IRF830 Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

IRF830 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NXP Semiconductors	IRF830	58Kb/7P	PowerMOS transistor Avalanche energy rated March 1999 Rev 1.000
STMicroelectronics	IRF830	92Kb/8P	N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET Aug-1998
ON Semiconductor	IRF830	119Kb/3P	Power Field Effect Transistor August, 2006 ??Rev. 1
Vishay Siliconix	IRF830	135Kb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
Intersil Corporation	IRF830	56Kb/7P	4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET July 1999
Kersemi Electronic Co.,...	IRF830	670Kb/7P	Power MOSFET
Fairchild Semiconductor	IRF830	141Kb/6P	N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V
Suntac Electronic Corp.	IRF830	225Kb/4P	POWER MOSFET
Advanced Power Electron...	IRF830	95Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Dc Components	IRF830	205Kb/2P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET
Silikron Semiconductor ...	IRF830	452Kb/6P	High current, high speed switching
Comset Semiconductor	IRF830	109Kb/3P	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
Nell Semiconductor Co.,...	IRF830	342Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
New Jersey Semi-Conduct...	IRF830	122Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450 V/500 V
New Jersey Semi-Conduct...	IRF830	122Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450 V/500 V
Inchange Semiconductor ...	IRF830	418Kb/3P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Transys Electronics	IRF830	282Kb/3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
First Components Intern...	IRF830	259Kb/5P	4.5A 500V N CHANNEL POWER MOSFET
International Rectifier	IRF830	5Mb/30P	Drives 1 x 70W HID lamp
International Rectifier	IRF830	355Kb/16P	High Power Factor/Low THD

12 3 4 5 6

12 3 4 5 .....

Kurze Beschreibung von IRF830

Der IRF830 ist eine spezifische Art von LeistungsmOSFET (Metal-Oxid-Semiconductor-Feld-Effekt-Transistor). Hier finden Sie einige Informationen über den IRF830 MOSFET:

Hersteller: Das IRF830 MOSFET wird üblicherweise von mehreren Halbleiterunternehmen hergestellt, daher kann er bei verschiedenen Herstellern erhältlich sein.

Typ: Es handelt sich um ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, was bedeutet, dass eine positive Spannung auf das Gate-Anschluss angewendet wird, um den Stromfluss zwischen Abfluss- und Quellanschlüssen zu steuern.

Spannungs- und Strombewertungen: Das IRF830-MOSFET hat typischerweise eine maximale Drain-Source-Spannung (VDS) von 500 Volt und eine kontinuierliche Drainstroms (ID) von 4,5 Ampere. Es hat auch eine maximale Leistungsdissipation (PD) von rund 75 Watt.

Paketyp: Das IRF830-MOSFET ist in einem TO-220-Paket üblicherweise erhältlich, das eine Option für Durchläufe für eine einfache Installation auf einer Leiterplatte bietet.

Merkmale: Das IRF830 MOSFET bietet Funktionen wie niedrige Einwände, hohe Schaltgeschwindigkeit und gute thermische Eigenschaften. Es ist für verschiedene Anwendungen geeignet, einschließlich Stromversorgungen, Motorsteuerung und allgemeine Schaltkreise.

Äquivalent für IRF830

Hier sind einige alternative Optionen, die als Ersatz für das IRF830 MOSFET angesehen werden können:

IRF840: Der IRF840 ist ein häufig verwendetes Leistungsmosfet, das als Ersatz für den IRF830 dienen kann. Es hat ähnliche Spannungs- und Strombewertungen, was es für viele Anwendungen geeignet ist.

IRF840A: Der IRF840A ist eine Variante des IRF840 mit verbessertem thermischen Widerstand. Es bietet eine bessere Wärmeableitungsfähigkeiten und kann als Ersatz für den IRF830 in Hochleistungsanwendungen verwendet werden.

IRF840B: Der IRF840B ist eine weitere Variante des IRF840 mit niedrigerer Eingangskapazität. Es bietet schnellere Schalteigenschaften und kann als Ersatz für den IRF830 in Anwendungen verwendet werden, bei denen schnellere Schaltgeschwindigkeiten gewünscht werden.

IRFZ44: Der IRFZ44 ist ein Power -MOSFET mit ähnlichen Spannungs- und Strombewertungen wie der IRF830. Es wird in verschiedenen Anwendungen häufig verwendet und kann in vielen Fällen als geeigneter Ersatz dienen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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