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Hersteller

TIP31 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
ON Semiconductor	TIP31	123Kb/6P	Complementary Silicon Plastic Power Transistors September, 2005 ??Rev. 10
Samsung semiconductor	TIP31	220Kb/6P	NPN (MEDIUM POWER LINEAR SWITCHING APPLICATIONS)
Power Innovations Ltd	TIP31	86Kb/6P	NPN SILICON POWER TRANSISTORS
Fairchild Semiconductor	TIP31	37Kb/4P	Medium Power Linear Switching Applications
Boca Semiconductor Corp...	TIP31	25Kb/2P	General Purpose Amplifier and Switching Applications
Micro Electronics	TIP31	43Kb/1P	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
Diotec Semiconductor	TIP31	36Kb/2P	Si-Epitaxial PlanarTransistors
TRANSYS Electronics Lim...	TIP31	58Kb/1P	Plastic-Encapsulated Transistors
Savantic, Inc.	TIP31	116Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
SemiHow Co.,Ltd.	TIP31	484Kb/5P	Medium Power Linear Switching Applications
Micro Commercial Compon...	TIP31	190Kb/2P	Silicon NPN Power Transistors
Micro Commercial Compon...	TIP31	262Kb/2P	Silicon NPN Power Transistors
Inchange Semiconductor ...	TIP31	162Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
SeCoS Halbleitertechnol...	TIP31	94Kb/2P	NPN Plastic-Encapsulate Transistor
Mospec Semiconductor	TIP31	192Kb/4P	POWER TRANSISTORS(3A,40-100V,40W)
Fairchild Semiconductor	TIP31	532Kb/5P	NPN Epitaxial Silicon Transistor
Continental Device Indi...	TIP31	321Kb/4P	PLASTIC POWER TRANSISTORS
Nell Semiconductor Co.,...	TIP31	261Kb/5P	Complementary Silicon Power Transistor
Savantic, Inc.	TIP31	118Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
New Jersey Semi-Conduct...	TIP31	92Kb/2P	Complementary Silicon Plastic Power Transistors

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Kurze Beschreibung von TIP31

Der TIP31 ist ein beliebter NPN Bipolar Junction Transistor (BJT), der üblicherweise für allgemeine Amplifikations- und Schaltanwendungen verwendet wird. Hier sind einige wichtige Spezifikationen des TIP31 -Transistors:

Kollektorstrom (IC): Der maximale Sammlerstrom beträgt typischerweise rund 3 Ampere (a). Dieser Wert gibt den maximalen Strom an, der durch den Kollektoranschluss des Transistors fließen kann, wenn er vollständig eingeschaltet ist.

Collector-Emitter-Spannung (VCEO): Die maximale Spannung, die zwischen dem Kollektor und dem Emitterterminal angewendet werden kann, wenn das Basisanschluss offen ist. Es ist normalerweise rund 40 Volt.

Leistungsdissipation (PD): Die maximale Leistung, die der Transistor verarbeiten kann, ohne seine angegebenen Temperaturgrenzen zu überschreiten. Für den TIP31 sind es normalerweise etwa 40 Watt (W).

Gleichstromverstärkung (HFE): Die DC -Stromverstärkung oder HFE repräsentiert die Verstärkungsfähigkeit des Transistors. Für den TIP31 reicht es typischerweise von 10 bis 100, abhängig von den spezifischen Bedingungen und der Verzerrung.

Übergangsfrequenz (FT): Die Übergangsfrequenz zeigt die maximale Frequenz an, bei der der Transistor die Signale effektiv amplifizieren kann. Für den TIP31 reicht es typischerweise zwischen 3 und 4 Megahertz (MHz).

Äquivalent für TIP31

TIP31 ist ein beliebter NPN -Leistungstransistor, der üblicherweise in verschiedenen Schalt- und Verstärkungsanwendungen verwendet wird. Die Ersetzungen oder Äquivalente können je nach den spezifischen Anforderungen der Schaltung oder Anwendung variieren. Hier sind jedoch einige mögliche Optionen:

TIP31A, TIP31B, TIP31C: Dies sind Variationen des TIP31 mit leicht unterschiedlichen Spannungs- und Strombewertungen. Sie können in den meisten Fällen als Drop-In-Austausch für den TIP31 verwendet werden.

TIP41: Dies ist ein komplementärer PNP -Transistor zum TIP31 und kann als Ersatz in einigen Schaltungen verwendet werden, für die ein komplementäres Paar erforderlich ist.

2N3055: Dies ist ein weiterer beliebter NPN -Leistungstransistor, der in einigen Anwendungen als Ersatz für den TIP31 verwendet werden kann.

MJ2955: Dies ist der komplementäre PNP -Transistor zum 2N3055 und kann in einigen Schaltungen als ergänzender Austausch für den TIP31 verwendet werden.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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