MMBT5551 Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

MMBT5551 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
ON Semiconductor	MMBT5551	323Kb/11P	NPN General-Purpose Amplifier June 2013 Rev. 1.1.0
Diodes Incorporated	MMBT5551	128Kb/4P	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR DS30061 Rev. 11 - 2
ON Semiconductor	MMBT5551	127Kb/6P	High Voltage Transistors NPN Silicon September, 2010 ??Rev. 9
Diodes Incorporated	MMBT5551	47Kb/2P	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR DS30061 Rev. 4 - 2
ON Semiconductor	MMBT5551	97Kb/6P	High Voltage Transistors December, 2004 ??Rev. 4
SEMTECH ELECTRONICS LTD...	MMBT5551	194Kb/2P	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors
Diodes Incorporated	MMBT5551	419Kb/4P	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR DS30061 Rev. 9 - 2
Unisonic Technologies	MMBT5551	51Kb/4P	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
Diotec Semiconductor	MMBT5551	102Kb/2P	Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
Diotec Semiconductor	MMBT5551	98Kb/2P	Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
Shanghai Shunye Electro...	MMBT5551	840Kb/4P	TRANSISTOR (NPN) V2.22
Weitron Technology	MMBT5551	321Kb/5P	High Voltage NPN Transistors
Micro Commercial Compon...	MMBT5551	68Kb/2P	PNP Plastic Encapsulate Transistor
Fairchild Semiconductor	MMBT5551	222Kb/5P	NPN General Purpose Amplifier
Zowie Technology Corpor...	MMBT5551	84Kb/4P	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN SILICON
SeCoS Halbleitertechnol...	MMBT5551	331Kb/3P	General Purpose Transistor
Micro Commercial Compon...	MMBT5551	166Kb/2P	NPN Plastic Encapsulate Transistor
Transys Electronics	MMBT5551	170Kb/2P	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Unisonic Technologies	MMBT5551	149Kb/4P	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
Pan Jit International I...	MMBT5551	261Kb/6P	NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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Kurze Beschreibung von MMBT5551

MMBT5551 ist ein kleines Signal-NPN-Bipolar-Junction-Transistor (BJT), das üblicherweise bei Amplifikations- und Schaltanwendungen mit geringer Leistung verwendet wird. Es handelt sich um ein Oberflächengerät, das in einem kleinen SOT-23-Paket erhältlich ist.

Der MMBT5551-Transistor hat eine maximale Spannung von 160 V und eine maximale Sammlerstroms von 600 mA. Es hat auch eine niedrige Rauschfigur mit einer typischen HFE (Gleichstromverstärkung) von 110 bis 220 und einer maximalen Sättigungsspannung von 0,3 V.

Aufgrund seiner niedrigen Rausch-Figur und seiner hohen Verstärkung wird der MMBT5551-Transistor häufig in Audioverstärkern mit geringer Leistung, Vorverstärker und anderen Signalverarbeitungsschaltungen verwendet. Es kann auch für Schaltanwendungen verwendet werden, bei denen niedriger Stromverlust und schnelle Schaltgeschwindigkeiten wichtig sind.

Bei der Verwendung des MMBT5551 -Transistors oder eines anderen BJT in einer Schaltung ist es wichtig, auf seine Pinbelegungs- und Betriebsparameter zu achten, um sicherzustellen, dass er ordnungsgemäß voreingenommen ist und innerhalb seiner sicheren Betriebsgrenzen arbeitet.

Äquivalent für MMBT5551

Der MMBT5551 ist ein kleiner Signal-NPN-Bipolar-Junction-Transistor (BJT) mit einer maximalen Kollektorstroms von 600 mA und einer maximalen Spannung mit Kollektor-Emitter von 160 V. Wenn Sie einen MMBT5551 -Transistor ersetzen müssen, finden Sie hier einige Optionen, die Sie in Betracht ziehen können:

2N3904: Dies ist eine weit verbreitete NPN-BJT mit einer maximalen Kollektorstromleistung von 200 mA und einer maximalen Collector-Emitter-Spannung von 40 V. Es kann als Ersatz für den MMBT5551 -Transistor in vielen Anwendungen mit niedriger Spannung verwendet werden.

BC547: Dies ist ein weiterer NPN-BJT mit einer maximalen Kollektorstroms von 100 mA und einer maximalen Spannung mit Collector-Emitter von 45 V. Es ist ein beliebter Ersatz für den MMBT5551 -Transistor in vielen geringen Stromanwendungen.

PN2222A: Dies ist ein NPN-BJT mit einer maximalen Kollektorstroms von 600 mA und einer maximalen Collector-Emitter-Spannung von 40 V. Es hat ähnliche Eigenschaften wie der MMBT5551 -Transistor und kann in vielen Anwendungen als Ersatz verwendet werden.

MPSA42: Dies ist eine Hochspannungs-NPN-BJT mit einer maximalen Collector-Emitter-Spannung von 300 V und einer maximalen Kollektorstroms von 500 mA. Es kann als Ersatz für den MMBT5551 -Transistor in Anwendungen verwendet werden, bei denen eine höhere Spannungsfähigkeit erforderlich ist.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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