MMBTA55 Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

MMBTA55 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
ON Semiconductor	MMBTA55	58Kb/4P	Driver Transistors(PNP Silicon) March, 2004 ??Rev. 3
Diodes Incorporated	MMBTA55	108Kb/3P	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR DS30054 Rev. 11 - 2
Samsung semiconductor	MMBTA55	27Kb/1P	PNP (DRIVER TRANSISTOR)
Diodes Incorporated	MMBTA55	80Kb/3P	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR DS30054 Rev. 9 - 2
Diodes Incorporated	MMBTA55	47Kb/2P	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR DS30054 Rev. 4 - 2
KEC(Korea Electronics)	MMBTA55	114Kb/1P	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER)
Weitron Technology	MMBTA55	242Kb/4P	Driver PNP Transistors
Fairchild Semiconductor	MMBTA55	1Mb/13P	PNP General Purpose Amplifier
Diotec Semiconductor	MMBTA55	107Kb/2P	General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors
Goodwork Semiconductor ...	MMBTA55	374Kb/3P	SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
TAITRON Components Inco...	MMBTA55	202Kb/3P	SMD General Purpose Transistor (PNP)
Nanjing International G...	MMBTA55	1Mb/3P	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
Micro Commercial Compon...	MMBTA55	118Kb/4P	PNP General Purpose Amplifier
Transys Electronics	MMBTA55	140Kb/1P	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Pan Jit International I...	MMBTA55	1Mb/5P	NPN AND PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
SeCoS Halbleitertechnol...	MMBTA55	285Kb/4P	Driver Transistor
KEC(Korea Electronics)	MMBTA55	40Kb/2P	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
Micro Commercial Compon...	MMBTA55	226Kb/4P	PNP General Purpose Amplifier
Rectron Semiconductor	MMBTA55	455Kb/7P	PNP General Purpose Amplifier
Unisonic Technologies	MMBTA55	144Kb/3P	PNP MMBTA55

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Kurze Beschreibung von MMBTA55

Der MMBTA55 ist eine bestimmte Art von PNP-General-Pursistor. Hier finden Sie einige Informationen über den MMBTA55 -Transistor:

Hersteller: Der MMBTA55 -Transistor wird üblicherweise von mehreren Halbleiterunternehmen hergestellt, daher kann er bei verschiedenen Herstellern erhältlich sein.

Typ: Es handelt sich um einen PNP-Transistor (positiv-negativ-positiv). PNP -Transistoren werden üblicherweise zur Verstärkung und zum Schaltungszweck in elektronischen Schaltungen verwendet.

Spannungs- und Stromwerte: Die Spannungs- und Strombewertungen des MMBTA55 -Transistors können je nach spezifischem Hersteller und Serien variieren. Im Allgemeinen handelt es sich jedoch um einen Transistor mit geringer Leistung mit Spannungsbewertungen im Bereich von 30 bis 60 Volt und Stromwerden im Bereich von 100 bis 500 mA.

Packungstyp: Der MMBTA55-Transistor ist üblicherweise in einem kleinen Oberflächenmontagepaket wie SOT-23 oder SOT-23-3 erhältlich. Der Pakettyp bestimmt die physikalischen Abmessungen und die PIN -Konfiguration des Transistors.

Merkmale: Der MMBTA55 -Transistor bietet Funktionen wie niedrige Sättigungsspannung, hohe Stromverstärkung (HFE) und niedrige Rauschen. Es ist für eine Vielzahl von allgemeinen Anwendungen in der Elektronik geeignet.

Äquivalent für MMBTA55

Ein geeigneter Ersatz für den MMBTA55 -Transistor ist der BC557. Der BC557 ist ein PNP Bipolar Junction Transistor (BJT), das üblicherweise für die Amplifikation und Schaltanwendungen mit geringer Leistung verwendet wird. Es hat ähnliche elektrische Eigenschaften und Pin -Konfiguration wie das MMBTA55, was es in den meisten Fällen zu einem geeigneten Ersatz macht.

Hier finden Sie einige Details zum BC557 -Transistor:

Elektrische Eigenschaften:

Maximale Collector -Base -Spannung (VCBO): -50 V (negativer Wert wie ein PNP -Transistor)
Maximale Sammler -Emitter -Spannung (VCEO): -45V
Maximale Emitterbasisspannung (VEBO): -5V
Maximaler Sammlerstrom (IC): 100 mA
Gleichstromverstärkung (HFE): Typischerweise um 125-800
Übergangsfrequenz (FT): 100 MHz
PIN -Konfiguration: Der BC557 -Transistor verfügt über drei Terminals:

Emitter (e)
Basis (b)
Sammler (c)
Paketyp: Der BC557-Transistor ist in verschiedenen Paketypen erhältlich, einschließlich TO-92 und SOT-23.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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