TIP41C Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

TIP41C Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
ON Semiconductor	TIP41C	99Kb/6P	Complementary Silicon Plastic Power Transistors November, 2007 - Rev. 7
STMicroelectronics	TIP41C	281Kb/12P	Complementary power transistors 19-Nov-2007
ON Semiconductor	TIP41C	222Kb/6P	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 1995 REV 1
STMicroelectronics	TIP41C	53Kb/4P	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Oct-1999
Power Innovations Ltd	TIP41C	86Kb/6P	NPN SILICON POWER TRANSISTORS
Wing Shing Computer Com...	TIP41C	25Kb/2P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(MEDIUM POWER LINEAR SWITCHING APPLICATIONS)
Fairchild Semiconductor	TIP41C	37Kb/4P	Medium Power Linear Switching Applications
Boca Semiconductor Corp...	TIP41C	25Kb/2P	General Purpose Amplifier and Switching Applications
KEC(Korea Electronics)	TIP41C	202Kb/2P	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE)
Unisonic Technologies	TIP41C	131Kb/2P	NPN EXPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Savantic, Inc.	TIP41C	136Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
Dc Components	TIP41C	196Kb/1P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Rectron Semiconductor	TIP41C	76Kb/3P	TO-220 - Power Transistors and Darlingtons
SemiHow Co.,Ltd.	TIP41C	479Kb/5P	Medium Power Linear Switching Applications
Micro Commercial Compon...	TIP41C	189Kb/2P	Silicon NPN Power Transistors
Motorola, Inc	TIP41C	222Kb/6P	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
Weitron Technology	TIP41C	161Kb/3P	NPN Silicon Power Transistor
Mospec Semiconductor	TIP41C	189Kb/4P	POWER TRANSISTORS(6A,40-100V,65W)
Micro Commercial Compon...	TIP41C	254Kb/2P	Silicon NPN Power Transistors
Inchange Semiconductor ...	TIP41C	166Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors

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Kurze Beschreibung von TIP41C

Der TIP41C ist ein beliebter NPN -Bipolar -Junction -Transistor (BJT), der für seine Verwendung in der Leistungsverstärkung und des Schaltanwendungen bekannt ist. Es ist Teil der Transistoren der TIP41-Reihe, die für Anforderungen mit mittlerer bis hoher Leistung ausgelegt sind. Hier finden Sie einige wichtige Merkmale und Spezifikationen des TIP41C -Transistors:

Polarität: NPN (negativ-positiv-negativ).

Der TIP41C verfügt über eine N-Typ-Schicht in der Mitte, die zwischen P-Typen außen eingeklemmt ist.
Maximaler Sammlerstrom (IC): Typischerweise um 6a.

Dies ist der maximale Strom, der vom Sammler zum Emitter fließen kann, wenn sich der Transistor im Status On befindet.
Maximale Collector-Base-Spannung (VCBO): Typischerweise um 60 V.

Dies ist die maximale Spannung, die zwischen den Kollektor- und Basisklemmen angewendet werden kann, während das Emitterterminal geöffnet wird.
Maximale Collector-Emitter-Spannung (VCEO): Typischerweise um 60 V.

Dies ist die maximale Spannung, die zwischen den Kollektor- und Emitterterminals angewendet werden kann, während die Basis geöffnet ist.
Gewinn (HFE oder Beta): Typischerweise etwa 15 bis 75.

Der als HFE oder Beta bezeichnete Gewinn repräsentiert die Verstärkungsfähigkeit des Transistors. Es zeigt, wie viel der Sammlerstrom im Vergleich zum Basisstrom verstärkt wird.
Paket: Der TIP41C ist in bis-220-Paketen üblicherweise erhältlich, die für Stromtransistoren geeignet sind und eine gute thermische Leistung bieten.

Anwendungen: Der TIP41C-Transistor wird in verschiedenen Stromverstärker- und Schaltanwendungen wie Audioverstärker, Stromversorgungen, Motorsteuerungsschaltungen und anderen elektronischen Schaltkreisen mit mittlerer bis hoher Leistung verwendet.

Komplementäres Paar: Der TIP41C wird häufig in Verbindung mit seinem komplementären PNP-Transistor wie dem TIP42C verwendet, um einen Push-Pull-Verstärker oder ein Schaltpaar für Anwendungen zu bilden, die einen bidirektionalen Stromfluss benötigen.

Äquivalent für TIP41C

Der TIP41C ist ein epitaktischer NPN-Siliziumtransistor, der für Linear- und Schaltanwendungen mittlerer Leistung entwickelt wurde und einen maximalen Kollektorstrom von 6 A und eine Kollektor-Emitter-Spannung von 100 V aufweist. Als Ersatz können mehrere Transistoren dienen, die ähnliche elektrische Eigenschaften und Funktionalitäten bieten:

BD711:

NPN-Transistor mit einem maximalen Kollektorstrom von 6 A und einer Kollektor-Emitter-Spannung von 100 V.
Entwickelt für allgemeine Verstärkungs- und Schaltanwendungen.
Eingekapselt in einem TO-220-Gehäuse, ähnlich dem TIP41C.
BD911:

NPN-Leistungstransistor mit einem maximalen Kollektorstrom von 15 A und einer Kollektor-Emitter-Spannung von 100 V.
Geeignet für Anwendungen mit höherem Strom und bietet eine größere Belastbarkeit.
Auch in einem TO-220-Gehäuse untergebracht.
MJE5180:

NPN-Transistor mit einem maximalen Kollektorstrom von 8 A und einer Kollektor-Emitter-Spannung von 100 V.
Verfügt über eine hohe Stromverstärkung und schnelle Schaltgeschwindigkeiten.
Eingekapselt in einem TO-220-Gehäuse.
MJE5181:

NPN-Transistor mit einem maximalen Kollektorstrom von 8 A und einer Kollektor-Emitter-Spannung von 120 V.
Bietet im Vergleich zum TIP41C eine höhere Spannungstoleranz.
Untergebracht in einem TO-220-Gehäuse.
TIP41A/B:

Varianten der TIP41-Serie mit niedrigeren Nennspannungen: TIP41A (60 V) und TIP41B (80 V).
Teilen Sie ähnliche aktuelle Handhabungsmöglichkeiten und Pakettypen.
Stellen Sie sicher, dass die Spannungsanforderungen Ihrer Anwendung mit diesen Nennwerten übereinstimmen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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