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IRF740 Datenblatt, PDF

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IRF740 STMICROELECTRONICS-IRF740 Datasheet
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N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
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IRF740 FAIRCHILD-IRF740 Datasheet
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July 1999
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IRF740 SUNTAC-IRF740 Datasheet
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209Kb/2P
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279Kb/2P
isc N-Channel MOSFET Transistor
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SYC Electronica
IRF740 SYC-IRF740 Datasheet
234Kb/7P
N - CHANNEL 400V - 0.48 W - 10 A - TO-220 PowerMESHÔ MOSFET
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IRF740 ETC2-IRF740 Datasheet
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Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.022ohm)
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IRF7401 EVVOSEMI-IRF7401 Datasheet
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N-Channel MOSFET
Rev:2023A2

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Kurze Beschreibung von IRF740


Der IRF740 ist ein LeistungsmOSFET (Metalloxid-Semitur-Feld-Effekt-Transistor), der in elektronischen Schaltungen für Hochleistungsschalt- und Verstärkungsanwendungen üblicherweise verwendet wird. Es ist Teil der IRF -Serie von Power MOSFets und für seine Fähigkeit bekannt, hohe Ströme und Spannungen zu bewältigen. Hier finden Sie einige wichtige Funktionen und Spezifikationen des IRF740 MOSFET:

Polarität: N-Kanal.

Der IRF740 ist ein N-Kanal-MOSFET, was bedeutet, dass der Elektronenstrom zur Steuerung des elektrischen Stroms verwendet wird.
Drain-Source-Spannung (VDS): In der Regel bei 400 V bewertet.

Die maximale Spannung, die zwischen den Abfluss- und Quellanschlüssen angewendet werden kann, wenn sich das MOSFET im Aus -Status befindet.
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): Typischerweise bei 10a bewertet.

Der maximale Strom kann der MOSFET kontinuierlich im State verarbeiten.
On-Resistenz (RDS (ON): Typischerweise niedrig, häufig im Bereich von Milliohm.

Der Widerstand zwischen Abfluss- und Quellklemmen, wenn das MOSFET vollständig eingeschaltet ist.
Gate -Schwellenspannung (VGS (TH)): Typischerweise um 2 V bis 4 V.

Die Spannung, die erforderlich ist, um das MOSFET einzuschalten.
Gate-Source-Spannung (VGS): Normalerweise bis ± 20 V.

Die maximale Spannung, die zwischen den Gate- und der Quellklemme angewendet werden kann.
Paket: Der IRF740 ist in der Regel in bis-220- oder to-220AB-Paketen erhältlich, die eine gute thermische Leistung und eine einfache Montage für Kühlkühlungen bieten.

Anwendungen: Das IRF740-MOSFET wird üblicherweise in Hochleistungsanwendungen verwendet, wie z. B. Schaltnetzversorgungen, Motorsteuerungsschaltungen, Verstärkerausgangsstufen und andere Anwendungen, für die ein hohes Stromverwalter erforderlich ist.

Wärmeabteilung: Der IRF740 kann während des Betriebs Wärme erzeugen, sodass für Hochleistungsanwendungen eine angemessene thermische Behandlung, einschließlich des Wärmeverbindens, erforderlich sein kann.

Avalanche -Energie -Bewertung: Der IRF740 verfügt über eine Lawinenenergie -Bewertung, die die Energiemenge angibt, die der MOSFET bei transienten Spannungsspitzen sicher absorbieren kann.

Äquivalent für IRF740


Der IRF740 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen entwickelt wurde und eine maximale Drain-Source-Spannung von 400 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von 10 A aufweist. Mehrere MOSFETs bieten ähnliche Eigenschaften und können als Ersatz dienen:

IRF740A:

Maximale Drain-Source-Spannung: 400 V
Dauerstrom: 10A
Gesamte Gate-Ladung: 36 nC
Paket: TO-220AB
IRF740LC:

Maximale Drain-Source-Spannung: 400 V
Dauerstrom: 10A
Geringe Kapazität für verbesserte Schaltleistung
Paket: TO-220AB
IRFB13N50A:

Maximale Drain-Source-Spannung: 500 V
Dauerstrom: 13A
Gesamt-Gate-Ladung: 94 nC
Paket: TO-220AB
IRFB17N50L:

Maximale Drain-Source-Spannung: 500 V
Dauerstrom: 17 A
Niedriger Einschaltwiderstand für effizientes Schalten
Paket: TO-220AB
Berücksichtigen Sie bei der Auswahl eines Ersatzes die folgenden Faktoren:

Spannungs- und Stromwerte: Stellen Sie sicher, dass der Ersatz-MOSFET die erforderlichen Spannungs- und Stromwerte in Ihrem Schaltkreis verarbeiten kann.
Einschaltwiderstand (RDS(on)): Ein geringerer Einschaltwiderstand führt zu einem höheren Wirkungsgrad und einer geringeren Wärmeerzeugung.
Gate-Ladung: Eine niedrigere Gesamt-Gate-Ladung kann zu schnelleren Schaltzeiten und geringerem Leistungsverlust führen.
Gehäusetyp und Pin-Konfiguration: Stellen Sie sicher, dass das physische Gehäuse und die Pinbelegung mit Ihrem Schaltungslayout kompatibel sind.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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