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IXBF42N300 Datenblatt (PDF) - IXYS Corporation

IXBF42N300 Datasheet PDF - IXYS Corporation
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Bauteilbeschribung High Voltage, BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

IXBF42N300 Datasheet (PDF)

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IXBF42N300 Datenblatt (HTML) - IXYS Corporation


IXBF42N300 Produktdetails

Features
● Silicon Chip on Direct-Copper Bond (DCB) Substrate
● Isolated Mounting Surface
● 3000V~ Electrical Isolation
● High Blocking Voltage
● High Peak Current Capability
● Low Saturation Voltage
● FBSOA Rated
● SCSOA Rated

Advantages
● Low Gate Drive Requirement
● High Power Density

Applications
● Laser Generators
● Capacitor Discharge Circuits
● AC Switches
● Protection Circuits




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Über IXYS Corporation


Die IXYS Corporation ist ein Technologieunternehmen, das sich auf das Design, die Herstellung und den Verkauf von Power -Halbleitern und integrierten Schaltungen (ICs) spezialisiert hat. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Milpitas, Kalifornien. IXYS ist global präsent, mit Operationen und Kunden in über 60 Ländern auf der ganzen Welt.

IXYS bietet eine breite Palette von Produkten und Lösungen, darunter Power -MOSFETs, bipolare Stromtransistoren, Thyristoren, Dioden und ICs für Leistungsmanagement- und Kontrollanwendungen. Die Produkte des Unternehmens werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter erneuerbare Energien, Industrie-, Automobil- und Unterhaltungselektronik.

IXYS ist bekannt für seine Expertise in der Power-Halbleitertechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden hohe Leistung und kostengünstige Lösungen zu bieten. Das Unternehmen engagiert sich für Innovation, Forschung und Entwicklung und engagiert sich aktiv an der Entwicklung neuer Technologien und Lösungen für den Power -Halbleitermarkt. IXYS ist ein anerkannter Marktführer auf dem Power Semiconductor-Markt und bietet seinen Kunden weiterhin qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen an.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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