TIP42C Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

TIP42C Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
ON Semiconductor	TIP42C	99Kb/6P	Complementary Silicon Plastic Power Transistors November, 2007 - Rev. 7
STMicroelectronics	TIP42C	281Kb/12P	Complementary power transistors 19-Nov-2007
ON Semiconductor	TIP42C	222Kb/6P	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 1995 REV 1
Samsung semiconductor	TIP42C	179Kb/5P	PNP (MEDIUM POWER LINEAR SWITCHING APPLICATIONS)
STMicroelectronics	TIP42C	53Kb/4P	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Oct-1999
Wing Shing Computer Com...	TIP42C	22Kb/2P	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(MEDIUM POWER LINEAR SWITCHING APPLICATIONS)
Power Innovations Ltd	TIP42C	86Kb/6P	PNP SILICON POWER TRANSISTORS
Fairchild Semiconductor	TIP42C	36Kb/4P	Medium Power Linear Switching Applications
Boca Semiconductor Corp...	TIP42C	25Kb/2P	General Purpose Amplifier and Switching Applications
KEC(Korea Electronics)	TIP42C	47Kb/2P	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE)
TRANSYS Electronics Lim...	TIP42C	58Kb/1P	Plastic-Encapsulated Transistors
Inchange Semiconductor ...	TIP42C	137Kb/3P	isc Silicon PNP Power Transistors
Savantic, Inc.	TIP42C	133Kb/4P	Silicon PNP Power Transistors
Dc Components	TIP42C	196Kb/1P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Rectron Semiconductor	TIP42C	76Kb/3P	TO-220 - Power Transistors and Darlingtons
SemiHow Co.,Ltd.	TIP42C	481Kb/5P	Medium Power Linear Switching Applications
Micro Commercial Compon...	TIP42C	143Kb/2P	Silicon PNP Power Transistors
Motorola, Inc	TIP42C	222Kb/6P	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
Weitron Technology	TIP42C	778Kb/3P	PNP Silicon Epitaxial Power Transistor
Mospec Semiconductor	TIP42C	189Kb/4P	POWER TRANSISTORS(6A,40-100V,65W)

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Kurze Beschreibung von TIP42C

Der TIP42C ist ein PNP (positiv-negativ-positiver) bipolarer Junction-Transistor (BJT), der für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen ausgelegt ist. Hier sind einige wichtige Funktionen und Spezifikationen des TIP42C:

Typ: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT).

Polarität:

PNP -Transistoren haben einen positiven (Loch-) Ladungsträger als Mehrheitsladungsträger.
Collector-Base-Spannung (VCBO):

Die maximale Spannung, die zwischen dem Kollektor und den Basisklemmen angewendet werden kann, wenn der Emitter offen ist.
Collector-Emitter-Spannung (VCEO):

Die maximale Spannung, die zwischen den Kollektor- und Emitterterminals mit offener Basis aufgetragen werden kann.
Emitter-Base-Spannung (VEBO):

Die maximale Spannung, die zwischen dem Emitter- und der Basisanschlüsse angewendet werden kann, wenn der Kollektor offen ist.
Sammlerstrom (IC):

Der maximale Strom, der durch den Kollektorterminal fließen kann.
Leistungsdissipation (PTOT):

Die maximale Leistung, die der Transistor ohne Schaden erledigen kann.
Aktueller Gewinn (HFE):

Die Stromverstärkung, auch als Beta (β) des Transistors bekannt, repräsentiert das Verhältnis des Ausgangsstroms (Kollektorstrom) zu Eingangsstrom (Basisstrom).
Paket:

Der TIP42C ist in verschiedenen Paketen erhältlich, z. B. TO-220, was ein übliches Durchleitungspaket ist.
Anwendungen:

Verstärkung in Stufen von Audio-Leistungsverstärker, Stromversorgungsregulatoren und allgemeinen Umschaltanwendungen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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