TIP31C Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

TIP31C Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
ON Semiconductor	TIP31C	123Kb/6P	Complementary Silicon Plastic Power Transistors September, 2005 ??Rev. 10
STMicroelectronics	TIP31C	136Kb/10P	Power transistors 20-Apr-2006
ON Semiconductor	TIP31C	196Kb/6P	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON REV 1
Samsung semiconductor	TIP31C	220Kb/6P	NPN (MEDIUM POWER LINEAR SWITCHING APPLICATIONS)
STMicroelectronics	TIP31C	64Kb/5P	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Oct-1999
Wing Shing Computer Com...	TIP31C	61Kb/1P	Silicon Epitaxial Planar Transistor
Power Innovations Ltd	TIP31C	86Kb/6P	NPN SILICON POWER TRANSISTORS
Boca Semiconductor Corp...	TIP31C	25Kb/2P	General Purpose Amplifier and Switching Applications
KEC(Korea Electronics)	TIP31C	226Kb/2P	TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR(GENERAL PURPOSE)
Micro Electronics	TIP31C	43Kb/1P	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
Diotec Semiconductor	TIP31C	36Kb/2P	Si-Epitaxial PlanarTransistors
Motorola, Inc	TIP31C	196Kb/6P	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
Unisonic Technologies	TIP31C	56Kb/2P	NPN EXPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Diotec Semiconductor	TIP31C	106Kb/2P	General Purpose Silicon Power Transistors
TRANSYS Electronics Lim...	TIP31C	58Kb/1P	Plastic-Encapsulated Transistors
Savantic, Inc.	TIP31C	116Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
Dc Components	TIP31C	196Kb/1P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Rectron Semiconductor	TIP31C	76Kb/3P	TO-220 - Power Transistors and Darlingtons
SemiHow Co.,Ltd.	TIP31C	484Kb/5P	Medium Power Linear Switching Applications
Micro Commercial Compon...	TIP31C	190Kb/2P	Silicon NPN Power Transistors

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Kurze Beschreibung von TIP31C

Der TIP31C ist ein weit verbreiteter NPN -Bipolar -Junction -Transistor (BJT) mit Anwendungen in Amplifikation und Schaltschaltungen. Es wird üblicherweise in elektronischen Projekten verwendet, bei denen eine moderate Stromverstärkung oder Schaltfunktionen erforderlich sind. Hier sind einige wichtige Merkmale und Spezifikationen des TIP31C -Transistors:

Typ: Der TIP31C ist ein NPN (negativ positiv-negativ) BJT, was bedeutet, dass es aus Schichten von Halbleitermaterialien besteht, einschließlich Materialien vom P-Typ und N-Typ.

Amplifikation: Als NPN -Transistor kann der TIP31C zur Signalamplifikation in elektronischen Schaltungen verwendet werden. Es ermöglicht einen kleinen Eingangsstrom, einen größeren Ausgangsstrom zu steuern.

Kollektorstrom (IC): Der TIP31C hat eine moderate Kollektorstrombewertung, die typischerweise im Bereich einiger Ampere ist. Dies stellt den maximalen kontinuierlichen Strom dar, der durch den Kollektorterminal fließen kann.

Collector-Emitter-Spannung (VCE): Dies ist die maximale Spannung, die zwischen den Kollektor- und Emitterterminals angewendet werden kann, ohne einen Aufbruch zu verursachen.

Leistungsdissipation (PD): Die Leistungsdissipation zeigt die maximale Leistung an, die der Transistor verarbeiten kann, ohne die maximale Anschlusstemperatur zu überschreiten.

Verstärkung (HFE oder Beta): Der aktuelle Verstärkung, der häufig als HFE oder Beta bezeichnet wird, repräsentiert das Verhältnis des Ausgangsstroms zum Eingangsstrom. Es ist ein wichtiger Parameter für Verstärkungsanwendungen.

Paket: Der TIP31C ist üblicherweise in einem TO-220-Paket erhältlich, das eine gute thermische Leistung und einfache Montage für einen Kühlkörper bietet.

Anwendungen: Der TIP31C wird in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, einschließlich Audioverstärker, Stromversorgungsschaltungen, Spannungsregulatoren und andere Verstärkungs- und Schaltaufgaben mit mittlerer Leistung.

Schaltgeschwindigkeit: Obwohl nicht so schnell wie bei einigen kleineren Signaltransistoren, hat der TIP31C eine mäßige Schaltgeschwindigkeit, die für viele allgemeine Anwendungen geeignet ist.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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