IRFP250N Datenblatt, PDF

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Hersteller

IRFP250N Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Infineon Technologies A...	IRFP250N	126Kb/8P	HEXFET® Power MOSFET
International Rectifier	IRFP250N	122Kb/8P	Power MOSFET(Vdss = 200 V, Rds(on)=0.075ohm, Id=30A)
Inchange Semiconductor ...	IRFP250N	169Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250N	2Mb/8P	ThinkiSemi 200V,30A N-Channel Planar Process Power MOSFETs
International Rectifier	IRFP250NPBF	208Kb/9P	HEXFET짰 Power MOSFET
International Rectifier	IRFP250NPBF	186Kb/8P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRFP250NPBF	272Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250NPBF	2Mb/8P	ThinkiSemi 200V,30A N-Channel Planar Process Power MOSFETs
International Rectifier	IRFP250NPBF	186Kb/8P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRFP250N	333Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor

Kurze Beschreibung von IRFP250N

Der IRFP250N ist ein N-Kanal-MOSFET von Infineon Technologies, der für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde, die einen hohen Wirkungsgrad und schnelles Schalten erfordern.

Hauptmerkmale:
Typ: N-Kanal-MOSFET.
Drain-Source-Spannung (Vds): 200 V.
Dauerstrom (Id): 30A.
Verlustleistung: 214 W.
Rds(on): 0,075 Ohm.
Häufige Anwendungen:
Netzteile: Wird in Hochspannungs-Schaltnetzteilen verwendet.
Motorantriebe: Geeignet für den Antrieb von Hochleistungsmotoren.
Audioverstärker: Wird häufig in Hochleistungs-Audioverstärkerstufen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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