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IRFP460 Datenblatt, PDF

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HerstellerTeilenummerDatenblattBauteilbeschribung
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NXP Semiconductors
IRFP460 PHILIPS-IRFP460 Datasheet
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PowerMOS transistors Avalanche energy rated
September 1999 Rev 1.000
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STMicroelectronics
IRFP460 STMICROELECTRONICS-IRFP460 Datasheet
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N - CHANNEL 500V - 0.22 ohm - 20 A - TO-247 PowerMESH] MOSFET
Sep-1998
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Vishay Siliconix
IRFP460 VISHAY-IRFP460 Datasheet
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Power MOSFET
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20A, 500V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFET
July 1999
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IRFP460 IRF-IRFP460 Datasheet
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Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.27ohm, Id=20A)
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IRFP460A VISHAY-IRFP460A Datasheet
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IRFP460A IRF-IRFP460A Datasheet
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Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.27ohm, Id=20A)
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IRFP460APBF VISHAY-IRFP460APBF Datasheet
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IRFP460APBF IRF-IRFP460APBF Datasheet
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SMPS MOSFET ( VDSS=500V , RDS(on)max=0.27廓 , ID=20A )
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IRFP460AS IRF-IRFP460AS Datasheet
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IRFP460B VISHAY-IRFP460B Datasheet
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D Series Power MOSFET
16-Apr-12

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Kurze Beschreibung von IRFP460


Der IRFP460 ist ein LeistungsmOSFET (Field-Effect-Transistor für Metalloxid-Sämiener-Sämienzusammenarbeiter), der üblicherweise in Hochleistungsschaltanwendungen verwendet wird, wie beispielsweise in Netzteilen, motorische Steuerung und Verstärker. MOSFETs sind spannungsgesteuerte Geräte, die für ihre schnellen Schaltgeschwindigkeiten und hohe Effizienz bekannt sind. Hier finden Sie einige wichtige Funktionen und Spezifikationen des IRFP460 MOSFET:

Typ: Der IRFP460 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, das angibt, dass ein N-Typ-Halbleitermaterial für den Kanal verwendet wird.

Spannungsbewertung: Es hat typischerweise eine hohe Drain-Source-Spannung (VDS), häufig im Bereich von 500 bis 600 Volt, was auf die maximale Spannung hinweist, die das Gerät im Aus-Status verarbeiten kann.

Aktuelle Bewertung: Der IRFP460 hat eine relativ hohe Bewertung des kontinuierlichen Abflussstroms (ID), häufig im Bereich von 20 bis 24 Ampere. Dies stellt den maximalen kontinuierlichen Strom dar, der durch das Gerät fließen kann.

Leistungsdissipation: Die Bewertung der Leistungsdissipation (PD) ist die maximale Leistung, die der MOSFET verarbeiten kann, ohne die maximale Anschlusstemperatur zu überschreiten. Es wird oft in Watts angegeben.

Gate-Schwellenspannung: Die Gate-Source-Schwellenspannung (VGS (TH)) ist die Spannung, bei der das MOSFET zu leisten beginnt. Es ist ein wichtiger Parameter für das ordnungsgemäße Gate -Antriebsdesign.

Widerstand auf dem Zustand: Der Widerstand des On-State-Widerstandes (RDS (ON)) ist ein entscheidender Parameter, der den Widerstand zwischen Abfluss und Quelle bestimmt, wenn sich das MOSFET im Zustand befindet. Niedrigere RDS -Werte (ON) -Werte weisen auf eine bessere Leitfähigkeit und reduzierte Stromverluste hin.

Gate-Source-Spannung: Die maximale Gate-Source-Spannung (VGS) ist die maximale Spannung, die zwischen den Gate- und Quellanschlüssen angewendet werden kann, ohne das MOSFET zu beschädigen.

Pakettyp: Der IRFP460 ist in einem bis-247-Paket üblicherweise erhältlich, das eine gute thermische Leistung und einfache Montage für den Kühlkörper bietet.

Anwendungen: LeistungsmOSFETs wie das IRFP460 werden in Hochleistungsanwendungen verwendet, bei denen eine effiziente Schaltung und die Abteilung mit geringer Leistung unerlässlich sind. Gemeinsame Anwendungen umfassen Leistungswechselrichter, Audioverstärker, Motorkontrolle und Netzteile.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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