IRFZ44 Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

IRFZ44 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NXP Semiconductors	IRFZ44	64Kb/8P	N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor February 1999 Rev 1.000
Samsung semiconductor	IRFZ44	197Kb/5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
Vishay Siliconix	IRFZ44	1Mb/8P	Power MOSFET 07-Jul-08
	IRFZ44	1Mb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRFZ44	1Mb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRFZ44	1Mb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRFZ44	792Kb/9P	Power MOSFET 25-Oct-2021
International Rectifier	IRFZ44	100Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=17.5mohm, Id=49A)
New Jersey Semi-Conduct...	IRFZ44	665Kb/2P	Advanced Power MOSFET
New Jersey Semi-Conduct...	IRFZ44	912Kb/3P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
Thinki Semiconductor Co...	IRFZ44	600Kb/2P	45 Ampere Typical N-Channel Trench Power MOSFETs
Thinki Semiconductor Co...	IRFZ44	442Kb/2P	45 Ampere Typical N-Channel Trench Power MOSFETs
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRFZ44	847Kb/5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
List of Unclassifed Man...	IRFZ44	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Inchange Semiconductor ...	IRFZ44A	280Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Inchange Semiconductor ...	IRFZ44CN	121Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRFZ44E	96Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.023ohm, Id=48A)
Inchange Semiconductor ...	IRFZ44E	393Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRFZ44EL	163Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.023ohm, Id=48A)
International Rectifier	IRFZ44EL	174Kb/11P	Advanced Process Technology

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Kurze Beschreibung von IRFZ44

Der IRFZ44 ist ein weit verbreiteter N-Kanal-Leistungs-MOSFET (Metalloxid-Semitur-Feld-Effekt-Transistor), der für seine Verwendung in verschiedenen elektronischen Anwendungen bekannt ist, insbesondere bei Hochleistungsumschalt- und Verstärkungsschaltungen. Hier sind einige wichtige Merkmale und Spezifikationen des IRFZ44 -MOSFET:

N-Kanal-MOSFET: Der IRFZ44 ist ein N-Kanal-MOSFET, was bedeutet, dass es Strom leitet, wenn eine positive Spannung auf den Gate-Anschluss relativ zum Quellanschluss angewendet wird.

Spannungsbewertung: Der IRFZ44 hat typischerweise eine Spannung von rund 50 V bis 60 V, was die maximale Spannung zwischen dem Abfluss- und der Quellanschlüsse anzeigt.

Strombewertung: Es kann je nach spezifischem Modell in der Lage sein, einen hohen kontinuierlichen Abflussstrom, typischerweise im Bereich von 41a bis 49a, zu handhaben.

On-Resistenz (RDS (ON)): Die häufig als RDS (ON) bezeichnete On-Resistenz ist relativ niedrig, was bedeutet, dass das MOSFET einen minimalen Spannungsabfall aufweist, wenn es sich im leitenden Zustand befindet. Dies führt zu einer effizienten Leistung.

Gate -Schwellenspannung (VGS (TH)): Die Gate -Schwellenspannung ist die Spannung, die erforderlich ist, um das MOSFET einzuschalten. Für den IRFZ44 liegt dies in der Regel um 2 V bis 4 V.

Paket: Der IRFZ44 ist in einem Paket bis zu 220 oder bis 220 üblicherweise erhältlich, das eine gute thermische Leistung ermöglicht und die Montage für Kühlkörper erleichtert.

Anwendungen: Das IRFZ44-MOSFET wird in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, einschließlich Leistungsverstärker, Motorsteuerung, Schaltungsversorgungen, Motorantrieben und anderen elektronischen Hochleistungsschaltungen.

Wärmeabteilung: MOSFETs wie das IRFZ44 können während des Betriebs Wärme erzeugen, insbesondere bei der Umstellung hoher Ströme. Daher kann für Hochleistungsanwendungen eine ordnungsgemäße Wärmebehandlung, einschließlich des Wärmeverbindens, erforderlich sein.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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