp und Pin-Konfiguration: Stellen Sie sicher, dass das physische Gehäuse und die Pinbelegung mit Ihrem Schaltungslayout kompatibel sind.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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