IRF730 Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

IRF730 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NXP Semiconductors	IRF730	59Kb/7P	PowerMOS transistor Avalanche energy rated March 1999 Rev 1.000
STMicroelectronics	IRF730	94Kb/8P	N - CHANNEL 400V - 0.75 ohm - 5.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET Aug-1998
Vishay Siliconix	IRF730	134Kb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
	IRF730	277Kb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRF730	156Kb/8P	Power MOSFET 16-Aug-2021
Fairchild Semiconductor	IRF730	177Kb/6P	N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V
Fairchild Semiconductor	IRF730	898Kb/10P	400V N-Channel MOSFET
Intersil Corporation	IRF730	54Kb/7P	5.5A, 400V, 1.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET July 1999
International Rectifier	IRF730	102Kb/8P	SMPS MOSFET
Suntac Electronic Corp.	IRF730	79Kb/3P	POWER MOSFET
Advanced Power Electron...	IRF730	95Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Dc Components	IRF730	206Kb/2P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF730	128Kb/1P	N-channel mosfet transistor
Nell Semiconductor Co.,...	IRF730	341Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
New Jersey Semi-Conduct...	IRF730	848Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 350 V/400 V
First Components Intern...	IRF730	100Kb/3P	6.0A 400V N CHANNEL POWER MOSFET
International Rectifier	IRF730	355Kb/16P	High Power Factor/Low THD
First Silicon Co., Ltd	IRF730	365Kb/6P	6.0A, 400V, 1.0廓 N-CHANNEL POWER MOSFET
List of Unclassifed Man...	IRF730	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
International Rectifier	IRF7301	113Kb/9P	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.050ohm)

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Kurze Beschreibung von IRF730

Der IRF730 ist ein Power MOSFET (Metal-Oxid-Sämiener-Feld-Effekt-Transistor) für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen. Es wird von verschiedenen Halbleiterherstellern, einschließlich Infineon -Technologien, über Halbleiter und andere hergestellt. Hier sind einige wichtige Funktionen und Spezifikationen des IRF730:

MOSFET-Typ: Der IRF730 ist ein MOSFET der N-Channel Enhancement-Mode. In einem Verbesserungsmodus-MOSFET leitet das Gerät, wenn eine Spannung auf das Gate-Anschluss angewendet wird, im Gegensatz zu MOSFETs des Depletion-Modus, die standardmäßig läuft, bis eine Spannung auf das Gate angewendet wird, um sie auszuschalten.

Spannungs- und Strom-Bewertungen: Der IRF730 arbeitet typischerweise mit einer Drain-Source-Spannung (VDS) von rund 400 Volt und einer kontinuierlichen Drainstroms (ID) von mehreren Ampere, wodurch sie für Anwendungen mit mittlerer Kraft geeignet ist.

Niedriges On-Resistenz: Der IRF730 verfügt über niedrige On-Resistenz (RDS (ON)), was zu reduzierten Leitungsverlusten führt, wenn das MOSFET vollständig eingeschaltet ist. Dieses Merkmal ist für eine effiziente Leistungsumwandlung und -schaltanwendungen von wesentlicher Bedeutung.

Hochgeschwindigkeitsumschaltung: Mit seiner Ladung mit niedrigem Gate und den intrinsischen Kapazitäten kann der IRF730 Hochgeschwindigkeitsumschaltungen für Anwendungen geeignet sind, bei denen schnelle Schaltfrequenzen wie Netzteile, Motorantriebe und Wechselrichter erforderlich sind.

TO-220-Paket: Der IRF730 ist in einem TO-220-Paket üblicherweise erhältlich, das eine gute thermische Leistung und eine einfache Montage an einem Wärmekühlverbindungen für die Wärmeabteilung in Hochleistungsanwendungen bietet.

Anwendung: Der IRF730 wird üblicherweise in verschiedenen elektronischen Schaltungen und Anwendungen verwendet, einschließlich Schaltregulatoren, DC-DC-Wandler, Motorsteuerungsschaltungen, Stromverstärker und elektronischen Relais.

Gate-Source-Schwellenspannung (VGS (TH)): Die Gate-Source-Schwellenwertspannung gibt die Mindestspannung an, die zwischen den Gate- und Quellanschlüssen erforderlich ist, um das MOSFET einzuschalten. Dieser Parameter variiert zwischen einzelnen Geräten und sollte im Schaltungsdesign berücksichtigt werden.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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