TIP3055 Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

TIP3055 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
ON Semiconductor	TIP3055	101Kb/4P	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 1996 REV 1
STMicroelectronics	TIP3055	45Kb/4P	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Aug-1999
STMicroelectronics	TIP3055	88Kb/7P	Complementary power transistors 10-Jan-2008
ON Semiconductor	TIP3055	114Kb/6P	Complementary Silicon Power Transistors May, 2012 ??Rev. 7
Mospec Semiconductor	TIP3055	107Kb/3P	POWER TRANSISTORS(15A,60V,90W)
Motorola, Inc	TIP3055	104Kb/4P	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
Power Innovations Ltd	TIP3055	95Kb/6P	NPN SILICON POWER TRANSISTOR
Wing Shing Computer Com...	TIP3055	64Kb/1P	NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER)
Savantic, Inc.	TIP3055	155Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
Inchange Semiconductor ...	TIP3055	155Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
Tiger Electronic Co.,Lt...	TIP3055	64Kb/1P	Complementary Silicon High Power Ttransistors
Comset Semiconductor	TIP3055	72Kb/3P	SILICON POWER TRANSISTORS
Kwang Myoung I.S. CO.,L...	TIP3055	3Mb/1P	Silicon NPN Power Transistors
New Jersey Semi-Conduct...	TIP3055	95Kb/2P	Silicon NPN Power Transistor
Inchange Semiconductor ...	TIP3055	305Kb/2P	isc Silicon NPN Power Transistor
Multicomp Pro	TIP3055	478Kb/4P	Complementary Power Transistor 25/09/19 V1.0
Continental Device Indi...	TIP3055F	89Kb/2P	TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL
TRANSYS Electronics Lim...	TIP3055F	69Kb/3P	POWER TRANSISTORS
ON Semiconductor	TIP3055G	114Kb/6P	Complementary Silicon Power Transistors May, 2012 ??Rev. 7
ON Semiconductor	TIP3055G	114Kb/6P	Complementary Silicon Power Transistors May, 2012 ??Rev. 7

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Kurze Beschreibung von TIP3055

Der TIP3055 ist ein weit verbreiteter NPN-Transistor (BJT) (negativ positiv-negativ) Bipolar Junction Transistor (BJT) Es ist Teil der TIP-Serie von Transistoren und wird üblicherweise für Fahrlasten wie Motoren, Relais und andere Hochstromanwendungen eingesetzt. Hier sind einige wichtige Merkmale und Spezifikationen des TIP3055 -Transistors:

Polarität: NPN -Transistorkonfiguration, dh sie verstärkt den Strom, wenn ein kleiner Strom von der Basis zum Emitter fließt.

Maximaler Kollektorstrom (IC): Der TIP3055 wird je nach spezifischem Modell und Hersteller typischerweise für einen maximalen Sammlerstrom von etwa 15A bis 25A bewertet.

Maximale Collector-Emitter-Spannung (VCEO): Die VCEO-Bewertung beträgt normalerweise etwa 60 V bis 100 V, was die maximale Spannung angibt, die sie zwischen den Kollektor- und Emitterterminals verarbeiten kann, wenn die Basis geöffnet ist.

Gain (Hfe oder Beta): Der als HFE oder Beta bezeichnete Gewinn ist der Verstärkerfaktor des Transistors und fällt normalerweise in den Bereich von 20 bis 70.

Hochleistungsdissipation: Der TIP3055 ist so ausgelegt, dass er eine relativ hohe Stromversorgung verarbeitet, was ihn für Hochleistungsanwendungen geeignet macht.

Paket: Der TIP3055 ist üblicherweise in einem Paket für to-218 oder bis 247 erhältlich, das eine gute thermische Leistung bietet und die Montage für Kühlkühlkörper erleichtert.

Anwendungen: Der TIP3055-Transistor wird in Anwendungen häufig verwendet, bei denen Hochleistungsumschaltungen und -verstärker erforderlich sind, einschließlich Leistungsverstärker, Motorsteuerung, Netzteile und vielem mehr.

Wärmeabteilung: Der TIP3055 kann während des Betriebs Wärme erzeugen. Daher kann eine ordnungsgemäße Wärmebehandlung, einschließlich des Wärmeverbänkens, für Hochleistungsanwendungen erforderlich sein, um einen sicheren Betrieb zu gewährleisten.

Darlington -Paarkonfiguration: Der TIP3055 wird häufig als Teil einer Darlington -Paarkonfiguration verwendet, um den Strom weiter zu verstärken und eine hohe Stromverstärkung zu erzielen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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