IRFP250 Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

IRFP250 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
STMicroelectronics	IRFP250	255Kb/8P	N-CHANNEL 200V - 0.073ohm - 33A TO-247 PowerMesh II MOSFET Sep-2000
Samsung semiconductor	IRFP250	518Kb/7P	N-Channel Power Mosfets
Vishay Siliconix	IRFP250	1Mb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
	IRFP250	1Mb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRFP250	522Kb/10P	Power MOSFET 24-Jan-2021
	IRFP250	1Mb/11P	Power MOSFET 21-Mar-11
Fairchild Semiconductor	IRFP250	669Kb/8P	200V N-Channel MOSFET
International Rectifier	IRFP250	493Kb/8P	N-Channel(Hexfet Transistors)
International Rectifier	IRFP250	122Kb/8P	Power MOSFET(Vdss = 200 V, Rds(on)=0.075ohm, Id=30A)
IXYS Corporation	IRFP250	47Kb/2P	Standard Power MOSFET
IXYS Corporation	IRFP250	49Kb/1P	High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series
Inchange Semiconductor ...	IRFP250	444Kb/2P	iscN-Channel MOSFET Transistor
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250	2Mb/7P	ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs
List of Unclassifed Man...	IRFP250	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Fairchild Semiconductor	IRFP250A	256Kb/7P	Advanced Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRFP250A	67Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250A	2Mb/7P	ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs
Fairchild Semiconductor	IRFP250B	669Kb/8P	200V N-Channel MOSFET
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRFP250B	451Kb/7P	200V N-Channel MOSFET
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250B	2Mb/7P	ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs

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Kurze Beschreibung von IRFP250

Der IRFP250 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET für Schalt- und Verstärkungsanwendungen in Leistungselektronikanwendungen wie Wechselrichtern, Stromversorgungen, Motorantrieben und Audioverstärkern. Ursprünglich von International Rectifier (jetzt Teil von Infineon Technologies) hergestellt, wird der IRFP250 für seine hohe Spannungsfestigkeit, robuste Strombelastbarkeit und seinen niedrigen Einschaltwiderstand geschätzt, wodurch er sich für Systeme mittlerer bis hoher Leistung eignet.

Dieser MOSFET ist für eine Drain-Source-Spannung (V_DS) von 200 V ausgelegt und kann Dauer-Drain-Ströme bis zu 30 A verarbeiten. Bei entsprechender Kühlung beträgt die maximale Verlustleistung ca. 200 W. Er verfügt über einen relativ niedrigen R_DS(on) (typischerweise ca. 0,085 Ω) und eine Gate-Schwellenspannung von 2,0–4,0 V, wodurch er effizient mit Standard-Gate-Treibern betrieben werden kann. Obwohl es sich nicht um einen Logikpegel-MOSFET handelt, eignet er sich gut für den Einsatz mit 10-V-Gate-Ansteuersignalen, die üblicherweise in Leistungsschaltkreisen verwendet werden.

Der IRFP250 ist in einem TO-247-Gehäuse untergebracht, bietet eine hervorragende Wärmeableitung und ist für die Montage auf Kühlkörpern konzipiert, um die bei Hochstrom-Schaltvorgängen entstehende Wärme abzuleiten.

Der IRFP250 ist ein robuster und zuverlässiger Leistungs-MOSFET, der effizientes Schaltverhalten und hohe Strombelastbarkeit für eine breite Palette von Industrie-, Automobil- und Hochleistungselektronik-Designs bietet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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